[NEt₄][CpV(CO)₃H] | 73543-50-7

• 英文名称: [NEt₄][CpV(CO)₃H]
• CAS: 73543-50-7
• 化学式: C₈H₆O₃V*C₈H₂₀N
• 分子量: 331.329
• InChiKey: SHMFNACEDWDEBE-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  [NEt₄][CpV(CO)₃H] 在 [Ph₃C][BF₄] 作用下， 以 四氢呋喃 、 氯仿 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  Syntheses with η5-C5H5V(CO)3THF: Generation, and substitution reactions. First observation of 51V-117,119Sn coupling

  摘要：

  DOI：

  10.1016/0022-328x(85)87284-3
• 作为产物：
  描述：

  Na2V(η5-C5H5)(CO)3 、 四乙基氯化铵 以 乙腈 为溶剂， 生成 [NEt₄][CpV(CO)₃H]
  参考文献：
  名称：

  Synthesis and nmr-spectroscopy characteristics of carbonylhydridovanadium complexes stabilized by oligotertiary phosphines

  摘要：

  DOI：

  10.1016/s0022-328x(00)85899-4
• 作为试剂：
  描述：

  9-碘菲 在 [NEt₄][CpV(CO)₃H] 、 氢气 、 1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳-7-烯 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 20.0 ℃ 、721.87 kPa 条件下， 以34%的产率得到菲
  参考文献：
  名称：

  H2 下烷基碘自由基环化的催化：[CpV(CO)3H]– 电子转移的证据

  摘要：

  自由基环化通常是在自由基引发剂存在下用 Bu3SnH 实现的，但出于环境考虑，需要开发替代试剂——可以作为氢原子的合成等价物。我们重新审视了 [CpV(CO)3H]-（Bu3SnH 的已知替代品），发现它可以在碱存在下在 H2 下起催化作用。我们已经对烷基碘底物进行了无锡催化自由基环化。该反应具有原子效率，条件温和，对官能团具有广泛的耐受性。例如，我们已经实现了第一个涉及攻击氯乙烯的 5-exo 自由基环化。我们认为自由基是由初始电子转移产生的。

  DOI：

  10.1021/jacs.8b02119

文献信息

• Vanadium-metal bonds in carbonylvanadium complexes: A 51V NMR spectroscopic investigation
  作者：Ridvan Talay、Dieter Rehder

  DOI：10.1016/s0022-328x(00)99119-8

  日期：1984.2

  The complexes [V(ERm)(CO)6] (ERm = SnPh3 SnEt3, PbPh3, AuPPh3), [V(EPh3)(CO)5PPh3] and [Et4N]2[V(EPh3(CO)5] (E=Sn, Pb), and [Et4N][V(η5-C5H5)(EPh3)(CO)3] (E = Si, Ge, Sn, Pb) have been prepared and investigated by 51V NMR spectroscopy. Shielding of the vanadium nucleus decreases in the order Sn > Ge > Si > Pb as a result of counteracting effects upon the paramagnetic deshielding term. The trends are

  配合物[V（ER m）（CO）6 ]（ER m = SnPh 3 SnEt 3，PbPh 3，AuPPh 3），[V（EPh 3）（CO）5 PPh 3 ]和[Et 4 N] 2 [ V（EPH 3（CO）5 ]（E =锡，铅），和[等4 N] [V（η 5 -C 5 H ^ 5）（EPH 3）（CO）3 ]（E =硅，锗， Sn，Pb）已由51制备并进行了研究1 H NMR光谱。由于对顺磁去屏蔽项的抵消作用，钒核的屏蔽按Sn> Ge> Si> Pb的顺序降低。在影响过渡金属羰基衍生物中的金属屏蔽的分子参数（极化率，共价性，电负性和配体强度）的一般上下文中讨论了这种趋势。在[V（SNR的情况下，3）（CO）6 ]，离子对形成（[R 3的Sn] + [V（CO）6 ] - ，而不是七协调预测[V（η。5 -C 5 H 5）（SnPh 3）（CO）3 ] -相对于VOCl 3将δ（51 V）标度的低频区域扩展到-2054