dicalcium silicide

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: dicalcium silicide
• 英文别名: calcium silicide
• 化学式: Ca₂Si
• 分子量: 108.242
• InChiKey: NOENIBNLYSSREJ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -3.28
• 重原子数：
  3.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  dicalcium silicide 在 H₂O 作用下， 以 盐酸 为溶剂， 生成 aqueous silica
  参考文献：
  名称：

  Louis, V.; Franck, H. H., Zeitschrift fur anorganische Chemie, 1939, vol. 242, p. 117 - 127

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  calcium 、 硅烷 以 melt 为溶剂， 生成 dicalcium silicide
  参考文献：
  名称：

  Ca-Si系统中间相的热力学稳定性

  摘要：

  摘要 用克努森渗出质谱法和真空微量天平技术研究了钙-硅二元体系中的汽化热力学。已经测量了成分范围为 20-75at.% Si 的两相区域内 Ca(g) 的平衡分压，并且根据测量的蒸气压的温度依赖性确定了适当汽化反应的标准焓变。标准反应焓变化也通过第三定律方法使用压力数据结合估计的吉布斯能量函数进行评估。硅化钙的标准形成焓来自室温下的标准反应焓值。ΔfH°298 获得的结果如下：Ca2Si=-56.1±3.1，Ca5Si3=-55.3±3.5，CaSi=-49.6±2.2，Ca3Si4=-40。6±1.5，Ca14Si19=-44.4±2.3，CaSi2=-37.8±1.6，均以 kJ/mol 原子计。Ca2Si、CaSi 和 CaSi2 的结果可以与之前的测量结果进行比较，所有其他结果都是第一次确定。

  DOI：

  10.1016/s0925-8388(00)01381-5

文献信息

• Inverse Perovskite Oxysilicides and Oxygermanides as Candidates for Nontoxic Infrared Semiconductor and Their Chemical Bonding Nature
  作者：Naoki Ohashi、David Mora-Fonz、Shigeki Otani、Takeshi Ohgaki、Masashi Miyakawa、Alexander Shluger

  DOI：10.1021/acs.inorgchem.0c02897

  日期：2020.12.21

  have synthesized inverse-perovskite-type oxysilicides and oxygermanides represented by R3SiO and R3GeO (R = Ca and Sr) and studied their characteristics in the search for nontoxic narrow band gap semiconductors. These compounds exhibit a sharp absorption edge around 0.9 eV and a luminescence peak in the same energy range. These results indicate that the obtained materials have a direct-band electronic

  我们已经合成了以R 3 SiO和R 3 GeO（R = Ca和Sr）为代表的反钙钛矿型氧化硅化物和氧化锗化物，并研究了它们在寻找无毒窄带隙半导体中的特性。在相同的能量范围内，这些化合物在0.9 eV附近显示出尖锐的吸收边缘，并具有发光峰。这些结果表明，所获得的材料具有直接带电子结构，这已通过混合DFT计算得到了证实。这些材料由地球上丰富的无毒元素制成，并具有相对较轻的电子/空穴有效质量，是红外范围内无毒光电设备的强力候选者。
• [EN] PROCESS FOR THE PRODUCTION OF SILANE PRODUCTS FROM CALCIUM SILICIDE<br/>[FR] PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE PRODUITS SILANES À PARTIR DE SILICIURE DE CALCIUM
  申请人：DOW CORNING

  公开号：WO2014172034A1

  公开（公告）日：2014-10-23

  A process for preparing a reaction product including a silane product includes step (i), (ii), and (iii). Step (i) is contacting an organohalide with a calcium silicide at a temperature from 300 °C to 700 °C to form the reaction product including a spent reactant and the silane product. The silane product has formula RmHnSiX(4-m-n), where each R is independently a monovalent organic group, each X is independently a halogen atom; subscript m is 0 to 4; subscript n is 0 to 2; and a quantity (m + n) is 0 to 4. Step (ii) is contacting, at a temperature from 200 °C to 1400 °C, the spent reactant with a silane of formula HaRbSiX(4-a-b), where subscript a is 0 to 4, subscript b is 0 or 1, a quantity (a + b) ≤ 4. The silane of formula HaRbSiX(4-a-b) is distinct from the silane product of formula RmHnSiX(4-m-n). When the quantity (a + b) < 4, then step (ii) further includes contacting the spent reactant with H2; thereby forming a reactant. Step (iii) is contacting the reactant formed in step (ii) with an additional organohalide at a temperature from 300 °C to 700 °C to form an additional silane product of formula RmHnSiX(4-m-n). Steps (ii) and (iii) are performed separately and consecutively after step (i).

  一种制备包括硅烷产物的反应产物的过程包括步骤(i)、(ii)和(iii)。步骤(i)是将有机卤化物与硅化钙在300°C至700°C的温度下接触，形成包括已用反应物和硅烷产物的反应产物。硅烷产物的化学式为RmHnSiX(4-m-n)，其中每个R都是独立的一价有机基团，每个X都是独立的卤素原子；下标m为0至4；下标n为0至2；数量(m + n)为0至4。步骤(ii)是在200°C至1400°C的温度下，将已用反应物与化学式为HaRbSiX(4-a-b)的硅烷接触，其中下标a为0至4，下标b为0或1，数量(a + b)≤4。化学式为HaRbSiX(4-a-b)的硅烷与化学式为RmHnSiX(4-m-n)的硅烷产物不同。当数量(a + b) < 4时，步骤(ii)进一步包括将已用反应物与H2接触；从而形成一个反应物。步骤(iii)是将在步骤(ii)中形成的反应物与额外的有机卤化物在300°C至700°C的温度下接触，形成化学式为RmHnSiX(4-m-n)的额外硅烷产物。步骤(ii)和(iii)在步骤(i)之后分别连续进行。
• Pseudogap Control of Physical and Chemical Properties in CeFeSi-Type Intermetallics
  作者：Jiazhen Wu、Erdong Lu、Jiang Li、Yangfan Lu、Masaaki Kitano、Daniel C. Fredrickson、Takeshi Inoshita、Hideo Hosono

  DOI：10.1021/acs.inorgchem.8b03539

  日期：2019.2.18

  We describe the synthesis of the new ternary compound CaRuSi whose chemical and physical properties help draw a clear picture of how electronic structure controls the behavior of an isostructural series of intermetallics. DFT calculations reveal that an electronic pseudogap arises near the Fermi level (EF), corresponding to 14 valence electrons per RuSi unit. The closed-shell-like character is further

  我们描述了新的三元化合物CaRuSi的合成，该化合物的化学和物理性质有助于清楚地了解电子结构如何控制金属间化合物的同构系列的行为。DFT计算表明，在费米能级（E F）附近会出现一个电子假能隙，相当于每个RuSi单元14个价电子。通过与CaCoSi（15个电子）的电子结构（其中E F位于相应的拟能隙之上）及其氢化物CaCoSiH（其中H阴离子的形成恢复了14位电子数）的比较，进一步研究了闭壳状特征。金属亚晶格，返回E F伪间隙。用反向近似分子轨道分析法解释了14电子假间隙的化学起源。在这里，伪间隙显示出与配位化学的d 8方形平面络合物等位的Ru 16电子构型的填充相符（但其中Ru原子之间共价共有4个电子对，因此仅需要12个电子），并且占用硅孤对（2个电子）。实验上，通过热容测量证实了伪间隙，这表明14电子体系CaRuSi和CaCoSiH在E F处均表现出较小的电子态密度。比15电子系统CaCoSi
• Structure and hydrogenation properties of the ternary alloys Ca2−xMgxSi (0≤x≤1)
  作者：Hui Wu、Wei Zhou、Terrence J. Udovic、John J. Rush

  DOI：10.1016/j.jallcom.2007.01.018

  日期：2007.10

  Partially Mg-substituted Ca 2 Si alloys (Ca 2-x Mg x Si, 0 ≤ x ≤ 1) were synthesized via high-temperature evacuation of CaH 2 /MgH 2 /Si ball-milled mixtures. Neutron diffraction refinements showed that Ca 2-x Mg x Si (0

  部分 Mg 取代的 Ca 2 Si 合金（Ca 2-x Mg x Si，0 ≤ x ≤ 1）是通过 CaH 2 /MgH 2 /Si 球磨混合物的高温抽真空合成的。中子衍射细化表明 Ca 2-x Mg x Si (0
• Many-body effects at the Si<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mi>L</mml:mi></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math>,<i>3</i>VV Auger line shape: The case of Ca silicides
  作者：Massimo Sancrotti、Ivano Abbati、Lucia Calliari、Fabio Marchetti、O. Bisi、A. Iandelli、G. L. Olcese、A. Palenzona

  DOI：10.1103/physrevb.37.4805

  日期：——