bis(η1-cyclopentadienyl)((dimethyl(2-pyridyl)silyl)bis(trimethylsilyl)methyl-κ2C,N)gallium(III) | 1255910-89-4

• 英文名称: bis(η1-cyclopentadienyl)((dimethyl(2-pyridyl)silyl)bis(trimethylsilyl)methyl-κ2C,N)gallium(III)
• 英文别名: PytsiGaCp2
• CAS: 1255910-89-4
• 化学式: C₂₄H₃₈GaNSi₃
• 分子量: 494.552
• InChiKey: OFQJMROKBNSPHQ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  四(二甲氨基)锆 、 三甲基氯硅烷 、 bis(η1-cyclopentadienyl)((dimethyl(2-pyridyl)silyl)bis(trimethylsilyl)methyl-κ2C,N)gallium(III) 以 苯 为溶剂， 以40.3%的产率得到dichlorido[1,1'-(((dimethyl(2-pyridyl)silyl)bis(trimethylsilyl)methyl-κ2C,N)gallanediyl)bis(η5-cyclopentadienyl)]zirconium(IV)
  参考文献：
  名称：

  安莎-Zirconocenes与铝或镓的桥连位

  摘要：

  （Pytsi）ECp 2类型的双（环戊二烯基）铝和-镓物种[E = Al（2a），Ga（2b）; 由NaCp和相应的二氯化物（Pytsi）ECl 2制备了Pytsi = C（SiMe 3）2 SiMe 2（2-C 5 H 4 N）] ，分离产率为65％（2a）和83％（2b）。除了应用标准的表征方法（NMR光谱，CHN分析和MS）外，两种化合物的分子结构都通过单晶X射线晶体学解决。之间的反应图2a或2b的与锆（NME 2）4在苯中，随后加入过量的ClSiMe的3，给所述第一柄与铝（-zirconocene二氯4A）或镓（图4b中的桥接位置）。分离出镓化合物4b，产率为40％，并通过NMR光谱，CHN分析和质谱进行表征。不能以分析纯的形式获得铝物质4a；因此，不能得到铝4a。用NMR光谱对其进行表征，并通过单晶X射线分析确定其分子结构。发现4a中Cp配体的两个平面之间的夹角为57.17（11）°，大于Cp

  DOI：

  10.1021/om100788d
• 作为产物：
  描述：

  dichlorido((dimethyl(2-pyridyl)silyl)bis(trimethylsilyl)methyl-κ2C,N)gallium(III) 、 sodium cyclopentadienide 以 甲苯 为溶剂， 以83.3%的产率得到bis(η1-cyclopentadienyl)((dimethyl(2-pyridyl)silyl)bis(trimethylsilyl)methyl-κ2C,N)gallium(III)
  参考文献：
  名称：

  安莎-Zirconocenes与铝或镓的桥连位

  摘要：

  （Pytsi）ECp 2类型的双（环戊二烯基）铝和-镓物种[E = Al（2a），Ga（2b）; 由NaCp和相应的二氯化物（Pytsi）ECl 2制备了Pytsi = C（SiMe 3）2 SiMe 2（2-C 5 H 4 N）] ，分离产率为65％（2a）和83％（2b）。除了应用标准的表征方法（NMR光谱，CHN分析和MS）外，两种化合物的分子结构都通过单晶X射线晶体学解决。之间的反应图2a或2b的与锆（NME 2）4在苯中，随后加入过量的ClSiMe的3，给所述第一柄与铝（-zirconocene二氯4A）或镓（图4b中的桥接位置）。分离出镓化合物4b，产率为40％，并通过NMR光谱，CHN分析和质谱进行表征。不能以分析纯的形式获得铝物质4a；因此，不能得到铝4a。用NMR光谱对其进行表征，并通过单晶X射线分析确定其分子结构。发现4a中Cp配体的两个平面之间的夹角为57.17（11）°，大于Cp

  DOI：

  10.1021/om100788d