Dichlormethylen-bis-trimethylzinn | 15207-14-4

• 英文名称: Dichlormethylen-bis-trimethylzinn
• 英文别名: [dichloro(trimethylstannyl)methyl]-trimethylstannane
• CAS: 15207-14-4
• 化学式: C₇H₁₈Cl₂Sn₂
• 分子量: 410.546
• InChiKey: BWSGHGURBDLUIV-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  224.0±50.0 °C(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.92
• 重原子数：
  11.0
• 可旋转键数：
  2.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  Dichlormethylen-bis-trimethylzinn 在 正丁基锂 作用下， 以 四氢呋喃 、 乙醚 、 正戊烷 为溶剂， 生成 丁基三甲基锡(IV)
  参考文献：
  名称：

  卤甲基金属化合物：LVI。三甲基二卤甲基锂试剂

  摘要：

  通过双（三甲基锡）二氯甲烷与正丁基锂反应制备三甲基锡二氯甲基锂，通过双（三甲基锡）溴氯甲烷与正丁基锂反应制备三甲基锡溴氯甲基锂，通过三甲基（三溴甲基）锡或双（三甲基锡）二溴甲烷反应制备三甲基锡二溴甲基锂。描述了丁基丁基锂。所有这些新的锂试剂仅在低温（-95°或更低）下才在富含THF的介质中稳定。它们与三甲基氯硅烷的反应由于以下事实而变得复杂：在如此低的温度下，产物三甲基甲硅烷基（三甲基锡）二卤甲烷与锂试剂的反应性与三甲基氯硅烷相当。其他淬灭剂（如甲基碘）也会发生类似的并发症。

  DOI：

  10.1016/s0022-328x(00)82918-6
• 作为产物：
  描述：

  Dichlormethyl-trimethylstannyl-methyllithium 在 碘甲烷 作用下， 生成 Trimethyl-(1,1-dichloraethyl)-stannan 、 Dichlormethylen-bis-trimethylzinn
  参考文献：
  名称：

  卤甲基金属化合物：LVI。三甲基二卤甲基锂试剂

  摘要：

  通过双（三甲基锡）二氯甲烷与正丁基锂反应制备三甲基锡二氯甲基锂，通过双（三甲基锡）溴氯甲烷与正丁基锂反应制备三甲基锡溴氯甲基锂，通过三甲基（三溴甲基）锡或双（三甲基锡）二溴甲烷反应制备三甲基锡二溴甲基锂。描述了丁基丁基锂。所有这些新的锂试剂仅在低温（-95°或更低）下才在富含THF的介质中稳定。它们与三甲基氯硅烷的反应由于以下事实而变得复杂：在如此低的温度下，产物三甲基甲硅烷基（三甲基锡）二卤甲烷与锂试剂的反应性与三甲基氯硅烷相当。其他淬灭剂（如甲基碘）也会发生类似的并发症。

  DOI：

  10.1016/s0022-328x(00)82918-6

文献信息

• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Sn: Org.Verb.2, 1.1.2.1.3, page 31 - 41
  作者：

  DOI：——

  日期：——
• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Sn: Org.Verb.2, 1.1.2.1.5, page 47 - 52
  作者：

  DOI：——

  日期：——
• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Sn: Org.Verb.2, 1.1.2.1, page 6 - 20
  作者：

  DOI：——

  日期：——
• Novel organosilicon- and organotin-substituted polychloromethyllithium reagents: (CH3)3SiCCI2Li and (CH3)3SnCCI2Li
  作者：Dietmar Seyferth、Frank M. Armbrecht、Earle Marie Hanson

  DOI：10.1016/s0022-328x(00)83154-x

  日期：1967.12
• Shcherbakov, V. I.; Razuvaev, G. A., Zhurnal Obshchei Khimii, 1970, vol. 40, p. 2616 - 2623
  作者：Shcherbakov, V. I.、Razuvaev, G. A.

  DOI：——

  日期：——