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[Bu4N][tetrabromogallate] | 34249-07-5

中文名称
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中文别名
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英文名称
[Bu4N][tetrabromogallate]
英文别名
[nBu4N][GaBr4];tetra-n-butylammonium tetrabromogallate;(n-C4H9)4NGaBr4;[TBA]GaBr4;[tetra-n-butylammonium][GaBr4]
[Bu4N][tetrabromogallate]化学式
CAS
34249-07-5
化学式
Br4Ga*C16H36N
mdl
——
分子量
631.808
InChiKey
GMHRKKRFICVQEW-UHFFFAOYSA-J
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    8.01
  • 重原子数:
    22.0
  • 可旋转键数:
    12.0
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    0.0
  • 氢给体数:
    0.0
  • 氢受体数:
    0.0

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    参考文献:
    名称:
    d-电子诱导的基于溴化TTF供体的pi-d相互作用系统的负磁阻。
    摘要:
    基于溴化TTF型的新型pi-d相互作用系统(EDT-TTFBr2)2FeBr4(EDT-TTFBr2 = 4,5-二溴-4',5'-乙撑二硫代四硫富瓦烯)及其非磁性阴离子类似物(EDT-TTFBr2)2GaBr4对有机供体进行了研究。准1Dπ电子系统的盐是金属的,其中金属绝缘子跃迁分别发生在FeBr4-和GaBr4-盐的约20和70 K处,其中低温绝缘状态与电荷有序或莫特绝缘子,然后在较低温度下进行反铁磁转变。FeBr4-盐的特征是在Neel温度(TN)= 11 K时阴离子d自旋具有反铁磁跃迁,尽管其与阴离子-阴离子Br-Br的接触时间长,但仍显着较高,这表明pi-d相互作用的重要性在磁性。令人惊讶的强大的pi-d相互作用,约。从磁化曲线估计的-22.3 K证明了供体分子被溴取代的化学修饰对实现强分子间相互作用的有用性。阴离子d自旋的反铁磁态通过强pi-d相互作用影响导电pi电子的传输,这
    DOI:
    10.1021/ic048548k
  • 作为产物:
    描述:
    参考文献:
    名称:
    具有卤素取代的供体:(EDO-TTFBr2)2FeX4(X = Cl,Br)的导电分子反铁磁体的晶体结构和物理性质。
    摘要:
    研究了基于卤素取代的有机供体和磁性阴离子的自由基离子盐(EDO-TTFBr2)2FeX4(X = Cl,Br)的晶体结构和物理性质,包括与同构化合物(EDO-TTFBr2)2GaX4的比较。非磁性阴离子。这四种盐的晶体结构由均匀堆积的供体分子和四面体抗衡阴离子组成,并且供体分子的Br取代基与分子间原子距离非常短的阴离子的卤化物配体相连。这些盐表现出在室温附近的金属行为,并且在低温范围内经历自旋密度波跃迁,这通过电子自旋共振(ESR)线宽的发散得到了证实。尽管这些盐中不存在紧密的阴离子-阴离子接触,FeCl4盐在TN = 4.2 K处经历反铁磁跃迁,FeBr4盐在TN = 13.5 K和TC2 = 8.5 K处表现出连续的磁跃迁,并具有螺旋自旋结构作为d电子自旋的基态候选。FeCl4盐的磁阻显示逐步的异常,使用由施主pi电子和阴离子d电子自旋组成的基于pi-d相互作用的受阻自旋系统模型定性地
    DOI:
    10.1021/ic061871y
  • 作为试剂:
    描述:
    N-异丙基苯甲醛肟氯化物正丁基锂[Bu4N][tetrabromogallate] 作用下, 以 乙醚正己烷二氯甲烷 为溶剂, 反应 1.0h, 生成 {PhC(NiPr)2}2GaBr
    参考文献:
    名称:
    在二维和三维中的电子离域化:铟“金属”簇中的差异聚集
    摘要:
    点菜群集:可以选择支持配体来控制铟硼烷基络合物的还原,以生成2D和3D聚集体。前所未有的纳米级簇In 12 @In 44 @In 12(硼基)12(见图)是从双(硼基)前体的钾还原中分离出来的,而(酰胺基)In III Br(硼基)的还原则给出了(弱)芳族)平面四核[In 4(boryl)4 ] 2-系统。
    DOI:
    10.1002/anie.201708496
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文献信息

  • Stereoelectronic control of oxidation potentials of 3,7-bis(diarylamino)phenothiazines
    作者:Ayumu Karimata、Shuichi Suzuki、Masatoshi Kozaki、Keiji Okada
    DOI:10.1039/c7ra12600j
    日期:——
    The influence of diarylamino (Ar2N–) substituents on the oxidation potential of 3,7-bis(diarylamino)phenothiazines (Ar2N)2–PTZ (1a–f, a: carbazolyl; b: dihydrodibenzoazepinyl; c: dibenzoazepinyl; d: diphenylamino; e: phenothiazinyl; and f: phenoxazinyl) is investigated, where the Ar2N-substituent sequence a→f is aligned in the increasing order of their electron-donating ability. Interestingly, a different
    二芳基基(Ar 2 N–)取代基对3,7-双(二芳基基)吩噻嗪(Ar 2 N)2 -PTZ(1a–f,a:咔唑基;b:二氢二苯并a庚啶基;c:二苯并a庚啶基;d:二苯基;e:吩噻嗪基;f:苯恶嗪基),其中Ar 2 N-取代基序列a → f按其供电子能力的升序排列。有趣的是,Ar 2的给电子能力的序列不同观察到N取代基的(Ar 2 N)2 -PTZ:1a的氧化电位(E ox 1 = +0.35 V vs. Fc / Fc +)> 1f(+0.30 V)> 1e(+0.15 V)> 1d(-0.05 V)> 1c(-0.19 V)> 1b(-0.22 V)。观察到的序列可以用Ar 2 N取代基稳定(Ar 2 N)2- PTZ˙ +的立体电子效应来解释。在1c˙的晶体结构中观察到明显的例子+和1E +,针对其云台之间观察到共面的构象+ -平面和SP的平面2个中的Ar杂化的氮原子2中的氧化过
  • Use of Halogen Bonding in a Molecular Solid Solution to Simultaneously Control Spin and Charge
    作者:Genta Kawaguchi、Mitsuhiko Maesato、Tokutaro Komatsu、Tatsuro Imakubo、Andhika Kiswandhi、David Graf、Hiroshi Kitagawa
    DOI:10.1021/acs.chemmater.6b02495
    日期:2016.10.25
    comprehensive study of halogen-bonding-utilized solid solution for simultaneous control of multifunctional properties. A series of anion-mixed molecular conductors (DIETSe)2MBr4xCl4(1–x) [DIETSe = diiodo(ethylenedithio)tetraselenafulvalene; M = Fe, Ga; 0 < x < 1] were synthesized without changing crystal structure utilizing strong halogen bonds between DIETSe molecules and anions. Detailed physical property
    卤素键之间的相互作用已在分子科学的各个领域引起了越来越多的关注。在这里,我们报告了对卤素键结合的固溶体用于同时控制多功能性能的首次综合研究。一系列阴离子混合分子导体(DIETSe)2 MBr 4 x Cl 4(1– x) [DIETSe =二(亚乙基二代)四富勒烯; M = Fe,Ga;利用DIETSe分子和阴离子之间的强卤素键合成了0 < x <1],而没有改变晶体结构。详细的物理性能测量(T > 0.3 K,H使用单晶(<35 T)证明了对自旋和电荷自由度的同时控制。溴含量增加x逐渐抑制归因于准一维费米表面嵌套不稳定性的金属-绝缘体转变。这表明通过增加阴离子的大小可以扩展π电子的维数,这与化学压力的典型作用相反。我们发现“负”化学压力与特征性的卤素键网络有关。Br取代还增强了Fe盐中d电子自旋的反磁(AF)有序性,如Néel温度,AF相界场和饱和场所示。此外,我们仅在极低的温度
  • Electronic and Magnetic Properties of Organic Conductors (DMET)<sub>2</sub>MBr<sub>4</sub>(M = Fe, Ga)
    作者:Kengo Enomoto、Jun-Ichi Yamaura、Akira Miyazaki、Toshiaki Enoki
    DOI:10.1246/bcsj.76.945
    日期:2003.5
    (DMET)2MBr4 (M = Fe, Ga) are isostructural organic conductors whose crystal structure consists of an alternate stacking of quasi one-dimensional chain-based donor layers and anion square lattices. The resistivity, ESR, magnetic susceptibility, magnetization, and magnetoresistance of these salts were investigated in order to clarify the correlation between the electronic structure and the magnetism. The electronic structures of both salts are metallic down to TMI ∼40 K, below which a Mott insulating state is stabilized, accompanied by an SDW transition at TSDW ∼25 K. The FeBr4 salt with Fe3+ (S = 5/2) localized spins undergoes an antiferromagnetic transition at TN = 3.7 K. In the FeBr4 salt, the magnetization curves, which show field-direction-dependent anomalies in addition to a spin-flop transition, are demonstrated to have a participation of donor π-electron spins in the magnetization processes. The field dependence of the magnetoresistances below TN tracks faithfully that of the magnetization, where the donor π-electrons and Fe3+ d-electrons are responsible for the former and the latter, respectively. This clearly demonstrates the presence of the π–d interaction that plays an important role in the interplay between electron transport and magnetism.
    (DMET)2MBr4(M = Fe、Ga)是等结构有机导体,其晶体结构由准一维链基供体层和阴离子方格交替堆叠组成。为了明确电子结构与磁性之间的相关性,我们对这些盐的电阻率、ESR、磁感应强度、磁化率和磁阻进行了研究。这两种盐的电子结构在 TMI ∼40 K 时都是属性的,在此温度以下则稳定为莫特绝缘态,并在 TSDW ∼25 K 时发生 SDW 转变。在 FeBr4 盐中,除了自旋翻转转变外,磁化曲线还显示出随场方向变化的异常现象,这表明在磁化过程中有供体 π 电子自旋的参与。TN以下磁阻的磁场依赖性忠实地跟踪了磁化的磁场依赖性,供体π电子和Fe3+ d电子分别对前者和后者负责。这清楚地表明了π-d相互作用的存在,它在电子传输和磁性之间的相互作用中发挥了重要作用。
  • Synthesis of a new donor, BEDT-HBDST and crystal structures, electrical and magnetic properties of (BEDT-HBDST)2MX4 (M=Fe, Ga, X=Cl, Br), where BEDT-HBDST=2,5-bis(4,5-ethylenedithio-1,3-diselenol-2-ylidene)-2,3,4,5-tetrahydrothiophene
    作者:Takashi Shirahata、Takehiko Mori、Kazuko Takahashi
    DOI:10.1016/j.jssc.2003.08.030
    日期:2004.1
    molecules. The magnetic susceptibilities of the FeCl4− and FeBr4− salts follow the Curie–Weiss law with Curie constants of 4.6 and 4.8 emu K mol−1 (sum of the spins of S=5/2 and S=1/2) and negative Weiss temperatures of θ=−1.2 and −4.9 K, respectively, revealing a weak antiferromagnetic interaction of 3d spins of the FeCl4− and FeBr4− anions. The FeFe (6.66–7.60 Å), Cl⋯Cl (4.81–4.82 Å) and BrBr (4.74–4
    新型共轭伸长的双(亚乙基二代)四富勒烯(BETS)型供体,2,5-双(4,5-亚乙基二代-1,3-二甲苯基-2-亚烷基)-2,3,4,5-四氢噻吩(BEDT) -HBDST)和它的磁和非磁性阴离子盐,(BEDT-HBDST)2 MX 4(MX 4 - =的FeCl 4 - ,的GaCl 4 -,FeBr 4 -和贾布尔4 - ),制备。这四种盐是同构的,属于P 2 / c的空间群。他们显示出具有小活化能(59–64 meV)的半导体行为。这些盐的能带结构是一维的,并且在上能带和下能带之间存在中间间隙,这是因为二聚化度在堆叠方向上是显着的。在MX 4 -离子位于供体列之间和靠近供体分子的亚乙基部分。所述的FeCl的磁化率4 -和FeBr 4 -的盐遵循居里-外斯定律4.6和4.8鸸鹋ķ摩尔居里常数-1(总和的自旋的小号= 5/2和小号= 1/2)和负魏斯温度θ= -1.2 -4.9和K
  • Spin Frustration in an Organic Radical Ion Salt Based on a Kagome-Coupled Chain Structure
    作者:Lars Postulka、Stephen M. Winter、Adam G. Mihailov、Aaron Mailman、Abdeljalil Assoud、Craig M. Robertson、Bernd Wolf、Michael Lang、Richard T. Oakley
    DOI:10.1021/jacs.6b05079
    日期:2016.8.31
    quinoidal bisdithiazole BT in dichloroethane in the presence of [Bu4N][GaBr4] affords the 1:1 radical ion salt [BT][GaBr4], crystals of which belong to the trigonal space group P3. The packing pattern of the radical cations provides a rare example of an organic kagome basket structure, with S = 1/2 radical ion chains located at the triangular corners of a trihexagonal lattice. Magnetic measurements over
    在 [Bu4N][GaBr4] 存在下,醌型双二噻唑 BT 在二氯乙烷中的电氧化得到 1:1 自由基离子盐 [BT][GaBr4],其晶体属于三角空间群 P3。自由基阳离子的堆积模式提供了有机 Kagome 篮结构的一个罕见例子,其中 S = 1/2 自由基离子链位于三六边形晶格的三角角。在从 30 mK 到 300 K 的宽温度范围内进行的磁测量表明,J/kb ∼ 30 K 范围内的 AFM 相互作用强烈受挫,但没有发现与磁序相关的异常。这些观察是根据允许受挫层内部和之间的磁相互作用的对称性来讨论的。
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