manganese telluride

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: manganese telluride
• 化学式: MnTe
• 分子量: 182.538
• InChiKey: FVMLUPLBIDHFDQ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.92
• 重原子数：
  2.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  manganese telluride 在 O₂ 作用下， 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 manganese ditelluride
  参考文献：
  名称：

  碲化锰的磁电性能

  摘要：

  在液氮温度和 720°C 之间的温度范围内测量了反铁磁化合物 MnTe 的磁化率的温度依赖性。分别在 37°C 和 55°C 处发现了斜率的突然变化和磁化率曲线的最大值。这些结果与 Squire 和 Serre 先前报告的观察到的 Neel 温度进行了比较。还发现高于 Neel 温度的热滞后现象，这与样品的热历史有关。结果表明，MnTe 1+ x (0≤ x ≤1) 的磁化率，其中x 是碲的过量含量，可以用具有不同磁化率的MnTe 和MnTe 2 两相来解释。作为温度的函数测量电特性，即电阻率、热电动势和霍尔电动势。发现了他们在尼尔温度下的异常行为的证据。在尼尔温度以上还发现了电阻率的大热滞后，这表明...

  DOI：

  10.1143/jpsj.11.27
• 作为产物：
  描述：

  {Mn(σ-TeCH2Ph)(tricarbonyl)(P(CH2CH3)3)2} 在 H₂ 作用下， 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 manganese telluride
  参考文献：
  名称：

  将碲插入烷基五羰基锰络合物中，这是一条方便的制备碲化锰的新途径

  摘要：

  [Mn（Ch 2 Ph）（CO）5 ]与TePEt 3之间的反应导致碲插入Mn-CH 2键中，从而产生第一个已知的单体σ键结合的烷基碲锰锰配合物[Mn（TeCH 2 Ph）（ CO）3（PEt 3）2 ] 2；2的热解生成多晶碲化锰。

  DOI：

  10.1039/c39900001293

文献信息

• The synthesis of some alkyltelluride-manganese(I) complexes, and an assessment of their suitability for MOCVD applications
  作者：Andrew P. Coleman、Ron S. Dickson、Glen B. Deacon、Gary D. Fallon、Mingzhe Ke、Katherine McGregor、Bruce O. West

  DOI：10.1016/s0277-5387(00)80261-2

  日期：1994.4

  RMn(CO)5 (R = Me, PhCH2) and TePR′3 (R′ = Me, Et) result in Te insertion accompanied by CO substitution to produce RTeMn(CO)3(PR′3)2 complexes. These complexes are formed by initial substitution to give RMn(CO)3(PR′3)2 followed by Te insertion. The crystal structure of the complex with R = PhCH2 and R′ = Et has been determined from X-ray diffraction data. Crystal data: C22H37O3P2MnTe; M = 594.0; P, a = 9

  碲不会直接插入RMn（CO）5（R = Me或PhCH 2）的MnC键中。然而，RMN（CO）之间的反应5（R = Me中，物理信道2）和特尔' 3伴随着CO取代（R'=甲基，乙基）结果在碲插入以产生RTeMn（CO）3（PR' 3）2复合体。这些配合物通过初始置换形成，得到RMN（CO）3（PR' 3）2，接着碲插入。由X射线衍射数据确定了R ＝ PhCH 2且R′＝ Et的配合物的晶体结构。晶体数据：C 22 H 37O 3 P 2 MnTe; M = 594.0；P，a = 9.263（2），b = 14.650（5），c = 20.265（7）Å，α= 91.27（3），β= 90.67（2），γ= 103.96（2）°，U = 2667.7（ 14）一种3 ; d计算值= 1.479（Ž = 4），d MEAS = 1.480（5）毫克米-3，μ=1.687毫米-1为钼ķ α辐射（λ=
• Growth of MnTe single crystals from nonstoichiometric melts by liquid encapsulation
  作者：D. Mateika

  DOI：10.1016/0022-0248(72)90544-1

  日期：1972.5

  furnace is cooled down at a rate of 0.4°C/h from 1018°C till 920°C. To prevent the peritectic reaction at 735°C the MnTe single crystal is separated from the residual melt by turning the furnace. MnTe single crystals with sizes up to 50 mm in length and 15 mm in diameter have been grown with this technique. The single crystalline character of the crystals was confirmed by Laue's back reflection method

  摘要 MnTe 单晶在石墨坩埚中由碲过量的非化学计量熔体生长而成。碲过量约 6 at% Te 将结晶温度降低到低于 MnTe 的转变点 (1026°C)。MnTe/Te 熔体上的氧化硼熔融层可防止碲蒸发。坩埚在生长期间根据加速坩埚旋转技术旋转。炉温以0.4°C/h的速度从1018°C冷却至920°C。为了防止在 735°C 下发生包晶反应，通过转动炉子将 MnTe 单晶与残余熔体分离。MnTe 单晶的长度可达 50 毫米，直径可达 15 毫米。Laue'证实了晶体的单晶特性
• Lead-free MnTe mid-temperature thermoelectric materials: facile synthesis, p-type doping and transport properties
  作者：Jinfeng Dong、Chao-Feng Wu、Jun Pei、Fu-Hua Sun、Yu Pan、Bo-Ping Zhang、Huaichao Tang、Jing-Feng Li

  DOI：10.1039/c8tc00904j

  日期：——

  MnTe has been found to exhibit good thermoelectric properties at medium temperature recently, but the electrical transport properties, especially the interaction between magnetism and carriers, are still not fully understood and the synthesis process reported is mainly composed of melting. Herein, we present a facile method combining mechanical alloying (MA) and spark plasma sintering (SPS) to fabricate

  近年来发现MnTe在中等温度下表现出良好的热电性质，但是仍未完全理解其电传输性质，尤其是磁性与载流子之间的相互作用，并且所报道的合成过程主要由熔融组成。在这里，我们提出了一种结合机械合金化（MA）和火花等离子体烧结（SPS）来制造高纯度MnTe的简便方法。钠掺杂对载流子浓度进行了很好的调整，从而产生了超过900μWm -1 K -2的高功率因数和最大ZT在873 K时，该值超过1.0。通过单抛物线能带模型分析电传输特性。此外，通过第一性原理的计算，讨论并阐明了由磁转变引起的不同电输运性质，包括载流子浓度的增加，迁移率的降低和态密度（DOS）有效质量的提高。较高的热电性能表明MnTe有潜力用作中温热电材料的有希望的候选物。
• Chemical Aspects of the Candidate Antiferromagnetic Topological Insulator MnBi₂Te₄
  作者：Alexander Zeugner、Frederik Nietschke、Anja U. B. Wolter、Sebastian Gaß、Raphael C. Vidal、Thiago R. F. Peixoto、Darius Pohl、Christine Damm、Axel Lubk、Richard Hentrich、Simon K. Moser、Celso Fornari、Chul Hee Min、Sonja Schatz、Katharina Kißner、Maximilian Ünzelmann、Martin Kaiser、Francesco Scaravaggi、Bernd Rellinghaus、Kornelius Nielsch、Christian Hess、Bernd Büchner、Friedrich Reinert、Hendrik Bentmann、Oliver Oeckler、Thomas Doert、Michael Ruck、Anna Isaeva

  DOI：10.1021/acs.chemmater.8b05017

  日期：2019.4.23

  High-quality single crystals of MnBi2Te4 are grown for the first time by slow cooling within a narrow range between the melting points of Bi2Te3 (586 °C) and MnBi2Te4 (600 °C). Single-crystal X-ray diffraction and electron microscopy reveal ubiquitous antisite defects in both cation sites and, possibly, Mn vacancies (Mn0.85(3)Bi2.10(3)Te4). Thermochemical studies complemented with high-temperature X-ray diffraction establish a limited high-temperature range of phase stability and metastability at room temperature. Nevertheless, the synthesis of MnBi2Te4 can be scaled-up as powders can be obtained at subsolidus temperatures and quenched at room temperature. Bulk samples exhibit long-range antiferromagnetic ordering below 24 K. The Mn(II) out-of-plane magnetic state is confirmed by the magnetization, X-ray photoemission, X-ray absorption, and linear dichroism measurements. The compound shows a metallic type of resistivity in the range 4.5–300 K and is an n-type conductor that reaches a thermoelectric figure of merit up to ZT = 0.17. Angle-resolved photoemission experiments show a surface state forming a gapped Dirac cone, thus strengthening MnBi2Te4 as a promising candidate for the intrinsic magnetic topological insulator, in accordance with theoretical predictions. The developed synthetic protocols enable further experimental studies of a crossover between magnetic ordering and nontrivial topology in bulk MnBi2Te4.

  首次通过在Bi2Te3（586°C）和MnBi2Te4（600°C）的熔点之间狭窄范围内的缓慢冷却，生长出高质量的MnBi2Te4单晶。单晶X射线衍射和电子显微镜揭示了阳离子位置上普遍存在的错位缺陷，可能还有Mn空位（Mn0.85(3)Bi2.10(3)Te4）。热化学研究与高温X射线衍射相结合，确定了有限的高温相稳定性和室温亚稳态范围。尽管如此，MnBi2Te4的合成可以扩大规模，因为粉末可以在亚固相温度下获得，并在室温下淬火。大块样品在低于24 K时表现出长程反铁磁有序。通过磁化、X射线光电子、X射线吸收和线性二向色性测量，证实了Mn(II)的平面外磁态。该化合物在4.5-300 K范围内表现出金属型的电阻率，是一种n型导体，其热电优值高达ZT = 0.17。角分辨光电子实验显示表面态形成了一个带隙的狄拉克锥，从而加强了MnBi2Te4作为内禀磁性拓扑绝缘体的候选材料的地位，这与理论预测一致。所开发的合成方案使得进一步研究大块MnBi2Te4中磁有序与非平凡拓扑之间的过渡成为可能。
• Magnon and spin transition contribution in heat capacity of ferromagnetic Cr-doped MnTe: Experimental evidence for a paramagnetic spin-caloritronic effect
  作者：Md Mobarak Hossain Polash、Morteza Rasoulianboroujeni、Daryoosh Vashaee

  DOI：10.1063/5.0011887

  日期：2020.7.27

  Cr-doped MnTe shows a magnon-contributed heat capacity peak at ~293K with an additional peak in the deep paramagnetic domain near 780K. Temperature-dependent magnetic susceptibility reveals that Cr-doping initially creates low-spin (LS) states Mn2+ ions into MnTe near and below TN due to a higher crystal field induced by Cr ions. Above 400K, LS Mn2+ ions start converting into high-spin (HS) Mn2+ ions. The

  我们提供了同时存在的磁振子和自旋态跃迁对铁磁 (FM) Cr 掺杂 MnTe (Tc~280K) 热容贡献的实验证据，其中磁振子热容归因于观察到的磁振子双极载流子- 拖动热电。原始的反铁磁 (AFM) MnTe 在 Neel 温度 TN~307K 附近的热容量中仅显示磁振子诱导的峰值。然而，Cr 掺杂的 MnTe 在~293K 处显示出一个磁振子贡献的热容峰值，在接近 780K 的深顺磁域中有一个额外的峰值。温度相关的磁化率表明，由于 Cr 离子诱导的更高的晶体场，Cr 掺杂最初会在 TN 附近和下方将低自旋 (LS) 状态的 Mn2+ 离子产生到 MnTe 中。高于 400K，LS Mn2+ 离子开始转化为高自旋 (HS) Mn2+ 离子。Mn2+ 的 LS 到 HS 转变导致系统中的过量熵和因此过量的热容量贡献。温度相关 X 射线衍射 (XRD) 和磁场相关磁化率 (MH) 分别证实不存在任何结构变化和磁极化子。XRD