使用单晶 X 射线衍射数据和环境压力下的磁化率测量,在环境条件下表征了实现
CaIn2 型原子排列的 YbGa2 的晶体结构和电子特性。通过角色散 X 射线粉末衍射和 XANES 在 Yb LIII 阈值处测量 YbGa2 结构和电子特性的压力引起的变化。在高于 22(2) GPa 的压力下,YbGa2 经历结构相变,转变为具有 UHg2 型晶体结构的高压改性。与压力引起的结构变化平行,YbGa2 中的
镱的氧化态从环境条件下的 +2 增加到高压阶段的 +3。电子局域化函数的量子
化学计算证实,相变与低压晶体结构的三维
镓网络在高压改性中转化为二维
镓层有关。Druckinduzierte Anderung der Oxidationstufe von Ytterbium im YbGa2 Die Kristallstruktur und die elektronischen Eigenschaften