四(三氯甲硅烷基)硅烷 | 50350-62-4

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 类金属盐
• 中文名称: 四(三氯甲硅烷基)硅烷
• 英文名称: dodecachloroneopentasilane
• 英文别名: Tetrakis(trichlorosilyl)silane；tetrakis(trichlorosilyl)silane
• CAS: 50350-62-4
• 化学式: Cl₁₂Si₅
• 分子量: 565.864
• InChiKey: HTCXJJZPNJOAGE-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  >300°C dec.
• 沸点：
  190°C / 15 sub.

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  6.37
• 重原子数：
  17
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  四(三氯甲硅烷基)硅烷 在 盐酸 作用下， 以 四氯化硅 、 乙醚 为溶剂， 反应 4.0h， 以70%的产率得到tris(trichlorosilyl)silane
  参考文献：
  名称：

  TRIHYDRIDOSILYL-TERMINATED POLYSILANES AND METHODS OF PREPARATION

  摘要：

  提供了新型三氢基硅基终止的聚硅烷以及它们的合成方法，这些方法适用于其他聚硅烷。合成方法可方便地制备出具有最少的易燃中间体和副产物处理的产品。这些新型化合物至少包含三个硅-硅键和至少一个末端硅原子，其有三个氢取代基。

  公开号：

  US20120071678A1
• 作为产物：
  描述：

  六氯乙硅烷 在 吡啶 作用下， 以73%的产率得到四(三氯甲硅烷基)硅烷
  参考文献：
  名称：

  液体发火氢化硅烷的合成和分子结构。

  摘要：

  丙硅烷、异四硅烷、新戊硅烷和环己硅烷已以克级制备。这些自燃液体在衍射仪上的密封毛细管中进行原位冷冻结晶，可以了解这些化合物的单晶结构。讨论了结构参数，并将其与文献中的气相电子衍射结构以及量子化学计算的结果进行了比较。与相应的烷烃相比，硅烷的堆积指数明显更高。紫外光（365 nm）辐射和平行ESR（EPR）测量表明，环己硅烷很容易分裂成自由基，从而导致支化和链状低聚物的形成。其他化合物在这些条件下不形成自由基。所有四种化合物的核磁共振谱均已记录。

  DOI：

  10.1002/open.202000152
• 作为试剂：
  描述：

  四乙基氯化铵 在 四(三氯甲硅烷基)硅烷 作用下， 以 二氯甲烷-D2 为溶剂， 反应 1.0h， 以87%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  三（三氯甲硅烷基）对苯二甲酸内酯阴离子及其给体质量的比较研究

  摘要：

  Trichlorosilylated tetrelides [（CL 3 Si）的3 E] -已经通过加入可溶性的Cl 1个当量制备-盐（CL 3 Si）的4的Si（E = Si）或4的Si 2氯6 / GeCl 4（E =葛）。为了评估其供体质量，已将阴离子[（Cl 3 Si）3 E] -（E = C，Si，Ge）分别用BCl 3，AlCl 3和GaCl 3处理。BCl 3和GaCl 3均与阴离子中心产生1：1的加合物。氯化铝3所导致氯-从[（Cl 3 Si）3 E] -析出并形成（Cl 3 Si）4 E（E = Si或Ge）。通过使用Li [AlH 4 ]将（Cl 3 Si）4 Ge干净地转化为过氢化的（H 3 Si）4 Ge 。的Cl另一种情况-观察到[（CL抽象3 Si）的3锗⋅的GaCl 3 ] - ，其与发生反应的GaCl 3，得到中性二聚物[（CL 3 Si）的3 Ge的的GaCl

  DOI：

  10.1002/chem.201806298

文献信息

• Interactions of chloromethyldisilanes with tetrakis(dimethylamino)ethylene (TDAE), formation of [TDAE]+ [Si3Me2Cl7]−
  作者：C Knopf、U Herzog、G Roewer、E Brendler、G Rheinwald、H Lang

  DOI：10.1016/s0022-328x(02)01856-9

  日期：2002.11

  alkene tetrakis-(dimethylamino)-ethylene (TDAE) in n-hexane as well as in polar solvents. While 1 gave no reaction at all, 3 underwent a disproportionation reaction into SiCl4 and Si(SiCl3)4. Also 2 and mixtures of 2 and 4 were disproportionated into MeSiCl3 (2a) and methylchlorooligosilanes. Additionally a crystalline mixture of Si3Me3Cl6·TDAE (5a) plus Si3Me2Cl7·TDAE (5b) was obtained by reaction of

  所述chlorodisilanes SiClMe 2 SiClMe 2（1），的SiCl 2 MeSiCl 2我（2），的SiCl 3 SiCl 3（3为1:1的混合物）和一个9 2和的SiCl 3 SiCl 2我（4）反应与富电子烯烃四- （二甲基氨基） -乙烯（TDAE）在ñ -己烷以及在极性溶剂中。尽管1没有反应，但3发生了歧化反应，形成SiCl 4和Si（SiCl 3）4。同样，2以及2和4的混合物也歧化为MeSiCl 3（2a）和甲基氯代低聚硅烷。另外Si的结晶混合物3我3氯6 ·TDAE（图5a）加上的Si 3我2氯7 ·TDAE（图5b为1:1的混合物用9的反应获得）2和4与TDAE在Ñ己烷以及如在1,2-二甲氧基乙烷中。2与TDAE在乙腈（MeCN）中的反应导致[TDAE] Cl的晶体沉淀除MeSiCl 3和甲基氯代低聚硅烷外，还包括2 ·MeCN（6 ·MeCN）。通过X射线晶体学测定5b和6
• Branched Hydrosilane Oligomers as Ideal Precursors for Liquid-Based Silicon-Film Deposition
  作者：Michael Haas、Viktor Christopoulos、Judith Radebner、Michael Holthausen、Thomas Lainer、Lukas Schuh、Harald Fitzek、Gerald Kothleitner、Ana Torvisco、Roland Fischer、Odo Wunnicke、Harald Stueger

  DOI：10.1002/anie.201707525

  日期：2017.11.6

  Proton‐coupled 29Si NMR spectroscopy and single‐crystal X‐ray crystallography enabled unequivocal structural assignment. Owing to their unique properties, which are reflected in their nonpyrophoric character on contact with air and their enhanced light absorption above 250 nm, 3 and 4 are valuable precursors for liquid‐phase deposition (LPD) and the processing of thin silicon films. Amorphous silicon (a‐Si:H) films

  本文提出了一种方便的合成方法，以克为单位获得2,2,3,3-四甲硅烷基四硅烷3和2,2,3,3,3,4,4-六甲硅烷基五硅烷4。质子耦合的29 Si NMR光谱和单晶X射线晶体学使得结构明确。由于其独特的性能，反映在与空气接触时的非发火特性和250 nm以上的增强的光吸收性能，使3和4成为液相沉积（LPD）和处理硅薄膜的宝贵前体。从3开始沉积高质量的非晶硅（a-Si：H）膜 并通过电导率测量，椭偏，光学显微镜和拉曼光谱进行表征。
• Synthesis and Exploratory Deposition Studies of Isotetrasilane and Reactive Intermediates for Epitaxial Silicon
  作者：Barry Arkles、Youlin Pan、Fernando Jove、Jonathan Goff、Alain Kaloyeros

  DOI：10.1021/acs.inorgchem.8b02761

  日期：2019.3.4

  higher order perhydridosilane, with the purity and volume necessary for use in extensive studies of the chemical vapor deposition (CVD) of epitaxial silicon (e-Si) thin films. The chemical characteristics, thermodynamic properties, and epitaxial film growth of isotetrasilane are compared with those of other perhydridosilanes. A film-growth mechanism distinct from linear perhydridosilanes H(SiH2)nH, where

  提出了一种合成方法，用于生产异丁硅烷（一种更高阶的全氢硅烷），其纯度和体积对于外延硅（e-Si）薄膜的化学气相沉积（CVD）的广泛研究必不可少。将异四硅烷的化学特性，热力学特性和外延膜生长与其他全氢硅烷进行了比较。不同于线性全氢硅烷H（SiH 2）n H的膜生长机理，其中n≤4，据报道。总结了在500–550°C的温度下使用异丁硅烷作为源前驱体的未应变e-Si和掺有锗（Ge）和碳（C）的应变e-Si的CVD的初步发现。结果表明，在未观察到气相耗尽反应的处理条件下，双（三氢甲硅烷基）亚甲硅烷基是可能的沉积中间体。
• [EN] PARTIALLY HYDROGENATED CHLOROSILANES AND METHODS FOR PREPARING SAME BY SELECTIVE HYDROGENATION<br/>[FR] CHLOROSILANES PARTIELLEMENT HYDROGÉNÉS ET LEURS PROCÉDÉS DE PRÉPARATION PAR HYDROGÉNATION SÉLECTIVE
  申请人：EVONIK DEGUSSA GMBH

  公开号：WO2020001955A1

  公开（公告）日：2020-01-02

  The present invention relates to a method for preparing partially hydrogenated chlorosilanes by selective hydrogenation with a compound of the formula R2AIH, wherein R is a branched or cyclic hydrocarbon. The present invention further refers to partially hydrogenated chlorosilanes prepared with said method, in particular to partially hydrogenated chlorosilanes represented by the formula Cl3SiSi(SiH3)3, (Cl3Si)2Si(SiH3)2 or HSi(SiH3)2SiCI3.

  本发明涉及一种使用式为R2AIH的化合物进行选择性加氢制备部分氢化氯硅烷的方法，其中R是支链或环烃。本发明还涉及通过该方法制备的部分氢化氯硅烷，特别是由公式 Si（SiH3）3，（Cl3Si）2Si（SiH3）2或HSi（SiH3）2SiCI3表示的部分氢化氯硅烷。
• The Weakly Coordinating Tris(trichlorosilyl)silyl Anion
  作者：Marian Olaru、Maxie F. Hesse、Elena Rychagova、Sergey Ketkov、Stefan Mebs、Jens Beckmann

  DOI：10.1002/anie.201710416

  日期：2017.12.22

  dichlorosilylene complex NHCDipp⋅SiCl2 reported by Roesky, Stalke, and co‐workers (Angew. Chem. Int. Ed. 2009, 48, 5683–5686), a few crystals of the salt [NHCDipp−H⋅⋅⋅Cl⋅⋅⋅H−NHCDipp]Si(SiCl3)3 were isolated, aside from the reported byproduct [NHCDipp−H+⋅⋅⋅Cl−], and characterized by X‐ray crystallography (NHCDipp=N,N‐di(2,6‐diisopropylphenyl)imidazo‐2‐ylidene). They contain the weakly coordinating anion Si(SiCl3)3−

  密切关注的碱稳定的dichlorosilylene复杂NHC的制备过程卜先生⋅SiCl 2由Roesky，Stalke，和同事（报道Angew。化学式诠释。埃德。2009，48，5683-5686），有少量结晶盐的[NHC卜先生-H⋅⋅⋅Cl⋅⋅⋅H-NHC卜先生]的Si硅烷（SiCl 3）3进行分离，除了所报告的副产物[NHC卜先生-H + ⋅⋅⋅Cl - ]，并且其特征在于X射线晶体学分析（NHC Dipp = N，N-二（2,6-二异丙基苯基）咪唑-2-亚基）。它们包含弱配位阴离子Si（SiCl 3）3 - ，这也是在高收率在所述共轭布朗斯台德酸在HSi硅烷（SiCl的去质子化得到的3）3与NHC卜先生或PMP（PMP = 1,2,2,6,6-五甲基）。通过DFT计算得出的HSi（SiCl 3）3的酸度明显高于其他H-硅烷的酸度。在Si上的电子结构，进一步研究DFT硅烷（SiCl 3）3