germanium-silicon

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: germanium-silicon
• 英文别名: germane;silane
• 化学式: GeSi
• 分子量: 100.675
• InChiKey: FNIXTYYAMSJZJZ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -2.9
• 重原子数：
  2.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  germanium-silicon 在 氧气 作用下， 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 silica gel
  参考文献：
  名称：

  多晶硅锗的浮动低温射频等离子体氧化

  摘要：

  低温氧化物形成是制造用于有源矩阵液晶显示器的薄膜晶体管 (TFT) 的重要过程。然而，低温氧化物在 SiO2/多晶-SiGe 界面处容易出现缺陷。我们最近开发了一种用于多晶 SiGe (poly-SiGe) 材料的新型 rf（射频）等离子体氧化方法。多晶硅锗晶片在氧 rf 等离子体中氧化，样品电浮动。也就是说，样品电压与浮壁的鞘层电位相同，并且相对于大部分等离子体始终为负，因为电子的迁移率高于离子。晶片上的轻微负电位从等离子体中吸引低能量氧离子，因此对晶片造成的损坏低于更常用的高能电子回旋共振 (ECR) 源引起的损坏。在氧化过程中没有刻意加热，因为样品是由...

  DOI：

  10.1063/1.121834
• 作为产物：
  描述：

  硅烷 在 ⁽⁷⁴⁾Ge-ions 、 Si-ions 作用下， 生成 germanium-silicon
  参考文献：
  名称：

  GeSi合金层固相外延结晶过程中晶体-非晶界面的动力学粗糙化和平滑化

  摘要：

  在具有深度依赖的 Ge 分布的非晶 GeSi 合金层的固相外延结晶过程中研究了晶体 - 非晶界面的形态。当 Ge 浓度超过 6.6 at 时，界面显示出初始应变诱导的粗糙化转变。%。随着应变松弛材料中的结晶继续进行，界面显示出进一步粗糙或平滑以响应 Ge 分布的变化。界面形态的这种演变表明是动力学效应的结果，粗糙界面的前缘和后缘之间的速度差在 Ge 浓度增加的区域增加，而在 Ge 浓度降低的区域减少。

  DOI：

  10.1063/1.117675

文献信息

• Low‐temperature chemical vapor deposition of epitaxial Si and SiGe layers at atmospheric pressure
  作者：W. B. de Boer、D. J. Meyer

  DOI：10.1063/1.104338

  日期：1991.3.25

  the low‐temperature limit for the growth of Si and Si1−xGex epitaxial layers in an atmospheric‐pressure chemical vapor deposition (CVD) reactor, good quality material has been obtained at temperatures down to 600 °C, using SiH2Cl2 and GeH4 in H2 ambient. Si/Si1−xGex/Si heteroepitaxial structures are of good crystalline quality as well, showing abrupt interfaces. The Si‐growth rate enhancement, caused

  为了确定常压化学气相沉积 (CVD) 反应器中 Si 和 Si1-xGex 外延层生长的低温极限，使用 SiH2Cl2 在低至 600 °C 的温度下获得了优质材料和 GeH4 在 H2 环境中。Si/Si1-xGex/Si 异质外延结构也具有良好的结晶质量，显示出陡峭的界面。由在低温下向气流中添加 引起的 Si 生长速率增强，在较高温度下转变为生长速率抑制。在这个实验中，氧气和水的分压比超高真空 CVD 高几个数量级，不会造成明显的负面影响。
• Defect reduction in Ge_<i>x</i>Si_1−<i>x</i>epitaxy by rapid thermal processing chemical vapor deposition using a low‐temperature<i>in</i><i>situ</i>preclean and a Si buffer layer
  作者：K. H. Jung、T. Y. Hsieh、D. L. Kwong

  DOI：10.1063/1.104893

  日期：1991.5.27

  pressure ≊5×10−4 mbar in a rapid thermal processing chemical vapor deposition system, a 900 °C H2 prebake for 60 s results in relatively high defect densities in the GexSi1−x epitaxial layer due to surface damage caused by the H2 prebake. We have demonstrated that a very low thermal budget in situ preclean (800 °C/15 s) can reduce the defect densities. In addition, the use of a Si buffer layer grown at

  对于快速热处理化学气相沉积系统中的室底压力 ≊5×10−4 mbar，900 °C H2 预烘烤 60 秒会导致 GexSi1−x 外延层中的缺陷密度相对较高，这是由于H2 预烘烤。我们已经证明，非常低的原位预清洗热预算（800 °C/15 s）可以降低缺陷密度。此外，在 GexSi1-x 生长之前使用在 1000 °C 下生长 60 秒的 Si 缓冲层能够显着降低缺陷密度。
• Substitutional carbon reduction in SiGeC alloys grown by rapid thermal chemical vapor deposition
  作者：C. W. Liu、Y. D. Tseng、Y. S. Huang

  DOI：10.1063/1.124987

  日期：1999.10.11

  The substitutional carbon reduction in Si1−x−yGexCy strained layers, annealed at high temperatures, increases the compressive strain in the originally strain-compensated alloys. From the rocking curve simulation, the maximum amount of carbon reduction was below 0.9% for the various samples which were annealed below 1000 °C in the nitrogen flow. The interstitial silicon injection by thermal oxidation

  Si1-x-yGexCy 应变层中的置换碳还原，在高温下退火，增加了原始应变补偿合金的压缩应变。根据摇摆曲线模拟，在氮气流中在 1000 °C 以下退火的各种样品的最大碳减少量低于 0.9%。通过 Si1-x-yGexCy 层上的 Si 帽热氧化进行的填隙硅注入增强了置换碳的减少至 1.3% 的浓度。Si1-x-yGexCy 合金的氧化产生富含 Ge 的 Si1-xGex 层，其 Ge 浓度大于初始含量，并且通过傅里叶变换红外光谱观察到 3C 碳化硅沉淀的形成。
• Formation of Shallow Junctions by HCl-Based Si Etch Followed by Selective Epitaxy of B-Doped Si[sub 1−x]Ge[sub x] in RPCVD
  作者：C. Isheden、H. H. Radamson、E. Suvar、P.-E. Hellström、M. Östling

  DOI：10.1149/1.1737387

  日期：——

  Formation of shallow source/drain junctions by using HCl-based Si etch followed by selective deposition of in situ heavily B-doped SiGe in a reduced pressure chemical vapor deposition reactor is pr ...

  通过使用基于 HCl 的 Si 蚀刻形成浅源极/漏极结，然后在减压化学气相沉积反应器中选择性沉积原位重 B 掺杂的 SiGe 是...
• Kinetics of silicon‐germanium deposition by atmospheric‐pressure chemical vapor deposition
  作者：T. I. Kamins、D. J. Meyer

  DOI：10.1063/1.105986

  日期：1991.7.8

  deposition of Si1−xGex alloy layers in an atmospheric‐pressure, chemical vapor deposition reactor has been studied by separately examining the silicon and the germanium components of the deposition rate. The overall deposition rate increases approximately linearly with GeH4 partial pressure, but is relatively independent of SiH2Cl2 partial pressure. The silicon component of the deposition rate increases

  通过分别检查沉积速率的硅和锗成分，研究了在常压化学气相沉积反应器中沉积 Si1-xGex 合金层。总沉积速率随 GeH4 分压近似线性增加，但与 SiH2Cl2 分压相对无关。对于恒定的锗含量，沉积速率的硅组分随着温度的升高而迅速增加，但锗组分在约 675 °C 以上仅缓慢变化，并且可能受到质量传输的限制。