gadolinium bismuthide

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: gadolinium bismuthide
• 英文别名: bismuthane;gadolinium
• 化学式: BiGd
• 分子量: 366.23
• InChiKey: CLASMSWUNNJELZ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.18
• 重原子数：
  2.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  gadolinium(III) oxide 、 gadolinium bismuthide 、 calcium oxide 1225.0 ℃ 、0.13 Pa 条件下， 反应 18.0h， 生成
  参考文献：
  名称：

  研究 Ca2RE7Pn5O5 系列（RE=Pr、Sm、Gd、Dy；Pn=Sb、Bi）的传输特性和组成

  摘要：

  摘要 在 1225–1300 °C 的高温反应下成功制备了 Ca2RE7Pn5O5 相（RE=Pr、Sm、Gd、Dy；Pn=Sb、Bi）。除了 Ca/RE 混合外，这些相保持与母体 RE9Pn5O5 相相同的结构类型。这些相的研究和制备的动机是希望将母体 RE9Pn5O5 相的金属类型特性转移到更适合热电应用的水平。对纯大块样品进行的电阻率测量表明所有相都是窄带隙半导体或半金属，支持 Ca2RE7Pn5O5 组合物的电荷平衡电子计数。不幸的是，所有样品的电阻都太大，无法用作热电材料。

  DOI：

  10.1016/j.jssc.2016.04.015
• 作为产物：
  描述：

  氢化钆 、 氢化铋 235.0~850.0 ℃ 、0.13 Pa 条件下， 反应 72.0h， 生成 gadolinium bismuthide
  参考文献：
  名称：

  研究 Ca2RE7Pn5O5 系列（RE=Pr、Sm、Gd、Dy；Pn=Sb、Bi）的传输特性和组成

  摘要：

  摘要 在 1225–1300 °C 的高温反应下成功制备了 Ca2RE7Pn5O5 相（RE=Pr、Sm、Gd、Dy；Pn=Sb、Bi）。除了 Ca/RE 混合外，这些相保持与母体 RE9Pn5O5 相相同的结构类型。这些相的研究和制备的动机是希望将母体 RE9Pn5O5 相的金属类型特性转移到更适合热电应用的水平。对纯大块样品进行的电阻率测量表明所有相都是窄带隙半导体或半金属，支持 Ca2RE7Pn5O5 组合物的电荷平衡电子计数。不幸的是，所有样品的电阻都太大，无法用作热电材料。

  DOI：

  10.1016/j.jssc.2016.04.015

文献信息

• Yet again, new compounds found in systems with known binary phase diagrams. Synthesis, crystal and electronic structure of Nd₃Bi₇and Sm₃Bi₇
  作者：Alexander Ovchinnikov、Julien P. A. Makongo、Svilen Bobev

  DOI：10.1039/c8cc02563k

  日期：——

  The binary bismuthides Nd3Bi7 and Sm3Bi7 were synthesized and structurally characterized for the first time. The results from the calorimetric analysis show that both compounds are stable only up to about 500 °C, which may explain why they were overlooked during the original assessment of the corresponding phase diagrams.

  首次合成了二元铋化物Nd 3 Bi 7和Sm 3 Bi 7。量热分析的结果表明，这两种化合物仅在约500°C的温度下才稳定，这可以解释为什么在最初评估相应相图时忽略了它们。
• Marazza, Rinaldo; Rossi, Daniela; Ferro, Riccardo, Gazzetta Chimica Italiana, 1980, vol. 110, p. 357 - 360
  作者：Marazza, Rinaldo、Rossi, Daniela、Ferro, Riccardo

  DOI：——

  日期：——
• Electrical transport properties of semimetallic Gd<i>X</i>single crystals (<i>X</i>=P, As, Sb, and Bi)
  作者：D. X. Li、Y. Haga、H. Shida、T. Suzuki、Y. S. Kwon

  DOI：10.1103/physrevb.54.10483

  日期：——

  The large single crystals of stoichiometric and nonstoichiometric Gd monopnictides GdX (X=P, As, Sb, and Bi) are grown by the mineralization method (for X=P and As) and Bridgman method (for X=Sb and Bi). A systematic investigation of the transport properties of GdX single crystals is presented. We report on measurements of the electric resistivity rho(T), magnetoresistance rho(H), and Hall effect performed on the stoichiometric and nonstoichiometric samples at temperatures between 1.6 and 300 K in magnetic fields up to 10 T. The stoichiometric samples behaved as the well-compensated semimetals that order antiferromagnetically at Neel temperatures T-N=15.9 K for GdP, 18.7 K for GdAs, 23.4 K for GdSb, and 25.8 K for GdBi. The transverse magnetoresistance measured at low temperature follows a rho(H)proportional to H-2 law, and a larger positive ratio MRR=[rho(H)-rho(0)]/rho(0) is observed at 10 T for the four stoichiometric samples. The temperature dependence of the resistivity can be explained by the d-f Coulomb exchange interaction at lower temperatures. The Hall-effect measurements yield a carrier concentration n=2.1x10(20) cm(-3) for GdAs and n=4.2x10(20) cm(-3) for GdSb, which are in a good agreement with the de Haas-van Alphen effect measurements. The nonstoichiometric samples showed some anomalies that could be explained qualitatively by the model of trapped magnetic polaron.