aluminum phosphide

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: aluminum phosphide
• 英文别名: aluminium phosphide
• 化学式: AlP
• 分子量: 57.9553
• InChiKey: BELGZFLOEKOASN-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.13
• 重原子数：
  2.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  aluminum phosphide 在 H₂SO₄ 作用下， 以 硫酸 为溶剂， 生成 phosphan
  参考文献：
  名称：

  脉冲喷嘴傅里叶变换微波光谱法对H 3 P…HC 15 N的一阶斯塔克效应和电偶极矩

  摘要：

  弱束缚二聚体H 3 P…HC 15 N的J = 4←3，K = 1跃迁中的一阶Stark效应已在选择规则ΔM下通过脉冲喷嘴傅里叶变换微波光谱法进行了观察和测量。= O且ΔM =±1。对于H 3 P…HC 15 N，确定的电偶极矩μ= 4.046（47）D已解释为在二聚体形成时的增强Δμ= 0.60D。

  DOI：

  10.1016/0009-2614(84)80272-9
• 作为产物：
  描述：

  生成 aluminum phosphide
  参考文献：
  名称：

  Cowley, Alan H.; Jones, Richard A.; Mardones, Miguel A., Angewandte Chemie, 1990, vol. 102, p. 1504 - 1505

  摘要：

  DOI：

文献信息

• The rotational spectrum and structure of the phosphine-hydrogen cyanide complex
  作者：A.C. Legon、L.C. Willoughby

  DOI：10.1016/0301-0104(84)85271-4

  日期：1984.4

  The rotational spectrum of the weakly bound complex (PH3, HCN) in its vibrational ground state has been observed by the technique of pulsed-nozzle, Fourier-transform microwave spectroscopy. The isotopic species (PH3, HC14N), (PH3, DC14N) and (PH3, HC15N) exhibit spectra of the symmetric-top type from which accurate values of the spectroscopic constants B0, DJ, DJK and Xaa(14N) have been determined

  通过脉冲喷嘴，傅立叶变换微波光谱技术观察了弱结合的复合物（PH 3，HCN）在其振动基态下的旋转光谱。同位素物种（PH 3，HC 14 N），（PH 3，DC 14 N）和（PH 3，HC 15 N）表现出对称顶峰型光谱，从中可以准确地得到光谱常数B 0，D J，D JK和X aa（14 N）已确定。对于（PH 3，HC 14N）相应的值是：乙0 = 1553.3709（1）兆赫，d Ĵ = 3.306（3）千赫，d JK = 256.9（6）kHz和X AA（14 N）= -4.3591（14）兆赫。由光谱常数确定的配合物的几何形状是处于平衡状态的C 3v对称性之一，HCN分子沿PH 3的C 3轴排列并取向为与P原子形成氢键。从P到C核的有效距离为r（P⋯C）= 3.913Å。
• Gas source molecular beam epitaxy growth of short period GaP/AlP(001) superlattices
  作者：Hajime Asahi、Kumiko Asami、Tetsuya Watanabe、Soon Jae Yu、Tadaaki Kaneko、Shuichi Emura、Shun‐ichi Gonda

  DOI：10.1063/1.105207

  日期：1991.4

  Short period GaP/AlP superlattices are grown on GaP and GaAs substrates at 600 °C by gas source molecular beam epitaxy with growth interruption. Alternating monolayer growth of GaP and AlP is confirmed by the observation of the reflection high‐energy electron diffraction intensity oscillations during growth. The formation of short period superlattice structures and the zone‐folded LO phonons are observed

  短周期 GaP/AlP 超晶格在 600 °C 下通过气体源分子束外延生长在 GaP 和 GaAs 衬底上，生长中断。GaP和AlP的交替单层生长通过观察生长过程中反射高能电子衍射强度振荡得到证实。分别在 X 射线衍射摇摆曲线和拉曼光谱中观察到短周期超晶格结构的形成和区域折叠的 LO 声子。
• Organometallic chemical vapor deposition of III/V compound semiconductors with novel organometallic precursors
  作者：Alan H. Cowley、Brian L. Benac、John G. Ekerdt、Richard A. Jones、Kenneth B. Kidd、James Y. Lee、James E. Miller

  DOI：10.1021/ja00226a051

  日期：1988.8

  other bonds in the molecule such that under film growth conditions the bonds between the group III and group V elements remain intact while the other bonds are broken. The obvious way to strengthen the III-V interaction is to replace the donor-acceptor linkage by a two-center, two-electron bond. The authors initial studies have therefore focussed on the design and synthesis of organometallic molecules

  砷化镓 (GaAs) 和磷化铟 (InP) 等化合物半导体是用于制造微电子和光电器件的重要材料。已经采用了几种技术来制备这些材料的薄膜，包括有机金属化学气相沉积 (OMCVD) 和分子束外延 (MBE)。除了在这些条件下处理自燃和有毒试剂的潜在环境、安全和健康危害外，传统的 OMCVD 方法还存在化学计量控制问题、杂质掺入（特别是碳）和不需要的副反应。该问题的理想化学解决方案是使 III-V 键的强度等于或强于 分子中的其他键，使得在薄膜生长条件下，III 族和 V 族元素之间的键保持完整，而其他键被破坏。加强 III-V 相互作用的明显方法是用两个中心、两个电子的键代替供体 - 受体键。因此，作者最初的研究集中在有机金属分子的设计和合成上，这些分子在 III 族和 V 族元素之间具有 /σ/ 键合。另一个目的是通过使用易于消除烃的取代基来降低沉积温度。因此，作者最初的研究集中在有机金属分子的设计和合成上，这些分子在
• In Search of Aluminum Hexathiohypodiphosphate: Synthesis and Structures of ht-AlPS₄, lt-AlPS₄, and Al₄(P₂S₆)₃
  作者：Alexander Kuhn、Roland Eger、Pirmin Ganter、Viola Duppel、Jürgen Nuss、Bettina V. Lotsch

  DOI：10.1002/zaac.201400385

  日期：2014.11

  We report the high-pressure synthesis and the structure of aluminum hexathiohypodiphosphate, Al4(P2S6)3, along with the redetermination of the structures of two modifications of AlPS4. Al4(P2S6)3 crystallizes in the monoclinic space group C2 with a = 17.584(3), b = 10.156(2), c = 6.698(1) A, β = 106.93(1)° in a superstructure of the layered FePS3 structure type with tripled a axis. Hereby, Al3+ occupies

  我们报告了高压合成和六硫代二磷酸铝 Al4(P2S6)3 的结构，以及对 AlPS4 的两种修饰结构的重新确定。Al4(P2S6)3 在单斜空间群 C2 中结晶，a = 17.584(3), b = 10.156(2), c = 6.698(1) A, β = 106.93(1)° 在层状 FePS3 结构的超结构中带有三重轴的类型。因此，Al3+ 以有序的方式占据 Fe2+ 位点的 2/3。从单晶 X 射线衍射获得的结构模型由 TEM-PED 证实。具有片状形态的 AlPS4 的低温改性显示出四方对称性 [空间群 P2c, a = b = 5.6572(9), c = 9.220(2) A]。具有纤维针状形态的 AlPS4 的正交高温改性与 BPS4 等温 [空间群 I222, a = 5.660(2), b = 5.759(2),
• AlSiP3, a compound with a novel wurtzite-pyrite intergrowth structure
  作者：Hans Georg von Schnering、Günter Menge

  DOI：10.1016/0022-4596(79)90053-7

  日期：1979.4

  AlSiP3 is formed by heating aluminum and silicon powder with red phosphorus and adding small amounts of iodine or AlCl3. Small, black crystals with metallic lustre grow at 1200°K. The compound crystallizes in the orthorhombic space group Pmnb (No. 62) with a = 987.2 pm, b = 586.1 pm, c = 608.8 pm and four formula units. In the structure isolated P atoms as well as P2 pairs are present (PP = 218.2

  阿尔希普3通过与红磷加热铝，硅粉末和加入少量碘或氯化铝的形成3。带有金属光泽的黑色小晶体在1200°K下生长。该化合物在正交晶体空间群Pmnb（No. 62）中以a = 987.2 pm，b = 586.1 pm，c = 608.8 pm和四个公式单位结晶。在该结构中，存在孤立的P原子和P 2对（PP= 218.2 pm）。硅是四面体键合的（SiP= 224.2-228.2 pm），而铝具有八面体配位（AlP= 244.2 – 260.8 pm）。该结构可以描述为纤锌矿和黄铁矿型的共生结构。