nickel germanide | 12519-33-4

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: nickel germanide
• 英文别名: Germane--nickel (3/5)；germane;nickel
• CAS: 12519-33-4
• 化学式: Ge₃Ni₅
• 分子量: 511.22
• InChiKey: NCTFYVYZQHUSMU-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -4.37
• 重原子数：
  8
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  、 nickel germanide 以 melt 为溶剂， 反应 96.0h， 生成
  参考文献：
  名称：

  MnCoSi 基材料体系中的磁结构转变和磁热效应

  摘要：

  摘要 研究了 MnCoSi 基材料系统的磁性和结构转变。MnCoSi 具有双螺旋磁构型，并在 1165 K 附近经历正交相和六方相之间的结构转变，而顺磁体 Ni5Ge3 具有稳定的六方结构。通过将 MnCoSi 与 Ni5Ge3 化学合金化，在接近室温的情况下获得了铁磁态和顺磁态之间发生的磁结构转变，这种转变可以由磁场感应。在 (MnCoSi)0.86(Ni5Ge3)0.14 中，在 5 T 场下观察到相对较大的磁熵变 (-21 J/kg K)。

  DOI：

  10.1016/j.jallcom.2017.11.204
• 作为产物：
  描述：

  锗烷 、 镍 以 melt 为溶剂， 反应 240.0h， 生成 nickel germanide
  参考文献：
  名称：

  Ho-Ni-Ge系统：等温截面和新的稀土镍锗化物

  摘要：

  通过X射线衍射和微探针分析研究了Ho-Ni-Ge系统在1070 K和高达60 at％Ho的情况下的情况。除了八种已知化合物外，HoNi 5 Ge 3（YNi 5 Si 3型），HoNi 2 Ge 2（CeAl 2 Ga 2型），Ho 2 NiGe 6（Ce 2 CuGe 6型），HoNiGe 3（SmNiGe 3）型），HoNi 0.2÷0.6 Ge 2（CeNiSi 2型），Ho 37÷34 Ni 6÷24 Ge 57÷42（AlB 2型），HoNiGe（TiNiSi型），Ho 3 NiGe 2（La 3 NiGe 2型），三元体系包含四个新化合物：Ho 3 Ni 11 Ge 4（Sc 3 Ni 11 Ge 4型），HoNi 3 Ge 2（ErNi 3 Ge 2型），Ho 3 Ni 2 Ge 3（Hf 3 Ni 2 Si 3型）和〜Ho 5 Ni 2 Ge 3（结构未知）。Ho 2 Ni

  DOI：

  10.1016/j.jssc.2014.12.025

文献信息

• The Ho–Ni–Ge system: Isothermal section and new rare-earth nickel germanides
  作者：A.V. Morozkin、A.V. Knotko、V.O. Yapaskurt、Fang Yuan、Y. Mozharivskyj、M. Pani、A. Provino、P. Manfrinetti

  DOI：10.1016/j.jssc.2014.12.025

  日期：2015.5

  other binary compounds in the Ho–Ni–Ge system. Based on the magnetization measurements, the HoNi5Ge3, HoNi3Ge2 and Ho3Ni11Ge4 (and isostructural Tb, Dy}3Ni11Ge4) compounds have been found to show paramagnetic behavior down to 5 K, whereas Ho3Ni2Ge3 exhibits an antiferromagnetic transition at ~7 K. Additionally, the crystal structure of the new isostructural phases Y, Yb}Ni3Ge2 (ErNi3Ge2-type), Er3Ni11Ge4

  通过X射线衍射和微探针分析研究了Ho-Ni-Ge系统在1070 K和高达60 at％Ho的情况下的情况。除了八种已知化合物外，HoNi 5 Ge 3（YNi 5 Si 3型），HoNi 2 Ge 2（CeAl 2 Ga 2型），Ho 2 NiGe 6（Ce 2 CuGe 6型），HoNiGe 3（SmNiGe 3）型），HoNi 0.2÷0.6 Ge 2（CeNiSi 2型），Ho 37÷34 Ni 6÷24 Ge 57÷42（AlB 2型），HoNiGe（TiNiSi型），Ho 3 NiGe 2（La 3 NiGe 2型），三元体系包含四个新化合物：Ho 3 Ni 11 Ge 4（Sc 3 Ni 11 Ge 4型），HoNi 3 Ge 2（ErNi 3 Ge 2型），Ho 3 Ni 2 Ge 3（Hf 3 Ni 2 Si 3型）和〜Ho 5 Ni 2 Ge 3（结构未知）。Ho 2 Ni
• Simultaneous growth of Ni5Ge3 and NiGe by reaction of Ni film with Ge
  作者：F. Nemouchi、D. Mangelinck、C. Bergman、G. Clugnet、P. Gas、J. L. Lábár

  DOI：10.1063/1.2358189

  日期：2006.9.25

  The reaction between nanometric Ni films and Ge is analyzed using isothermal x-ray diffraction measurements and transmission electron microscopy. It is found that NiGe is formed during deposition at room temperature. The metal rich phase that grows during heat treatment has been clearly identified to be Ni5Ge3. The simultaneous growths of Ni5Ge3 and NiGe have been observed on amorphous and polycrystalline

  使用等温 X 射线衍射测量和透射电子显微镜分析纳米 Ni 膜和 Ge 之间的反应。发现在室温下沉积期间形成NiGe。在热处理过程中生长的富金属相已被明确确定为 Ni5Ge3。在非晶和多晶锗上观察到 Ni5Ge3 和 NiGe 同时生长。这与薄膜中报道的通常顺序生长形成对比。
• Daeyr, Andre; Feschotte, Pierre, Journal of the Less-Common Metals, 1980, vol. 72, p. 51 - 70
  作者：Daeyr, Andre、Feschotte, Pierre

  DOI：——

  日期：——
• Order-disorder morphologies in rapidly solidified ε/ε′-Ni5Ge3 intermetallic
  作者：Nafisul Haque、Robert F. Cochrane、Andrew M. Mullis

  DOI：10.1016/j.jallcom.2017.12.253

  日期：2018.3

  Congruently melting, single-phase Ni5Ge3 (T-m = 1185 degrees C) has been rapidly solidified via drop-tube processing wherein powders, with diameters between 850 - 53 mu m, are produced. At low cooling rates (850-150 mm diameter particles, 700-7800 K s(-1)) the dominant solidification morphology, revealed after etching, is that of isolated plate & lath microstructure in an otherwise featureless matrix. At higher cooling rates (150-53 mm diameter particles, 7800-42000 K s(-1)) the dominant solidification morphology is that of isolated faceted hexagonal crystallites, again imbedded within a featureless matrix. Selected area diffraction analysis in the TEM reveals the plate & lath, and isolated hexagonal crystallites, are a disordered variant of epsilon-Ni5Ge3, whilst the featureless matrix is the ordered variant of the same compound. Thermal analysis and in situ heating in the TEM indicate a reversible solid-state order-disorder transformation between 470 - 485 degrees C. (C) 2017 Elsevier B.V. All rights reserved.
• Presence of έ and ε crystal structures in rapidly solidified intermetallic compound Ni5Ge3
  作者：Nafisul Haque、Oluwatoyin Enitan Jegede、Andrew M. Mullis

  DOI：10.1016/j.jallcom.2021.161465

  日期：2021.12

  form. Partial plate & lath has a very different EBSD to the plate & lath structure. Histogram of the correlated grain orientation angle distribution across grain orientation in partial plate & lath microstructure sample from the > 850 μm fraction showing random grain orientation. However, grain orientation in plate & lath structure from 300 – 212 μm fraction displaying the distribution predominance of

  一致熔化的单相金属间化合物 Ni 5 Ge 3已经通过滴管处理进行快速固化，其中生产直径在 850 至 150 微米之间的粉末。在低冷却速率下（> 850 μm 直径颗粒，< 700  K  s -1）蚀刻后显示的主要凝固形态是在其他无特征的基体中部分板和板条微观结构的形态。在稍高的冷却速率下（850 – 150 μm 直径的颗粒，700 – 7800  K  s -1）观察到完整的板条和板条微观结构，再次嵌入无特征的基体中。TEM 中的选区衍射分析表明，部分板条和板条是 έ-Ni 的无序形式5 Ge 3在有序（双超晶格）形式的矩阵中。部分板条与板条结构具有非常不同的 EBSD。来自 > 850 μm 部分的部分板条和板条微观结构样品中晶粒取向的相关晶粒取向角分布的直方图，显示随机晶粒取向。然而，板条和板条结构中的晶粒取向从 300 - 212 μm 部分显示出低角度晶界的分布优势。