| 856409-43-3

• CAS: 856409-43-3
• 化学式: C₅H₈Cl₄N₂W
• 分子量: 421.794
• InChiKey: BYDWDJNRVDEHJE-UHFFFAOYSA-J

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  、 、 氨 以 苯甲腈 为溶剂， 生成 tungsten carbonitride
  参考文献：
  名称：

  使用烯丙基酰亚胺配合物 Cl[sub 4](RCN)W(NC[sub 3]H[sub 5]) 沉积 WN[sub x]C[sub y]：NH[sub 3] 对薄膜性能的影响

  摘要：

  烯丙基酰亚胺配合物 Cl 4 (RCN)W(NC 3 H 5 ) (la, R = CH 3 ; 1b, R = Ph) 的混合物用于沉积碳化氮化钨 (WN x C y ) 薄膜，其中氨作为共反应物。沉积在化学气相沉积反应器中在 450-750°C 的温度范围内完成。研究了氨对薄膜组成、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、薄膜生长速率和电阻率的影响。重要的是，在 450°C 下以氨作为共反应物生长的薄膜是无定形的，氮含量增加了大约五倍，氧含量显着降低。低于 500°C 沉积的薄膜是无定形的，而在 500°C 和高于 500°C 沉积的薄膜是多晶的。X 射线衍射图表明固溶体 β-WN x C y 或 β-WN 0.5 和 β-WC 0.6 共存于薄膜中。阿伦尼乌斯图产生了 0.34 eV 的表观活化能，用于从 la、b 和氨的生长，而没有氨的沉积报告的值为 0.15 eV。正如预期的那样，用氨沉积的薄膜表现出更高的薄膜电阻率，在

  DOI：

  10.1149/1.2961053
• 作为产物：
  描述：

  氧代氯化钨 、 3-异氰酸丙烯 、 乙腈 以 正庚烷 为溶剂， 以64%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  钨烯丙基酰亚胺配合物 Cl4(RCN)W(NC3H5) 作为 WNxCyThin 薄膜的单源 CVD 前体。前体碎片与薄膜特性的相关性

  摘要：

  钨烯丙基酰亚胺配合物 Cl(4)(RCN)W(NC(3)H(5)) (3a, R = CH(3) 和 3b, R = Ph) 的混合物被测试为单源前体氮化钨 (WN(x)) 或碳氮化物 (WN(x)C(y)) 薄膜的生长。在 550 摄氏度以下从 3a、b 沉积的薄膜包含非晶 beta-WN(x)C(y)，而在较高温度下沉积的薄膜是多晶的。在 450-650 摄氏度的温度范围内，3a、b 的薄膜生长速率范围为 5 至 10 A/min，薄膜生长的表观活化能为 0.15 eV。从 Cl(4)(RCN)W(NR') [R' = Ph, (i)Pr, allyl] 沉积的 E(a) 值与类似胺 R'NH 的 NC 亚胺键强度的图(2) 是线性的，暗示 NC 键的断裂是薄膜生长的速率决定步骤。

  DOI：

  10.1021/ja043799d