Electrical and Hall Resistivity in Rare Earth Intermetallic Compounds RAg<sub>1-<i>x</i></sub>In<sub><i>x</i></sub> (R: Gd, Tb and Dy)
作者:Katsuma Yagasaki、Hironobu Fujii、Hiroshi Fujiwara、Tetsuhiko Okamoto
DOI:10.1143/jpsj.49.250
日期:1980.7
The electrical resistivity and the Hall resistivity in polycrystalline specimens of RAg 1- x In x have been measured from 4.2 K to room temperature and the paramagnetic region up to room temperature, respectively. The spin disorder resistivity at 0 K, ρ m (0), takes a maximum near the boundary of the different magnetic structures in each compound system, and that above the Curie temperature, ρ m (∞)
RAg 1- x In x 多晶样品的电阻率和霍尔电阻率分别在 4.2 K 至室温和顺磁区至室温的范围内测量。自旋无序电阻率在 0 K 时,ρ m (0),在每个复合系统中不同磁结构的边界附近取最大值,并且在居里温度以上,ρ m (∞),在 Gd 系统中随 x 增加,而在 Tb 和 Dy 系统中,它在 x = 0.3 附近需要最大值。普通霍尔系数 R 0 对所有化合物都是正的。另一方面,自发霍尔系数 R s 对于除 GdAg 和 TbAg 之外的所有化合物都是负的,并且在所有系统中,当 x ≥ 0.1 时,其大小随 x 增加。已经在局部自旋模型的基础上讨论了结果。