1,2-digermyldisilane | 895584-02-8

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: 1,2-digermyldisilane
• CAS: 895584-02-8
• 化学式: Ge₂H₁₀Si₂
• 分子量: 211.43
• InChiKey: XYPKQDOXRPLROZ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -4.2
• 重原子数：
  4.0
• 可旋转键数：
  1.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1,2-digermyldisilane 生成
  参考文献：
  名称：

  类丁烷硅锗氢化物的合成：为富锗半导体的 CVD 提供前驱体

  摘要：

  类丁烷 (GeH(3))(2)(SiH(2))(2) (1)、(GeH(3))(2)SiH(SiH(3)) (2) 和 (2) 的合成GeH(3))(2)(SiH(2)GeH(2)) (3) Si-Ge 氢化物在低温合成富锗 Si(1-x)Ge(x) 光电合金中的应用证明了。通过 FTIR、多核 NMR、质谱、卢瑟福背散射和密度泛函理论 (DFT) 模拟研究了这些化合物的组成、振动、结构和热化学性质。分析表明线性 (GeH(3))(2)(SiH(2))(2) (1) 和 (GeH(3))(2)(SiH(2)GeH(2)) (3)化合物以经典的正常 (n) 和 gauche (g) 构象异构体的混合物形式存在，在 22 摄氏度时似乎不会相互转化。 样品中的构象比例是使用新的拟合程序确定的，它结合了计算出的分子光谱，通过改变个体构象异构体的全局强度、频率尺度和混合系数来重现观察到的分子光谱。然后利用

  DOI：

  10.1021/ja060428j
• 作为产物：
  描述：

  、 potassium germyl 以 乙醚 为溶剂， 以26%的产率得到1,2-digermyldisilane
  参考文献：
  名称：

  类丁烷硅锗氢化物的合成：为富锗半导体的 CVD 提供前驱体

  摘要：

  类丁烷 (GeH(3))(2)(SiH(2))(2) (1)、(GeH(3))(2)SiH(SiH(3)) (2) 和 (2) 的合成GeH(3))(2)(SiH(2)GeH(2)) (3) Si-Ge 氢化物在低温合成富锗 Si(1-x)Ge(x) 光电合金中的应用证明了。通过 FTIR、多核 NMR、质谱、卢瑟福背散射和密度泛函理论 (DFT) 模拟研究了这些化合物的组成、振动、结构和热化学性质。分析表明线性 (GeH(3))(2)(SiH(2))(2) (1) 和 (GeH(3))(2)(SiH(2)GeH(2)) (3)化合物以经典的正常 (n) 和 gauche (g) 构象异构体的混合物形式存在，在 22 摄氏度时似乎不会相互转化。 样品中的构象比例是使用新的拟合程序确定的，它结合了计算出的分子光谱，通过改变个体构象异构体的全局强度、频率尺度和混合系数来重现观察到的分子光谱。然后利用

  DOI：

  10.1021/ja060428j

文献信息

• Highly strained metastable structures and selective area epitaxy of Ge-rich Ge1−xSix/Si(100) materials using nanoscale building blocks
  作者：Y.-Y. Fang、V.R. D’Costa、J. Tolle、J.B. Tice、C.D. Poweleit、J. Menéndez、J. Kouvetakis

  DOI：10.1016/j.ssc.2008.10.009

  日期：2009.1

  Low-temperature heteroepitaxy (330 degrees C-430 degrees C of Si0.5Ge0.5 and Si0.25Ge0.75 on Si(100) using single-source silyl-germanes [SiH3GeH3. HSi(GeH3)(3)] produces monocrystalline structures, smooth and continuous surface morphologies and low defect densities. The metastable compressive strain in these films is dramatically enhanced relative to alternative growth methods. At such low temperatures the material grows seamlessly, conformally, and selectively in the "source/drain" regions of prototypical transistors. These results suggest that films grown via silyl-germanes could have applications in optoelectronics and as stressors for mobility enhancement in Si devices. (C) 2008 Elsevier Ltd. All rights reserved.
• Synthesis of Butane-Like SiGe Hydrides:  Enabling Precursors for CVD of Ge-Rich Semiconductors
  作者：Andrew V. G. Chizmeshya、Cole J. Ritter、Changwu Hu、Jesse B. Tice、John Tolle、Ronald A. Nieman、Ignatius S. T. Tsong、John Kouvetakis

  DOI：10.1021/ja060428j

  日期：2006.5.1

  by varying the global intensity, frequency scale, and admixture coefficients of the individual conformers. The (GeH(3))(2)(SiH(2))(2) (1) species was then utilized to fabricate Si(0.50)Ge(0.50) semiconductor alloys reflecting exactly the Si/Ge content of the precursor. Device quality layers were grown via gas source MBE directly on Si(100) at unprecedented low temperatures 350-450 degrees C and display

  类丁烷 (GeH(3))(2)(SiH(2))(2) (1)、(GeH(3))(2)SiH(SiH(3)) (2) 和 (2) 的合成GeH(3))(2)(SiH(2)GeH(2)) (3) Si-Ge 氢化物在低温合成富锗 Si(1-x)Ge(x) 光电合金中的应用证明了。通过 FTIR、多核 NMR、质谱、卢瑟福背散射和密度泛函理论 (DFT) 模拟研究了这些化合物的组成、振动、结构和热化学性质。分析表明线性 (GeH(3))(2)(SiH(2))(2) (1) 和 (GeH(3))(2)(SiH(2)GeH(2)) (3)化合物以经典的正常 (n) 和 gauche (g) 构象异构体的混合物形式存在，在 22 摄氏度时似乎不会相互转化。 样品中的构象比例是使用新的拟合程序确定的，它结合了计算出的分子光谱，通过改变个体构象异构体的全局强度、频率尺度和混合系数来重现观察到的分子光谱。然后利用