Germane--platinum (3/2) | 12134-97-3

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: Germane--platinum (3/2)
• 英文别名: germane;platinum
• CAS: 12134-97-3
• 化学式: Ge₃Pt₂
• 分子量: 607.93
• InChiKey: OGUTXVFTZCNGLF-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -4.36
• 重原子数：
  5
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  锗烷 、 铂 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 Germane--platinum (3/2)
  参考文献：
  名称：

  使用牺牲低温锗化工艺选择性蚀刻 Pt 相对于 PtSi

  摘要：

  提出了一种软且可扩展的蚀刻程序，可以在不改变 PtSi 的情况下选择性地消除 Pt。选择性蚀刻基于过量 Pt 低温转变为更具反应性的 PtxGey 相，该相易于在过氧化硫混合物中蚀刻。基于 X 射线衍射分析详细介绍了 PtxGey 合金化的机制。肖特基势垒测量证实了基于锗化的选择性蚀刻对 PtSi∕Si 结完整性的无害性。该工艺有望促进 PtSi 在超薄硅层上的集成和可扩展性。

  DOI：

  10.1063/1.2821143

文献信息

• Effect of the inversion layer on the electrical characterization of Pt germanide/n-Ge(001) Schottky contacts
  作者：H. B. Yao、D. Z. Chi、R. Li、S. J. Lee、D.-L. Kwong

  DOI：10.1063/1.2408665

  日期：2006.12.11

  Schottky contacts of Pt germanide films formed on n-Ge(001) through solid-state reaction between Pt and Ge(001) via rapid thermal annealing were investigated. Almost identical effective barrier heights of ∼0.619–0.626eV were obtained for PtGe∕n-Ge(001), Pt2Ge3∕n−Ge(001), and PtGe2∕n-Ge(001) Schottky contacts from current-voltage measurements. From the effective barrier height values, actual barrier

  研究了通过快速热退火 Pt 和 Ge(001) 之间的固态反应在 n-Ge(001) 上形成的 Pt 锗化物薄膜的肖特基接触。对于 PtGe∕n-Ge(001)、Pt2Ge3∕n−Ge(001) 和 PtGe2∕n-Ge(001) 肖特基接触，电流-电压测量获得了几乎相同的有效势垒高度，约为 0.619-0.626eV。根据有效势垒高度值，通过考虑在界面处存在强反转层时镜像力引起的势垒降低，确定了约 0.653-0.663eV 的实际势垒高度。获得的实际势垒高度值通过电容-电压表征的实验和模拟结果之间的良好一致性进一步验证。