Cl4(PhCN)W(NPh) | 639515-99-4

• 英文名称: Cl4(PhCN)W(NPh)
• CAS: 639515-99-4
• 化学式: C₁₃H₁₀Cl₄N₂W
• 分子量: 519.898
• InChiKey: NEPNVQRUPPLMNO-UHFFFAOYSA-J

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  Cl4(PhCN)W(NPh) 在 氢气 作用下， 以 gas 为溶剂， 生成 tungsten carbonitride
  参考文献：
  名称：

  Cl 4（PhCN）W（NPh）作为用于沉积氮化钨（WN x）薄膜的单源MOCVD前驱体

  摘要：

  测试了苯基亚氨基钨络合物Cl 4（PhCN）W（NPh）（2b）作为氮化钨（WN x）薄膜生长的单源前驱体，并将结果与​​先前从异丙基亚氨基络合物Cl 4沉积的膜进行了比较（RCN）W（N i Pr）（1a，R ＝ CH 3；1b，R ＝ Ph）。从2b沉积的薄膜在475–750°C的温度范围内显示2至21Åmin -1的生长速率，在动力学控制范围内，薄膜生长的表观活化能为1.41±0.58 eV。非晶β-WN X在低于500°C的温度下沉积薄膜，在475°C的沉积条件下观察到的最小薄膜电阻率和薄层电阻分别为225μΩ-cm和75Ω/□。相反，从异丙基亚氨基配合物1a，b沉积的膜在相似的温度范围内显示出更高的生长速率和更高的氮含量。这些差异归因于苯基亚氨基络合物2b中亚氨基NC键的较高解离能。质谱碎片化模式与此行为一致。

  DOI：

  10.1016/s0022-328x(03)00769-1
• 作为产物：
  描述：

  W(NPh)Cl₄(Et₂O) 、 苯甲腈 以 乙醚 为溶剂， 生成 Cl4(PhCN)W(NPh)
  参考文献：
  名称：

  Cl 4（PhCN）W（NPh）作为用于沉积氮化钨（WN x）薄膜的单源MOCVD前驱体

  摘要：

  测试了苯基亚氨基钨络合物Cl 4（PhCN）W（NPh）（2b）作为氮化钨（WN x）薄膜生长的单源前驱体，并将结果与​​先前从异丙基亚氨基络合物Cl 4沉积的膜进行了比较（RCN）W（N i Pr）（1a，R ＝ CH 3；1b，R ＝ Ph）。从2b沉积的薄膜在475–750°C的温度范围内显示2至21Åmin -1的生长速率，在动力学控制范围内，薄膜生长的表观活化能为1.41±0.58 eV。非晶β-WN X在低于500°C的温度下沉积薄膜，在475°C的沉积条件下观察到的最小薄膜电阻率和薄层电阻分别为225μΩ-cm和75Ω/□。相反，从异丙基亚氨基配合物1a，b沉积的膜在相似的温度范围内显示出更高的生长速率和更高的氮含量。这些差异归因于苯基亚氨基络合物2b中亚氨基NC键的较高解离能。质谱碎片化模式与此行为一致。

  DOI：

  10.1016/s0022-328x(03)00769-1