在这项研究中,
CDIN 2小号4 / MOS 2的复合结构是通过一个简单的两步
水热合成法来制备,并且
CDIN 2小号4 / MOS 2的复合结构的样品,其特征在于X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜 (
SEM)、X 射线光电子能谱 (XPS) 和紫外-可见漫反射光谱 (UV-vis)。由于MOS 2在
CDIn 2 S 4颗粒表面的有效负载,
CDIn 2 S 4 /MOS 2的光催化性能复合材料在可见光照射下(λ = 420 nm)显着改善,表明有效抑制了光生电子空穴的复合。同时,增加了
CDIn 2 S 4的可见光响应,延长了光激发载体的寿命。摩尔含量为9%的
CDIn 2 S 4 /MOS 2 (样品2CM)复合样品催化产氢活性最高,产氢率为293 μmol h -1 g -1,是样品C的3倍以上。经过4次光催化实验循环后,光催化活性依然稳定,XRD衍射峰未出现明显偏移,为设计制备高效、高效、稳定的光催化材料。