用Si还原ThO₂可得到ThSi₂。
首先,称取一定比例(ThO₂与4Si的质量比为14.8g∶22.47g)的待反应样品,并将其用苯润湿。在机械动力驱动的玛瑙研钵中充分混合这些物质。此操作非常重要,否则难以维持一个稳定的反应区域。
接下来,在一个特殊的(可拆卸的)塑模中使用20吨水压将样品压制成两个(5×5×90)mm³的棒状物,并在两根棒之间用线连接固定起来,以防止安装或测定操作时发生扭曲。两棒的接触点置于阴极系统内。
开启加速电压至3~5kV(具体值需根据试验确定)。逐渐增大阴极电流,使样品棒上半部顶端略微变热,当电流进一步增加时,反应开始并形成一个窄的熔融区。生成的一氧化硅气体因冷凝不会影响系统的真空度。
通过机械装置控制反应区域的加热,并使用电子控制器维持电流稳定性以建立稳定的反应区。此过程将给定的氧化物转化为与硅的合金。确定合金成分后,将合金与适量纯硅混合,从而得到所需的金属和硅的比例。若适当过量硅存在,则可获得接近所需组成的产物。最终,所得产品将是硅化物和单质硅的混合物,后者可通过溶解在稀的煮沸氢氧化钠溶液中被除去。