tris(trichlorosilyl)silane | 62257-60-7

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 类金属盐
• 英文名称: tris(trichlorosilyl)silane
• 英文别名: 1,1,1,3,3,3-hexachloro-2-(trichlorosilyl)trisilane；nonachloroisotetrasilane；Bis(trichlorosilyl)silyl-trichlorosilane；bis(trichlorosilyl)silyl-trichlorosilane
• CAS: 62257-60-7
• 化学式: Cl₉HSi₄
• 分子量: 432.427
• InChiKey: HCYGUWHMTNLDIH-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  60-62°C / 0.2

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.41
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  tris(trichlorosilyl)silane 在 盐酸 、 lithium aluminium tetrahydride 作用下， 以 苯 为溶剂， 生成 五氯二硅烷 、 三氯硅烷
  参考文献：
  名称：

  Zum aminkatalysierten Abbau von Oligochlorsilan mit HCl

  摘要：

  DOI：

  10.1007/bf00938714
• 作为产物：
  描述：

  四(三氯甲硅烷基)硅烷 在 盐酸 作用下， 以 四氯化硅 、 乙醚 为溶剂， 反应 4.0h， 以70%的产率得到tris(trichlorosilyl)silane
  参考文献：
  名称：

  TRIHYDRIDOSILYL-TERMINATED POLYSILANES AND METHODS OF PREPARATION

  摘要：

  提供了新型三氢基硅基终止的聚硅烷以及它们的合成方法，这些方法适用于其他聚硅烷。合成方法可方便地制备出具有最少的易燃中间体和副产物处理的产品。这些新型化合物至少包含三个硅-硅键和至少一个末端硅原子，其有三个氢取代基。

  公开号：

  US20120071678A1
• 作为试剂：
  描述：

  1,3-双(2,6-二异丙基苯基)咪唑-2-烯 、 1,3-双(2,6-二异丙基苯基)氯化咪唑鎓 在 tris(trichlorosilyl)silane 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 0.83h， 以89%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  弱配位的三（三氯甲硅烷基）甲硅烷基阴离子

  摘要：

  密切关注的碱稳定的dichlorosilylene复杂NHC的制备过程卜先生⋅SiCl 2由Roesky，Stalke，和同事（报道Angew。化学式诠释。埃德。2009，48，5683-5686），有少量结晶盐的[NHC卜先生-H⋅⋅⋅Cl⋅⋅⋅H-NHC卜先生]的Si硅烷（SiCl 3）3进行分离，除了所报告的副产物[NHC卜先生-H + ⋅⋅⋅Cl - ]，并且其特征在于X射线晶体学分析（NHC Dipp = N，N-二（2,6-二异丙基苯基）咪唑-2-亚基）。它们包含弱配位阴离子Si（SiCl 3）3 - ，这也是在高收率在所述共轭布朗斯台德酸在HSi硅烷（SiCl的去质子化得到的3）3与NHC卜先生或PMP（PMP = 1,2,2,6,6-五甲基）。通过DFT计算得出的HSi（SiCl 3）3的酸度明显高于其他H-硅烷的酸度。在Si上的电子结构，进一步研究DFT硅烷（SiCl 3）3

  DOI：

  10.1002/anie.201710416

文献信息

• Synthesis and Exploratory Deposition Studies of Isotetrasilane and Reactive Intermediates for Epitaxial Silicon
  作者：Barry Arkles、Youlin Pan、Fernando Jove、Jonathan Goff、Alain Kaloyeros

  DOI：10.1021/acs.inorgchem.8b02761

  日期：2019.3.4

  higher order perhydridosilane, with the purity and volume necessary for use in extensive studies of the chemical vapor deposition (CVD) of epitaxial silicon (e-Si) thin films. The chemical characteristics, thermodynamic properties, and epitaxial film growth of isotetrasilane are compared with those of other perhydridosilanes. A film-growth mechanism distinct from linear perhydridosilanes H(SiH2)nH, where

  提出了一种合成方法，用于生产异丁硅烷（一种更高阶的全氢硅烷），其纯度和体积对于外延硅（e-Si）薄膜的化学气相沉积（CVD）的广泛研究必不可少。将异四硅烷的化学特性，热力学特性和外延膜生长与其他全氢硅烷进行了比较。不同于线性全氢硅烷H（SiH 2）n H的膜生长机理，其中n≤4，据报道。总结了在500–550°C的温度下使用异丁硅烷作为源前驱体的未应变e-Si和掺有锗（Ge）和碳（C）的应变e-Si的CVD的初步发现。结果表明，在未观察到气相耗尽反应的处理条件下，双（三氢甲硅烷基）亚甲硅烷基是可能的沉积中间体。
• [EN] PARTIALLY HYDROGENATED CHLOROSILANES AND METHODS FOR PREPARING SAME BY SELECTIVE HYDROGENATION<br/>[FR] CHLOROSILANES PARTIELLEMENT HYDROGÉNÉS ET LEURS PROCÉDÉS DE PRÉPARATION PAR HYDROGÉNATION SÉLECTIVE
  申请人：EVONIK DEGUSSA GMBH

  公开号：WO2020001955A1

  公开（公告）日：2020-01-02

  The present invention relates to a method for preparing partially hydrogenated chlorosilanes by selective hydrogenation with a compound of the formula R2AIH, wherein R is a branched or cyclic hydrocarbon. The present invention further refers to partially hydrogenated chlorosilanes prepared with said method, in particular to partially hydrogenated chlorosilanes represented by the formula Cl3SiSi(SiH3)3, (Cl3Si)2Si(SiH3)2 or HSi(SiH3)2SiCI3.

  本发明涉及一种使用式为R2AIH的化合物进行选择性加氢制备部分氢化氯硅烷的方法，其中R是支链或环烃。本发明还涉及通过该方法制备的部分氢化氯硅烷，特别是由公式Cl3SiSi（SiH3）3，（Cl3Si）2Si（SiH3）2或HSi（SiH3）2SiCI3表示的部分氢化氯硅烷。
• Unusually selective synthesis of chlorohydrooligosilanes
  作者：Thomas Lainer、Roland Fischer、Mario Leypold、Michael Holthausen、Odo Wunnicke、Michael Haas、Harald Stueger

  DOI：10.1039/d0cc06506d

  日期：——

  New pathways towards molecular chlorohydrooligosilanes enable their one-pot synthesis in preparative amounts either by the selective chlorination of the corresponding perhydrosilanes with HCl/AlCl3 or by the partial hydrogenation of perchlorooligosilanes with substoichiometric amounts of iBu2AlH. The unexpected selective formation of Cl3Si-substituted species in the partial hydrogenation reactions

  通往分子式氯氢低聚硅烷的新途径，可以通过用HCl / AlCl 3选择性氯化相应的过氢硅烷，或通过用亚化学计量的iBu 2 AlH对全氯代低聚硅烷进行部分加氢，以制备量进行一锅合成。在部分氢化反应中意外地选择性形成Cl 3 Si-取代的物质可能与机理有关。
• Trihydridosilyl-terminated polysilanes and methods of preparation
  申请人：Arkles Barry C.

  公开号：US08575381B2

  公开（公告）日：2013-11-05

  Novel trihydridosilyl-terminated polysilanes and methods for their synthesis, which are applicable to other polysilanes, are provided. The synthetic methods provide for facile preparation of products with minimal handling of pyrophoric intermediates and byproducts. The novel compounds contain at least three silicon-silicon bonds and at least one terminal silicon atom having three hydrogen substituents.

  提供了新型三氢基硅基终止的多硅烷化合物及其合成方法，适用于其他多硅烷化合物。合成方法提供了容易制备的产物，最小化了难以处理的易燃中间体和副产物的处理。新型化合物含有至少三个硅-硅键和至少一个末端硅原子，具有三个氢取代基。
• TRIHYDRIDOSILYL-TERMINATED POLYSILANES AND METHODS OF PREPARATION
  申请人：ARKLES Barry C.

  公开号：US20120071678A1

  公开（公告）日：2012-03-22

  Novel trihydridosilyl-terminated polysilanes and methods for their synthesis, which are applicable to other polysilanes, are provided. The synthetic methods provide for facile preparation of products with minimal handling of pyrophoric intermediates and byproducts. The novel compounds contain at least three silicon-silicon bonds and at least one terminal silicon atom having three hydrogen substituents.

  提供了新型三氢基硅基终止的聚硅烷以及它们的合成方法，这些方法适用于其他聚硅烷。合成方法可方便地制备出具有最少的易燃中间体和副产物处理的产品。这些新型化合物至少包含三个硅-硅键和至少一个末端硅原子，其有三个氢取代基。