zinc oxide doped with cadmium

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 过渡金属有机体
• 英文名称: zinc oxide doped with cadmium
• 英文别名: Cadmium;ZINC;hydrate
• 化学式: Cd₀OZn₀
• 分子量: 86.0914
• InChiKey: WMAYXBRFUQECMS-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.83
• 重原子数：
  3
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  1
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  cadmium zinc selenide 在 air 作用下， 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 zinc oxide doped with cadmium
  参考文献：
  名称：

  多孔ZnO和ZnCdO纳米线的简单方法。

  摘要：

  通过在空气中热氧化ZnSe纳米线，以廉价且简单的方式获得了多孔ZnO纳米线。前体和所得纳米线的形态几乎相同。X射线衍射和能量色散X射线光谱表明，氧化后的锌共混物ZnSe纳米线转变为纤锌矿型ZnO纳米线。透射电子显微镜测量表明，ZnO纳米线是多晶的，由纳米颗粒和纳米孔组成。以前很少报道的ZnCdO纳米线也已经以这种方式制备。就像ZnO纳米线一样，ZnCdO纳米线也显示出多孔结构。ZnO和ZnCdO纳米线上的光致发光研究表明，室温下强烈的近带边缘发射。

  DOI：

  10.1021/jp0600514
• 作为试剂：
  描述：

  对氟苯甲醛 、 邻苯二胺 在 zinc oxide doped with cadmium 作用下， 以 neat (no solvent) 为溶剂， 反应 0.06h， 以90%的产率得到2-(4-氟苯基)-1H-苯并咪唑
  参考文献：
  名称：

  镉掺杂对苯并咪唑合成中ZnO纳米片催化活性的影响

  摘要：

  摘要 以甲醇为溶剂，通过共沉淀法制备了 一组分层的Cd x Zn 1- x O纳米薄片（ x = 0、0.01 和0.03）。通过紫外可见光，X射线衍射，场发射扫描电子显微镜和能量色散X射线分析技术对制备的样品进行表征。Cd掺杂的ZnO中的轻微红移证实了Cd 2+离子掺杂到ZnO晶格中。发现掺Cd的ZnO纳米薄片的平均微晶尺寸在10-28 nm范围内。研究了Cd-ZnO纳米片的催化活性和微波辐射对 邻位 反应的影响。 -苯二胺与醛。发现ZnO中Cd含量的存在促进了在无溶剂条件下2-取代的苯并咪唑的快速和选择性合成。根据Brunauer-Emmet-Teller方法，讨论了通过Cd掺杂提高催化活性的方法。该催化剂可以重复使用多达五个循环，而不会显着降低催化活性。 图形概要

  DOI：

  10.1007/s11164-017-3074-5

文献信息

• Optical and structural analysis of ZnCdO layers grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
  作者：Th. Gruber、C. Kirchner、R. Kling、F. Reuss、A. Waag、F. Bertram、D. Forster、J. Christen、M. Schreck

  DOI：10.1063/1.1620674

  日期：2003.10.20

  engineering. Ternary Zn1−xCdxO allows reduction of the band gap relative to ZnO, which would be necessary for devices emitting visible light. We have analyzed the structural and optical properties of Zn1−xCdxO layers grown by metalorganic vapor-phase epitaxy. A narrowing of the fundamental band gap of up to 300 meV has been observed, while introducing a lattice mismatch of only 0.5% with respect to binary ZnO

  ZnO 基半导体器件的开发需要带隙工程。三元 Zn1-xCdxO 允许减少相对于 ZnO 的带隙，这对于发射可见光的设备来说是必要的。我们分析了通过金属有机气相外延生长的 Zn1-xCdxO 层的结构和光学特性。已经观察到高达 300 meV 的基本带隙变窄，同时相对于二元 ZnO 引入了仅 0.5% 的晶格失配。光致发光、高分辨率 X 射线衍射和空间分辨阴极发光测量揭示了 Zn1-xCdxO 层内两种不同镉浓度的横向分布。
• Zn1−xCdxO systems with visible band gaps
  作者：Junji Ishihara、Atsushi Nakamura、Satoshi Shigemori、Toru Aoki、Jiro Temmyo

  DOI：10.1063/1.2345232

  日期：2006.8.28

  Zn1−xCdxO films in the range of the content x from x=0 to x=1 were grown by remote-plasma-enhanced metal organic chemical vapor deposition. The crystal structure of Zn1−xCdxO film changed with increase of the content x from wurtzite structure to rocksalt structure around x=0.7. The relationship between the cadmium content and axis length in the Zn1−xCdxO films was studied. Photoluminescence spectra

  Zn1-xCdxO 薄膜在 x=0 到 x=1 的范围内通过远程等离子体增强金属有机化学气相沉积生长。Zn1−xCdxO 薄膜的晶体结构随着含量x 的增加而变化，在x=0.7 附近从纤锌矿结构变为岩盐结构。研究了 Zn1-xCdxO 薄膜中镉含量和轴长之间的关系。在室温下，从纤锌矿 Zn1-xCdxO 薄膜中观察到 3.3-1.8eV 范围内的光致发光光谱。斯托克斯在受限成分范围内的变化与之前的结果进行了比较。
• Photoluminescence lifetime and potential fluctuation in wurtzite Zn1−xCdxO alloy films
  作者：Kenji Yamamoto、Toshiya Ohashi、Takehiko Tawara、Hideki Gotoh、Atsushi Nakamura、Jiro Temmyo

  DOI：10.1063/1.3013322

  日期：2008.10.27

  Carrier recombination dynamics in wurtzite Zn1−xCdxO alloy films has been studied by time-resolved photoluminescence (PL) to evaluate the potential fluctuation. Typical PL lifetime τ2 in Zn1−xCdxO is around 200 ps and gradually increases with a Cd content of up to 0.19. At a Cd content over 0.3, τ2 becomes roughly 50 ns. The degree of potential fluctuation E0 is increased from 9 to 157 meV with an

  通过时间分辨光致发光 (PL) 研究了纤锌矿 Zn1−xCdxO 合金薄膜中的载流子复合动力学，以评估电位波动。Zn1-xCdxO 中典型的 PL 寿命 τ2 约为 200 ps，并且随着 Cd 含量达到 0.19 逐渐增加。当 Cd 含量超过 0.3 时，τ2 大约为 50 ns。电位波动 E0 从 9 meV 增加到 157 meV，Cd 含量增加 0.19。相反，当 Cd 含量超过 0.3 时，E0 降低至 35 meV，而 Cd 含量为 0.55。这表明具有高 Cd 含量的 Zn1-xCdxO 的潜在波动得到了极大的改善，这得到了 Zimmermann 模型的定性支持 [R. 齐默尔曼，J. 克里斯特。增长 101, 346 (1990)]。
• Blue Luminescence of MgZnO and CdZnO Films Deposited at Low Temperatures
  作者：Yusuke Ogawa、Shinobu Fujihara

  DOI：10.1149/1.2756372

  日期：——

  Blue photoluminescence was successfully generated from zinc oxide by doping magnesium or cadmium. MgZnO and CdZnO films were deposited on glass substrates by a spin-on/pyrolysis with low heating temperatures (600-700°C) in H 2 /N 2 and air, respectively. Structural analysis revealed that all the films were crystallized in the wurtzite-type structure. The c-axis length of ZnO was changed by the doping

  通过掺杂镁或镉，氧化锌成功产生蓝色光致发光。MgZnO 和 CdZnO 膜分别通过旋涂/热解在 H 2 /N 2 和空气中以低加热温度 (600-700°C) 沉积在玻璃基板上。结构分析表明，所有薄膜均以纤锌矿型结构结晶。掺杂改变了 ZnO 的 c 轴长度，表明通过本合成方法可以将 Mg 和 Cd 结合到 ZnO 晶格中。这种掺入也得到了分别由 Mg 和 Cd 掺杂引起的光学带隙蓝移和红移的支持。在 MgZnO 的情况下，带隙增加到 3.67 eV，导致在紫外线照射下以 2.75 eV（对应于 451 nm）为中心的深能级蓝色发光。这可能是对氧缺陷中心众所周知的绿色发射的颜色调整。在 CdZnO 的光致发光光谱中，Cd 掺杂出现了以 437 nm 为中心的蓝色发射带，这可能是由于与间隙锌原子相关的发射缺陷中心增加所致。因此，我们可以从 ZnO 中产生两种不同来源的蓝色发射。
• Wide visible emission and narrowing band gap in Cd-doped ZnO nanopowders synthesized via sol-gel route
  作者：Leta T. Jule、Francis B. Dejene、Abdub G. Ali、Kittessa T. Roro、Aiat Hegazy、Nageh K. Allam、Essam El Shenawy

  DOI：10.1016/j.jallcom.2016.06.176

  日期：2016.12

  concentration. The modulation in optical band gap of the samples decreases from 3.15 eV to 2.76 eV are believed to be responsible for the red shift in Ultra-violet visible (UV–Vis) spectroscopy with increase in Cd content. The photoluminescence (PL) spectra shows strong UV emission at 378.8 nm and wide visible light emission outspreading from 425 nm to 600 nm with monotonous red shift. The method employed would

  摘要 采用简便的溶胶-凝胶法合成了Cd掺杂ZnO纳米粉体(Zn 1− X Cd XO , 0.15≤ X ≤0.45)。X 射线衍射 (XRD) 显示粉末具有六方纤锌矿结构的 ZnO 多晶，而没有形成对应于 CdO、Cd 或 Zn 簇的第二相。发现样品的结晶度随着镉含量的增加而恶化，并且优选沿（002）生长。此外，扫描电子显微镜 (SEM) 图像表明存在均匀的微晶尺寸分布，随着镉浓度的增加而减小。样品的光学带隙调制从 3.15 eV 降低到 2.76 eV，据信是造成紫外可见光 (UV-Vis) 光谱随 Cd 含量增加而发生红移的原因。光致发光 (PL) 光谱在 378.8 nm 处显示出强烈的紫外发射和从 425 nm 扩展到 600 nm 的宽可见光发射，具有单调的红移。所采用的方法非常适合合成用于在可见光区域运行的器件以及开发异质结 (Cd:ZnO) 结构的材料。