silicon monofluoride | 11128-24-8

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 类金属盐
• 英文名称: silicon monofluoride
• 英文别名: Silane, fluoro-；fluorosilicon
• CAS: 11128-24-8
• 化学式: FSi
• 分子量: 47.0839
• InChiKey: ZHPNWZCWUUJAJC-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  -98.6 °C

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.04
• 重原子数：
  2
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  silicon monofluoride 、 六氟化硫 以 gaseous matrix 为溶剂， 生成 difluorosilylene
  参考文献：
  名称：

  的SiF的动力学（X 2 Π - [R ）通过时间分辨共振分子吸收光谱的Si（3的反应以下3 P Ĵ，3 1 d 2，3 1 s ^ 0），通过脉冲照射而产生，与氟化化合物

  摘要：

  我们提出的SiF的接地端和第一激发态的调查（X 2 Π ř和阿2 Σ +）导致的绝对二阶速率常数，该分子在第一测量。的SiF（X 2 Π - [R ）中的溶液由Si（3反应生成3 P Ĵ，3 1 d 2，3 1 š 0）与所述类型的RF的分子，通过的SiCl的重复脉冲照射而产生的4中的存在慢流量系统中过量的氦缓冲气体。的SiF（X 2 Π ř）通过时间分辨分子共振吸收在λ= 436.8处监测[的SiF（A 2 Σ +）â†的SiF（X 2 Π - [R ），（0,0）]使用的信号平均技术。从在F 2，SiF 4和SF 6存在下测得的吸收曲线得出的SiF的生长与先前报道的去除Si（3 3 P J），Si（3 1 D 2）和Si（3）的速率数据一致。Si（3 1 S 0）。所述的SiF（衰减组件X 2 Π ř由分布图得出的）可产生以下与RF反应的绝对二阶速率常数：[图省略] F原子抽象在所有情

  DOI：

  10.1039/f29868200937
• 作为产物：
  描述：

  silicon tetrafluoride 以 gaseous matrix 为溶剂， 生成 silicon monofluoride
  参考文献：
  名称：

  在碰撞诱导的SiFÇ大的旋转能量释放2 Δ -B 2 Σ +化合价里德伯转印

  摘要：

  在SIF中C下制备不同旋转人口分布2 Δ，ν = 0的基团由laserexcitation。用H碰撞2或N 2传送的℃的馏分2个Δ分子平躺下-B 2 Σ +状态。BX荧光光谱揭示了在主要乙新生旋转种群2 Σ +，ν '= 0电平。SiF旋转会释放很大一部分可用能量，从而补充了初始SiF旋转角动量。有更大的SiF乙2 Σ + N个产品旋转2比H 2要大。一个简单的脉冲模型能够合理化这些观察结果，这与先前的振动解析测量结果和过渡的价-里德伯格特征一致。

  DOI：

  10.1016/0009-2614(95)00798-9

文献信息

• Laser-induced fluorescence spectroscopy of SiF produced by IR multiple-photon dissociation of SiF4
  作者：V.K. Popov、M. Rossberg、W. Strube、J. Wollbrandt、E. Linke

  DOI：10.1016/0022-2860(90)80271-k

  日期：1990.3

  Abstract Excitation spectra and dispersed fluorescence were measured in the β-system (B 2 Σ-X 2 π) of the SiF radical produced by multiphoton dissociation (MPD) of SiF 4 with a TEA CO 2 laser. Within the limits of error no effect of the wavelength of the photolysis laser on the spectra was found. Formation and decay kinetics of SiF during and after IR laser excitation, as monitored by LIF, are also

  摘要 用TEA CO 2 激光对SiF 4 的多光子解离(MPD) 产生的SiF 自由基的β-系统(B 2 Σ-X 2 π) 进行了激发光谱和分散荧光的测量。在误差范围内，没有发现光解激光的波长对光谱的影响。还介绍了由 LIF 监测的在红外激光激发期间和之后 SiF 的形成和衰变动力学。对于不同波长的 CO 2 激光，SiF LIF 信号的时间行为是不同的。对于接近线性吸收带的波长，SiF 的形成没有诱导期。对于两个 CO 2 激光分支，动力学的压力依赖性是不同的。
• Infrared diode laser spectroscopy of the SiF radical
  作者：Keiichi Tanaka、Yasunobu Akiyama、Takehiko Tanaka

  DOI：10.1016/0022-2852(89)90268-3

  日期：1989.9

  The vibration-rotation spectrum of the SiF radical produced in a glow discharge of silicon tetrafluoride (SiF4) was observed using an infrared diode laser spectrometer. The SiF lines were discriminated from much stronger SiF2 lines by the discharge current modulation and Zeeman modulation techniques. Twelve and 15 lines belonging to the 2Π12 and 2Π32 spin states, respectively, were identified for the

  使用红外二极管激光光谱仪观察在四氟化硅 (SiF4) 辉光放电中产生的 SiF 自由基的振动旋转光谱。通过放电电流调制和塞曼调制技术将 SiF 线与更强的 SiF2 线区分开来。分别属于 2Π12 和 2Π32 自旋态的 12 条线和 15 条线被确定为基电子态的基带。由于 Λ 型加倍，大部分 2Π12 态的谱线都观察到分裂。v = 1 状态的精确分子常数，包括旋转、离心畸变和自旋轨道耦合常数，是从最小二乘分析中获得的，其中基态常数受微波光谱测定的约束。由此获得的基带原点为 847.7205 ± 0.0005 cm-1，其中不确定性对应于三个标准偏差。平衡键长 re 由平衡旋转常数 Be = 0.581241 ± 0.000002 cm-1 推导出为 1.601018 ± 0.000003 A。
• Infrared diode laser spectroscopy of the SiF+ ion
  作者：Yasunobu Akiyama、Keiichi Tanaka、Takehiko Tanaka

  DOI：10.1016/s0009-2614(89)87352-x

  日期：1989.2

  The infrared diode laser spectrum of the SiF+ ion generated in a SiF4 plasma has been observed. Twenty-one and ten lines in the R and P branches, respectively, of the fundamental band and three R branch lines in the v=2←1 hot band were recorded using the hollow cathode discharge modulation technique. A sharp decrease of the intensity caused by the magnetic field, which is characteristic of ion lines

  已经观察到在SiF 4等离子体中产生的SiF +离子的红外二极管激光光谱。使用空心阴极放电调制技术分别记录了基带的R和P分支中的21条线和10条线，以及在v = 2←1热带中记录了3条R分支线。观察到由离子线所特有的磁场引起的强度急剧下降。带起源是1040.4833±0.0006和±1030.59080.0005厘米-1为基波和热轧带，分别从其中ω Ê = 1050.3757±0.0013厘米-1和ω Ë χ Ê = 4.9462±0.0004厘米-1派生。基态和第一激发振动状态的旋转常数分别为0.637010±0.000015和0.632311±0.000015 cm -1，基态的离心变形常数为（0.9466±0.0046）×10 -6 cm -1。平衡键长度为r e = 1.52652±0.00008Å。
• An XPS study of XeF2 dry etching of tungsten silicide
  作者：E. Grossman、A. Bensaoula、A. Ignatiev

  DOI：10.1016/0039-6028(88)90575-4

  日期：1988.1

  (QCM) measurements have been used to study the etching of WSi0.6 by XeF2. Preferential etching of Si was observed for spontaneous etching and ion beam assisted etching. The Si removal from the WSi matrix created defects which enhanced the spontaneous etch rate by up to 30 times over that of the W(100) etch rate. The surface composition of WSi0.6 changed under XeF2 exposure with the observation of WF

  X 射线光电子能谱 (XPS) 和石英晶体微量天平 (QCM) 测量已被用于研究 XeF2 对 WSi0.6 的蚀刻。对于自发蚀刻和离子束辅助蚀刻，观察到 Si 的优先蚀刻。从 WSi 基体中去除 Si 产生的缺陷使自发蚀刻速率比 W(100) 蚀刻速率提高了 30 倍。通过观察 WF、SiF 和 SiF3 以及捕获在反应层中的挥发性反应产物 SiF4，WSi0.6 的表面组成在 XeF2 暴露下发生了变化。
• The interaction of WF6 with Si(100); thermal and photon induced reactions
  作者：R.B. Jackman、J.S. Foord

  DOI：10.1016/0039-6028(88)90596-1

  日期：1988.1

  Abstract The thermal and UV photon-induced interaction between WF6 and Si(100) has been examined using AES and thermal desorption mass spectrometry. At 77 K WF6 physisorbs on the silicon surface. Above 150 K dissociative chemisorption phases are formed, which decompose in three distinct stages as the temperature is raised in the range 300–900 K to desorb silicon fluoride and produce a Si/W interface

  摘要 已使用 AES 和热解吸质谱法检查了 WF6 和 Si(100) 之间的热和紫外光子诱导相互作用。在 77 K WF6 物理吸附在硅表面上。高于 150 K 时会形成解离化学吸附相，随着温度在 300-900 K 范围内升高，其分解为三个不同的阶段，以解吸氟化硅并产生 Si/W 界面。结果表明，WF6 在高于 300 K 的 Si(100) 上迅速形成薄腐蚀膜，随着该层开始增厚，这会产生明显的钝化效果。快速反应需要 Si 相互扩散到该生长膜中并解吸氟化硅；因此，稳态反应速率在 300-400 K 的温度范围内显着增加，这些过程的速率上升到与表面的 WF6 通量相当。SiFx 物种的自发进化被观察为化学吸附的竞争途径，并讨论了这种现象的起源。来自氘灯的低强度紫外光被发现对 WF6 在 Si(100) 上形成的解离态没有影响。相比之下，发现光子照射会导致分子吸收的 WF6 快速解离，导致