将2克(0.036摩尔)的锰、2克(0.071摩尔)的硅和10克(0.16摩尔)的铜以小块状放入一个10毫升Al₂O₃坩埚中,然后置于一端开口的石英安瓿中。抽空并熔封后,将安瓿放在碳硅棒高温炉中。在12小时内逐步升温至1200℃,之后以10℃/小时的速度降温至500℃。取出安瓿冷却,再插入直径较粗的橡皮管中,打碎安瓿以便安全地取出金属锭。
将富铜的Cu—Mn—Si基块溶解在8摩尔/升硝酸中,八面体晶体便会留下。用水洗涤这些晶体并干燥后,可以得到棱边长达2毫米的MnSi₂晶体。将若干八面体晶体研磨成粉末,并使用Guinier-Hagg技术(Cu射线)进行研究。可以根据立方晶胞对所有的衍射线进行编目,α=(4.560±0.001)埃 (1埃=0.1纳米),这一数值在过去的报道中(MnSi₂格距为4.558±0.001埃)的允许误差范围内。由于研细的晶体和过去制品具有相似的晶格常数,表明锰大部分没有被铜所取代。这一结果也通过晶体的发射光谱分析得到证实,显示铜的最大含量约为1%。