selenous acid | 20638-10-2

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 其他混合金属/非金属含氧阴离子化合物
• 英文名称: selenous acid
• 英文别名: hydrogen selenite
• CAS: 20638-10-2
• 化学式: 2H*O₃Se
• 分子量: 128.974
• InChiKey: MCAHWIHFGHIESP-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -2.25
• 重原子数：
  4
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  60.4
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  selenous acid 、 lead acetate 生成 lead selenite*2H2O
  参考文献：
  名称：

  Thermal and other studies on bivalent metal selenltes

  摘要：

  DOI：

  10.1007/bf01913033
• 作为产物：
  描述：

  mercury(II) selenide 在 硝酸 作用下， 生成 mercury(I) selenite 、 selenous acid
  参考文献：
  名称：

  Berzelius, J. J., Annales de Chimie et de Physique, 1818, vol. 9, p. 225 - 267

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Formation of HgSe Thin Films Using Electrochemical Atomic Layer Epitaxy
  作者：Mkhulu K. Mathe、Steve M. Cox、Venkatram Venkatasamy、Uwe Happek、John L. Stickney

  DOI：10.1149/1.2047547

  日期：——

  The growth of HgSe using electrochemical atomic-layer epitaxy (EC-ALE) is reported. EC-ALE is the electrochemical analog of ALE, where electrochemical surface-limited reactions referred to as underpotential deposits, generally result in the formation of an atomic layer of an element, under controlled potential. HgSe thin films were formed on gold substrates using two reactant solutions: a solution

  报道了使用电化学原子层外延 (EC-ALE) 生长 HgSe。EC-ALE 是 ALE 的电化学类似物，其中电化学表面限制反应称为欠电位沉积，通常导致在受控电位下形成元素的原子层。使用两种反应溶液在金基板上形成 HgSe 薄膜：Hg 2 + 与乙二胺四乙酸复合的溶液和 HSeO - 3 离子溶液。X 射线衍射分析显示沉积物为闪锌矿结构，具有强（111）优选织构，平均晶粒尺寸为 425Δ。电子探针显微镜分析显示接近化学计量的沉积物。傅里叶变换红外光谱反射吸收测量表明有两个带隙：0.42 和 0.88 eV。
• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Ni: MVol.C2, 8.21, page 1093 - 1102
  作者：

  DOI：——

  日期：——
• Cameron, C. A.; Davy, E. W., Chemical news and journal of industrial science, 1881, vol. 44, p. 63 - 64
  作者：Cameron, C. A.、Davy, E. W.

  DOI：——

  日期：——
• Cameron, C. A.; Davy, E. W., 1880, vol. 28, p. 137 - 147
  作者：Cameron, C. A.、Davy, E. W.

  DOI：——

  日期：——
• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Hg: MVol.B4, 8.5, page 1408 - 1413
  作者：

  DOI：——

  日期：——