摘要:
报道了四溴锑酸根(III)和二卤代(卤素取代的苯-1,2-二醇基)锑酸根(III)阴离子的一系列杂环碱金属盐的121 SbMössbauer参数。发现化学异构体位移(δ)与Sb形成的短键数之间存在密切关系。结果表明,位移是由最短键的长度及其数量决定的,而不是由Sb III在复合物高度扭曲的环境中形成的键相互作用的总数决定的。较大的负偏移为SBBR 4 -与SBBR相比络合物3这与减少Sb-Br短键的数量并因此减少Sb-Br相互作用的共价特性是一致的。苯二酰氨基锑酸酯(III)的转移被证明是由两个短的Sb-O键的存在决定的。建议这些锑(III)材料中121 Sb四极偶合常数(eQV zz)的大小不仅取决于孤对轨道中的p电子过量,而且取决于使用Sb的细节p电子是键的形成。