platinum silicide

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: platinum silicide
• 英文别名: platinum monosilicide；Platinum;silane；platinum;silane
• 化学式: PtSi
• 分子量: 223.166
• InChiKey: PJRAPCLCRHFXNV-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.45
• 重原子数：
  2.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  platinum silicide 在 water steam 作用下， 生成 silica gel 、 铂
  参考文献：
  名称：

  Si31tracer studies of the oxidation of Si, CoSi2, and PtSi

  摘要：

  DOI：

  10.1103/physrevb.22.1885
• 作为产物：
  描述：

  铂 、 硅烷 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 platinum silicide
  参考文献：
  名称：

  稳健、可扩展的自对准硅化铂工艺

  摘要：

  开发了一种稳健、可扩展的 PtSix 工艺。该过程由单次运行中的两个连续退火步骤组成；第一个是在 N-2 中对 Si 衬底上的 Pt 薄膜进行硅化，wh ...

  DOI：

  10.1063/1.2194313

文献信息

• Electronic structure of compounds at platinum - silicon (111) interface
  作者：I. Abbati、L. Braicovich、B. De Michelis、O. Bisi、R. Rovetta

  DOI：10.1016/0038-1098(81)90725-0

  日期：1981.1

  Abstract The electronic structure of Platinum silicides produced by thin film reaction is studied using ultraviolet photoemission and Auger spectroscopy. Spectra have been taken during the various stages of Si-Pt intermixing, in order to monitor the changes in the valence band, which take place during the reaction. The experimental data are compared with semi-empirical LCAO calculations. The importance

  摘要 利用紫外光发射和俄歇光谱研究了薄膜反应制得的铂硅化物的电子结构。在 Si-Pt 混合的各个阶段拍摄了光谱，以监测反应过程中发生的价带变化。将实验数据与半经验 LCAO 计算进行比较。讨论了硅 p 和铂 d 态之间的耦合在确定化学键的基本特征方面的重要性。
• PtSi–<i>n</i>–Si Schottky‐barrier photodetectors with stable spectral responsivity in the 120–250 nm spectral range
  作者：K. Solt、H. Melchior、U. Kroth、P. Kuschnerus、V. Persch、H. Rabus、M. Richter、G. Ulm

  DOI：10.1063/1.117016

  日期：1996.12.9

  Front‐illuminated PtSi–n–Si Schottky barrier photodiodes have been developed for the ultraviolet and vacuum ultraviolet spectral range. Their spectral responsivity was determined in the 120–500 nm spectral range by use of a cryogenic electrical substitution radiometer operated with spectrally dispersed synchrotron radiation. For wavelengths below 250 nm, the spectral responsivity is about 0.03 A/W

  已经为紫外和真空紫外光谱范围开发了前照式 PtSi-n-Si 肖特基势垒光电二极管。它们的光谱响应度是在 120-500 nm 光谱范围内通过使用以光谱分散的同步加速器辐射操作的低温电替代辐射计来确定的。对于低于 250 nm 的波长，光谱响应度约为 0.03 A/W，与 GaAsP 肖特基光电二极管相当。与 GaAsP 二极管不同，新型 PtSi-n-Si 二极管具有空间均匀的响应，在长时间暴露于短波长辐射后几乎稳定。即使在波长 120 nm 下辐射 150 mJ cm-2 后，光谱响应率的相对降低仍低于 0.2%。由于这些特点，
• On the kinetics of platinum silicide formation
  作者：Erik J. Faber、Rob A. M. Wolters、Jurriaan Schmitz

  DOI：10.1063/1.3556563

  日期：2011.2.21

  In this work, the kinetics of platinum silicide formation for thin Pt films (50 nm) on monocrystalline silicon is investigated via in situ resistance measurements under isothermal (197–275 °C) conditions. For Pt2Si diffusion limited growth was observed. For PtSi formation, however, no linear relation between silicide thickness and t was found. PtSi growth over time could be described using the Avrami

  在这项工作中，通过等温 (197–275 °C) 条件下的原位电阻测量研究了单晶硅上薄 Pt 膜（50 nm）的铂硅化物形成动力学。对于 Pt2Si 扩散，观察到有限的生长。然而，对于 PtSi 形成，没有发现硅化物厚度和 t 之间的线性关系。可以使用 Avrami 关系呈现 Avrami 指数 n=1.4±0.1 来描述 PtSi 随时间的增长。此外，使用 Avrami k 值推导出有效活化能 EA=1.7±0.1 eV。这些发现对于获得明确定义的硅化物薄膜和硅化物与硅的接触非常重要。
• The Sr-poor part of the Sr–{Pd,Pt}–{Si,Ge} systems: Phase equilibria and crystal structure of ternary phases
  作者：V.V. Romaka、M. Falmbigl、A. Grytsiv、P. Rogl

  DOI：10.1016/j.jallcom.2014.08.159

  日期：2015.1

  their crystal structure was refined from X-ray powder patterns: SrPd 0.3 Si 1.7 (AlB 2 -type) and SrPd 5.9 Si 6.1 (own-type). In the Sr–Pt–Si ternary system a novel compound with AlB 2 -type was discovered (SrPt 0.3 Si 1.7 ), whereas SrPtSi 3 with the BaNiSn 3 -type was confirmed. Two more compounds were detected by EPMA, but their crystal structure remains unknown. In the Sr–Pd,Pt}–Ge systems no new

  摘要 通过电子探针微量分析 (EPMA) 和 X 射线粉末衍射 (XPD) 建立了四种三元体系中贫 Sr 部分的相关系：Sr–Pd,Pt}–Si 在 900 °C 和 Sr– Pd,Pt}-Ge 在 700 °C。在 Sr-Pd-Si 系统中，证实了硅化物 SrPdSi 3 （BaNiSn 3 型）的形成，并发现了一个小的均匀区域。此外，检测到两种新化合物，并从 X 射线粉末图案中精炼了它们的晶体结构：SrPd 0.3 Si 1.7（AlB 2 型）和 SrPd 5.9 Si 6.1（自有型）。在 Sr-Pt-Si 三元体系中，发现了一种具有 AlB 2 型的新型化合物（SrPt 0.3 Si 1.7 ），而具有 BaNiSn 3 型的 SrPtSi 3 得到了证实。EPMA 检测到另外两种化合物，但它们的晶体结构仍然未知。在 Sr-Pd,Pt}-Ge 系统中没有观察到新的化合物，但SrPdGe
• <i>I</i><i>n</i><i>s</i><i>i</i><i>t</i><i>u</i>reflectivity measurement in a rapid thermal processor for the study of platinum silicide formation
  作者：Jean‐Marie Dilhac、Christian Ganibal、Thierry Castan

  DOI：10.1063/1.102068

  日期：1989.11.20

  The reflectivity of thin‐film platinum silicide was measured by means of a helium‐neon (He‐Ne) laser when samples of platinum films deposited on top of silicon wafers were annealed in a rapid thermal processor. This processor consists of two rows of tungsten‐halogen quartz lamps placed above and below a quartz processing chamber. The thermal cycles consisted of a fast heating (about 200 °C/s), followed

  当沉积在硅晶片顶部的铂膜样品在快速热处理器中退火时，薄膜硅化铂的反射率是通过氦氖（He-Ne）激光器测量的。该处理器由放置在石英处理室上方和下方的两排卤钨石英灯组成。热循环包括快速加热（约 200 °C/s），然后是温度在 410 到 600 °C 之间的等温平台。由于铂和硅之间的反应，薄膜反射率分两个阶段下降。这种两阶段下降被认为是由于铂膜的转变，首先转变为 Pt2Si，然后转变为 PtSi。发现完成转换所需的时间量与从 JT 的工作推导出的阿伦尼乌斯定律非常一致