aluminium monoxide

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 后过渡金属有机物
• 英文名称: aluminium monoxide
• 英文别名: aluminum oxide；alumane;hydrate
• 化学式: AlO
• 分子量: 42.9809
• InChiKey: XFBXDGLHUSUNMG-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -2.01
• 重原子数：
  2
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  1
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  aluminium monoxide 在 苯 作用下， 以 gas 为溶剂， 以0%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  一氧化铝与小分子的气相反应

  摘要：

  DOI：

  10.1021/j100361a017
• 作为产物：
  描述：

  aluminum oxide 以 水 为溶剂， 生成 aluminium monoxide
  参考文献：
  名称：

  Catalytic system and process for the production of hydrogen

  摘要：

  生产氢的催化系统，包括基于铁的活性组分和基于氧化铝的微球载体，其表示为以下公式 [Fex1Mx2Qx3Dx4Alx5]Oy，其中 xi（i=1.5）表示原子百分比，其取值满足方程 Σxi=100。y 是公式中组分存在的氧化数所需的值，x1 是 Fe 存在于公式中的原子百分比，范围从 5 到 80，最好从 20 到 50，M 是 Cr 和/或 Mn，x2 范围从 0 到 30，最好从 0 到 10，Q 是 La、镧系元素（Ce 特别优选）、Zr 或它们的组合，x3 范围从 0 到 30，最好从 0 到 10，D 是 Mg、Ca、Ba、Co、Ni、Cu、Zn 或它们的组合，x4 范围从 0 到 35，最好从 5 到 25，x5 是 Al 存在于公式中的原子百分比，范围从 20 到 95，最好从 50 到 80。

  公开号：

  US20040152790A1
• 作为试剂：
  描述：

  10-ethynyl-9-di(p–anisyl)aminoanthracene 在 copper(l) iodide 、 cis-dichlorobis(triphenylphosphine)platinum(II) 、 三乙胺 、 aluminium monoxide 作用下， 以 氯仿 、 二氯甲烷 为溶剂， 以100 mg的产率得到10,10'-(buta-1,3-diyne-1,4-diyl)bis(9-di(p–anisyl)aminoanthracene)
  参考文献：
  名称：

  含三芳胺铂(II)乙酰基蒽的(光谱)电化学性质

  摘要：

  [PT {的合成2 } 2（PPH 3）2 ]（5）（10乙炔-9二（p -anisyl）氨基蒽=炔2 H）在一个顺式和反式达到配置。cis - 5在 AlOx 上的吸附以及电化学氧化导致 10,10'-(buta-1,3-diyne-1,4- diyl) bis(9-di( p - anisyl)amino-蒽) ( 6 ). 炔中间体2 H的分子结构[Pt{ 2 }Cl(PPh 3 ) 2 ] ( 4) 和丁二炔6已通过单晶 X 射线衍射测定。铂-乙炔化物的循环伏安法的测量反式- 4，以及顺式-和反式- 5表明，从朝向铂背面捐赠π -System导致三芳基胺的移位和朝向较低蒽相关的氧化还原过程ë °'值，当与2 (= 2 SiMe 3 )的 SiMe 3保护的炔烃相比时。这两种铂配合反式- 5和丁二6证明单个芳胺和相应的蒽基结构单元可以在四个一电子过程中氧化。光谱电化学研究揭示了 NIR

  DOI：

  10.1002/ejic.202100311

文献信息

• Dual-gate organic thin film transistors as chemical sensors
  作者：Young Min Park、Alberto Salleo

  DOI：10.1063/1.3242372

  日期：2009.9.28

  An organic/inorganic hybrid sensing device is proposed based on a dual-gate organic thin film transistor architecture using polythiophenes as semiconductors and AlOx as the top dielectric. When a polar molecule adsorbs on the top dielectric, the threshold voltage of the bottom gate transistor shifts leading to several orders of magnitude increase of the current at an appropriately chosen gate voltage

  基于使用聚噻吩作为半导体和氧化铝作为顶部电介质的双栅极有机薄膜晶体管架构，提出了一种有机/无机混合传感装置。When a polar molecule adsorbs on the top dielectric, the threshold voltage of the bottom gate transistor shifts leading to several orders of magnitude increase of the current at an appropriately chosen gate voltage. 这些设备通过将它们暴露在饱和水气氛中进行测试，这会导致在一分钟内电流增加四个数量级。这种传感器设计保留了有机半导体的一些优势，例如在柔性基板上进行低温处理和制造。最后，它可以在具有极低功耗运行潜力的低电压下运行。
• Reaction dynamics of Al+O2→AlO+O studied by the crossed-beam laser-induced fluorescence technique
  作者：Kenji Honma

  DOI：10.1063/1.1591177

  日期：2003.8.15

  observed rotational and vibrational distributions displayed greater populations in lower vibrational and rotational levels than expected statistically. Rotational distributions were also determined for two spin–orbit states of Al, Al(2P1/2) and Al(2P3/2), at two collision energies. At a collision energy of 12.2 kJ/mol, the higher energy spin–orbit excited state, Al(2P3/2), showed lower reactivity, i

  通过使用交叉束技术在 6.9 至 25.3 kJ/mol 的五种碰撞能量下研究了反应动力学，Al+O2→AlO+O。Al原子束通过激光汽化产生并与O2束以直角交叉。通过Al2O(B 2Σ+–X 2Σ+)跃迁的激光诱导荧光检测产物Al2O，并确定了旋转振动分布。观察到的旋转和振动分布在较低的振动和旋转水平上显示出比统计预期更多的种群。在两种碰撞能量下，还确定了 Al 的两种自旋轨道状态 Al(2P1/2) 和 Al(2P3/2) 的旋转分布。在 12.2 kJ/mol 的碰撞能量下，较高能量的自旋轨道激发态 Al(2P3/2) 表现出较低的反应性，即约为地面自旋轨道态的三分之一，铝（2P1/2）。然而，这两个州的旋转分布几乎相同。Al(2P1/2) 和 Al(2P3) 的反应性和旋转分布...
• Crossed-beam study of the Al(2P1/2,3/2)+O2(X3Σ−g)→AlO(X2Σ+)+O(3PJ) reaction at low and very low kinetic energies
  作者：Christian Naulin、Michel Costes

  DOI：10.1016/s0009-2614(99)00759-9

  日期：1999.9

  The title reaction is revisited at kinetic energies between 255 and 6 meV with a new crossed-beam apparatus. The AlO dissociation energy is evaluated to be D0(AlO)=5.27±0.01 eV. Al() and Al() spin–orbit reactivities are shown to be different. The relative cross-section of Al()+O2 is found to increase monotonically when decreasing kinetic energy. The variation of the calculated thermal rate constant

  使用新的交叉束仪器，可以在255和6 meV之间的动能下重新讨论标题反应。AlO离解能被评估为D 0（AlO）＝ 5.27±0.01eV。Al（）和Al（）自旋轨道反应性被证明是不同的。当降低动能时，发现Al（）+ O 2的相对横截面单调增加。计算出的热速率常数的变化与在1083和23 K之间进行的动力学测量相一致。基于绝热捕获离心突然逼近的理论处理也发现了很好的一致性。
• Detection of O(PJ3) atoms formed by reaction, Al+O2→ AlO+O under crossed-beam condition
  作者：Masayuki Ishida、Tomohiko Higashiyama、Yoshiteru Matsumoto、Kenji Honma

  DOI：10.1063/1.1924387

  日期：2005.5.22

  oxygen atoms formed by the reaction, Al+O(2)--> AlO+O. The measurements were carried out under the crossed-beam condition at 12.2 kJmol of collision energy. The relative populations of three spin-orbit states of O((3)P(J)) were determined to be 3.8, 1.0, and 0.2 for J=2, 1, and 0, respectively. They show nonstatistical populations, i.e., more population in O((3)P(2)) and less population in O((3)P(0))

  真空紫外激光诱导荧光技术被用来检测反应中形成的氧原子，Al + O（2）-> AlO + O。在交叉光束条件下以12.2 kJmol的碰撞能量进行测量。对于J = 2、1和0，确定O（（3）P（J））的三个自旋轨道状态的相对种群分别为3.8、1.0和0.2。他们显示的是非统计人口，即O（（3）P（2））中的人口多于O（（3）P（0））的人口少于统计预期。这些种群对于两个铝束条件几乎相同，其中两个自旋轨道状态的铝（2）P（1/2）和（2）P（3/2）的相对浓度不同。这些结果表明，Al与O（2）的反应是通过中间络合物进行的，在该络合物中失去了自旋轨道状态的记忆。
• Electrodeposition of highly uniform magnetic nanoparticle arrays in ordered alumite
  作者：Ming Sun、Giovanni Zangari、Mohammad Shamsuzzoha、Robert M. Metzger

  DOI：10.1063/1.1370986

  日期：2001.5.7

  We report the fabrication of nanometer scale ordered arrays of magnetic cylindrical nanoparticles with low aspect ratio (height/radius a=0.2–7) and ultrahigh uniformity. Anodization and electrochemical deposition are employed for template synthesis and metal particle growth, respectively. Particle uniformity is achieved by an electrodeposition scheme, utilizing pulse reverse voltage wave forms to control

  我们报告了具有低纵横比（高度/半径 a = 0.2-7）和超高均匀性的磁性圆柱形纳米粒子的纳米级有序阵列的制造。阳极氧化和电化学沉积分别用于模板合成和金属颗粒生长。颗粒均匀性是通过电沉积方案实现的，利用脉冲反向电压波形来控制颗粒的成核和生长。所得纳米粒子是多晶的，晶粒是随机取向的。阵列的磁性由颗粒形状和颗粒间静磁相互作用决定。在大约 2 的纵横比 a 处观察到各向异性从垂直到平面内的非常清晰的转变。阵列表现出良好的热稳定性，展示了这些结构作为图案化方案中未来记录介质的巨大潜力。脉冲反向电沉积技术在合成各种不同的纳米结构方面显示出巨大的希望...