pentatantalum trisilicide

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: pentatantalum trisilicide
• 英文别名: silane;tantalum
• 化学式: Si₃Ta₅
• 分子量: 988.996
• InChiKey: ZGLMGGIVUZTXMK-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -4.37
• 重原子数：
  8.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  pentatantalum trisilicide 生成 tantalum silicide 、 硅烷
  参考文献：
  名称：

  The Dissociation Pressures of the Tantalum Silicides^1,2

  摘要：

  DOI：

  10.1021/ja01560a007
• 作为产物：
  描述：

  tantalum disilicide 在 air 作用下， 生成 pentatantalum trisilicide
  参考文献：
  名称：

  Ivanov, V. E.; Nechiporenko, E. P.; Krivoruchko, V. M., Fizika Metallov i Metallovedenie, 1964, vol. 17, # 6, p. 62 - 65

  摘要：

  DOI：

文献信息

• High Frequency Induction Heated Synthesis and Consolidation of Nanostructured TaSi<SUB>2</SUB>-WSi<SUB>2</SUB> Composite
  作者：In-Jin Shon、Hyun-Su Kang

  DOI：10.1166/jnn.2015.10422

  日期：2015.7.1

  A dense nanostructured TaSi2-WSi2 composite was simultaneously synthesized and sintered by the high frequency induction heating method within 2 minutes from mechanically activated powder of Ta, W and Si. A highly-dense TaSi2-WSi2 composite was produced under simultaneous application of a 80 MPa pressure and the induced current. The mechanical properties and microstructure were investigated.

  通过高频感应加热法，在2分钟内同时合成并烧结了由Ta、W和Si的机械活化粉末制成的致密纳米结构TaSi2-WSi2复合材料。在同时施加80MPa压力和感应电流的作用下，制备出了高致密TaSi2-WSi2复合材料。对材料的力学性能和微观结构进行了研究。
• Structure and physical properties of Cr5B3-type Ta5Si3 and Ta5Ge3
  作者：Fang Yuan、Scott Forbes、Krishna Kumar Ramachandran、Yurij Mozharivskyj

  DOI：10.1016/j.jallcom.2015.08.030

  日期：2015.11

  Abstract The Cr 5 B 3 -type Ta 5 Si 3 phase was prepared by arc-melting, while the Cr 5 B 3 -type Ta 5 Ge 3 one was synthesized through sintering at 1000 °C. X-ray single crystal diffraction was employed to elucidate their structure. According to the magnetization measurements, both Ta 5 Si 3 and Ta 5 Ge 3 are Pauli paramagnets, with Ta 5 Ge 3 showing a Currie-Weiss-like paramagnetic behavior at low

  摘要 采用电弧熔炼法制备Cr 5 B 3 型Ta 5 Si 3 相，1000℃烧结合成Cr 5 B 3 型Ta 5 Ge 3 相。X射线单晶衍射被用来阐明它们的结构。根据磁化强度测量结果，Ta 5 Si 3 和Ta 5 Ge 3 都是泡利顺磁体，其中Ta 5 Ge 3 在低温下表现出类似Currie-Weiss 的顺磁行为，这可能是由于顺磁杂质的存在。Ta 5 Si 3 和 Ta 5 Ge 3 在 2 到 300 K 之间都显示出非常低的电阻率。电阻率在 20 K 以下是恒定的，但在 20 K 以上显示出正温度系数。 使用 TB-LMTO-ASA 进行电子结构计算方法支持两相的金属特性，并表明两相中的键合得到了优化。
• Nanocrystallization of amorphous-Ta40Si14N46 diffusion barrier thin films
  作者：M. Bicker、C.-U. Pinnow、U. Geyer、S. Schneider、M. Seibt

  DOI：10.1063/1.1377626

  日期：2001.6.4

  The nanocrystallization process in thin amorphous-Ta40Si14N46 films, annealed in the range between 800 and 1000 °C for 1 h, is investigated by high-resolution transmission electron microscopy and high-angle annular dark-field and energy-dispersive x-ray analyses. At 800 °C clusters of about 2 nm in size indicate that compositional inhomogeneities have developed while the film has still remained structurally

  通过高分辨率透射电子显微镜和高角度环形暗场和能量色散 X 射线分析研究了在 800 到 1000°C 范围内退火 1 小时的薄非晶 Ta40Si14N46 薄膜的纳米结晶过程。在 800 °C 时，大小约为 2 nm 的团簇表明已形成成分不均匀性，而薄膜仍保持结构无定形。在 900 °C 下退火的样品含有高密度的 TaN 纳米颗粒，尺寸约为 2 nm，以及尺寸为 75-100 nm 且钽含量高的无定形结构。在 1000 °C 下退火后，观察到几乎完全的晶体结构，其中包含 4 nm 大小的立方 TaN 颗粒和 15 nm 大小的 Ta5Si3 晶粒。讨论了驱动这些结构变化的可能机制。
• Performance of tantalum‐silicon‐nitride diffusion barriers between copper and silicon dioxide
  作者：M. S. Angyal、Y. Shacham‐Diamand、J. S. Reid、M.‐A. Nicolet

  DOI：10.1063/1.114750

  日期：1995.10.9

  Amorphous, 10‐nm‐thick tantalum‐silicon‐nitride (TaSiN) layers were found to be effective diffusion barriers between copper and thermal silicon dioxide. The films were electrically evaluated using TaSiN/Cu/TaSiN‐oxide‐silicon capacitors and bias thermal stress (BTS) treatments; the capacitors were stressed at 300 °C with electric fields in excess of 1 MV/cm for up to 80 h. High frequency capacitance

  发现 10 nm 厚的非晶钽硅氮化物 (TaSiN) 层是铜和热二氧化硅之间的有效扩散屏障。使用 TaSiN/Cu/TaSiN-氧化物-硅电容器和偏置热应力 (BTS) 处理对薄膜进行电学评估；电容器在 300 °C 和超过 1 MV/cm 的电场下受压长达 80 小时。在室温下记录 BTS 处理前后的高频电容与电压特性。根据这些 (C-V) 曲线之间的比较，得出的结论是没有发生屏障失效。
• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Ta: MVol.B1, 15, page 250 - 265
  作者：

  DOI：——

  日期：——