卤素键之间的相互作用已在分子科学的各个领域引起了越来越多的关注。在这里,我们报告了对卤素键结合的固溶体用于同时控制多功能性能的首次综合研究。一系列阴离子混合分子导体(DIE
TSe)2 MBr 4 x Cl 4(1– x) [DIE
TSe =二
碘(亚乙基二
硫代)四
硒富勒烯; M = Fe,Ga;利用DIE
TSe分子和阴离子之间的强卤素键合成了0 < x <1],而没有改变晶体结构。详细的物理性能测量(T > 0.3 K,H使用单晶(<35 T)证明了对自旋和电荷自由度的同时控制。溴含量增加x逐渐抑制归因于准一维费米表面嵌套不稳定性的金属-绝缘体转变。这表明通过增加阴离子的大小可以扩展π电子的维数,这与化学压力的典型作用相反。我们发现“负”化学压力与特征性的卤素键网络有关。Br取代还增强了Fe盐中d电子自旋的反
铁磁(AF)有序性,如Néel温度,AF相界场和饱和场所示。此外,我们仅在极低的温度