Tetraethylammonium-tetrachloroindat(III) | 20678-78-8

• 英文名称: Tetraethylammonium-tetrachloroindat(III)
• CAS: 20678-78-8
• 化学式: C₈H₂₀N*Cl₄In
• 分子量: 386.886
• InChiKey: NQZQEQMPTCGFOX-UHFFFAOYSA-J

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  Cp2ZrC4Me4 、 Tetraethylammonium-tetrachloroindat(III) 以 四氢呋喃 为溶剂， 以89%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  Synthesis of main group heterocycles by metallacycle transfer from zirconium

  摘要：

  DOI：

  10.1021/ja00215a057
• 作为产物：
  描述：

  盐酸 、 四乙基氯化铵 、 indium nitrate hydrate 以 水 为溶剂， 反应 72.0h， 以49.1%的产率得到Tetraethylammonium-tetrachloroindat(III)
  参考文献：
  名称：

  一系列有机-无机杂化化合物[（C2H5）4N] InCl4-xBrx（x = 0、2、4）：合成，晶体结构和非线性光学性质。

  摘要：

  通过水热反应合成了一系列非中心对称（NCS）四乙基铵四卤化铟铟杂化物[（C2H5）4N] InCl4-xBrx（x = 0，2，4）。确定了它们的结构，热性质以及线性和非线性光学性质。晶体属于同构六边形系统，其特征为零维结构，其中包含孤立的扭曲InCl4-xBrx-四面体，并插入了[N（C2H5）4] +阳离子作为电荷平衡。根据粉末二次谐波的产生，[（C2H5）4N] InCl4-xBrx（x = 0、2、4）的SHG值分别估计为大约0.5、0.7、0.8×KDP。通过第一性原理计算来评估卤素成分与带隙，光学各向异性和倍频效应之间的关系，

  DOI：

  10.1021/acs.inorgchem.0c00508

文献信息

• Metallacycle Transfer from Zirconium to Main Group Elements: A Versatile Synthesis of Heterocycles
  作者：Paul J. Fagan、William A. Nugent、Joseph C. Calabrese

  DOI：10.1021/ja00084a031

  日期：1994.3

  The reaction of zirconium metallacycles is used to produce a variety of main group heterocycles including borole Diels-Alder dimers, galloles, indacyclopentadienes, siloles, germoles, stannoles, phospholes, arsoles, stiboles, bismoles, thiophenes, selenophenes, dihydrothiophenes, dihydroselenophenes, tetrahydrothiophenes, tetrahydroselenophenes, stannacyclopentanes, phospholenes, and isothiazoles.

  锆金属环的反应用于生产各种主族杂环，包括硼醇 Diels-Alder 二聚体、galloles、indacyclopentadienes、siloles、germoles、stannoles、phospholes、arsoles、stiboles、bismoles、噻吩、硒代四氢噻吩、二氢噻吩、二氢噻吩、四氢硒酚、锡环戊烷、磷烯和异噻唑。讨论了 1-苯基-2,3,4,5-四甲基硼的硼醇 Diels-Alder 二聚体的 X 射线晶体学研究，并与 7-降冰片烯基碳鎓离子的结构进行了比较。描述了这种金属环转移反应的范围和潜力
• 1,2‐Dithiooxalato‐Bridged Heterobimetallic Complexes as Single‐Source Precursors for Ternary Metal Sulfide Semiconductors
  作者：Mathias Nowotny、Sabine Foro、Silvio Heinschke、Rudolf C. Hoffmann、Jörg J. Schneider

  DOI：10.1002/ejic.201402990

  日期：2015.1

  4 are potential molecular single-source precursors (SSP) for the ternary semiconductors CuInS2 and Cu2SnS3, respectively, which can be manipulated under ambient conditions. Indeed, a study or the thermal degradation of 3 and 4 revealed that 3 affords pure nanoscaled CuInS2 (mean diameter ca. 2 rim) when the decomposition is carried out in an oleyla.mine solution by using a hot-injection or arrested-precipitation

  新的 1,2-二硫代草酸桥连双金属 Cu-Ga、Cu-In 和 Cu-Sn 配合物 [[(Ph3P)(2)Cu(mu-S2C2O2)}(3)Ga] (1), [( Ph3P)(2)Cu(mu-S2 )}(3)In] (2), [(Ph3P)(2)Cu(mu-S2 )In-(S2CNEt2)(2)] (3) 和 [ (Ph3P)(2)Cu(mu-S2 )}(2)Sn(S2 )] (4) 被制备和光谱充分表征。给出了2-4的晶体结构。配合物 3 和 4 分别是三元半导体 CuInS2 和 Cu2SnS3 的潜在分子单源前体（SSP），它们可以在环境条件下进行操作。事实上，一项研究或 3 和 4 的热降解表明，当使用热注射或停滞沉淀技术在油胺溶液中进行分解时，3 提供纯纳米级 CuInS2（平均直径约 2 rim）在远低于 250 摄氏度的温度下。相比之下，4 在相同