摩熵化学
数据库官网
小程序
打开微信扫一扫
首页 分子通 化学资讯 化学百科 反应查询 关于我们
请输入关键词

chloro(l2-germyl)silane | 945268-09-7

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
chloro(l2-germyl)silane
英文别名
——
chloro(l2-germyl)silane化学式
CAS
945268-09-7
化学式
ClGeH5Si
mdl
——
分子量
141.168
InChiKey
VVQSDWXZOFPUID-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    -1.41
  • 重原子数:
    3.0
  • 可旋转键数:
    0.0
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    0.0
  • 氢给体数:
    0.0
  • 氢受体数:
    0.0

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    germylsilyl trifluoromethanesulfonate 、 cesium chloride 以 癸烷 为溶剂, 以56%的产率得到chloro(l2-germyl)silane
    参考文献:
    名称:
    用于 CMOS 兼容半导体应用的 ClnH6-nSiGe 化合物:合成和基础研究
    摘要:
    我们描述了基于化学式 ClnH6-nSiGe 的新型氯化硅锗氢化物家族的合成。H3SiGeH3 的选择性受控氯化是通过与 BCl3 反应生成 ClH2SiGeH3 (1) 和 Cl2HSiGeH3 (2) 来实现的。这代表了一种可行的单步路线,以用于半导体应用的商业产量获得目标化合物。内置的 Cl 功能专门设计用于促进与 CMOS 处理兼容的选择性生长。更高级的多氯化衍生物,如 Cl2SiHGeH2Cl (3)、Cl2SiHGeHCl2 (4)、ClSiH2GeH2Cl (5) 和 ClSiH2GeHCl2 (6) 也首次被生产,导致了一类新的高反应性 Si-Ge 化合物和实际利益。化合物 1-6 通过物理和光谱方法表征,包括 NMR、FTIR、和质谱。结果与第一性原理密度泛函理论相结合,用于阐明 ClnH6-nSiGe 整个序列的结构、热化学和振动趋势,并深入了解反应动力学对产物中 Cl
    DOI:
    10.1021/ja0713680
点击查看最新优质反应信息

文献信息

  • Cl<i><sub>n</sub></i>H<sub>6-</sub><i><sub>n</sub></i>SiGe Compounds for CMOS Compatible Semiconductor Applications:  Synthesis and Fundamental Studies
    作者:Jesse B. Tice、Andrew V. G. Chizmeshya、Radek Roucka、John Tolle、Brian R. Cherry、John Kouvetakis
    DOI:10.1021/ja0713680
    日期:2007.6.1
    derivatives such as Cl2SiHGeH2Cl (3), Cl2SiHGeHCl2 (4), ClSiH2GeH2Cl (5), and ClSiH2GeHCl2 (6) have also been produced for the first time leading to a new class of highly reactive Si-Ge compounds that are of fundamental and practical interest. Compounds 1-6 are characterized by physical and spectroscopic methods including NMR, FTIR, and mass spectroscopy. The results combined with first principles density
    我们描述了基于化学式 ClnH6-nSiGe 的新型氯化硅锗氢化物家族的合成。H3SiGeH3 的选择性受控氯化是通过与 BCl3 反应生成 ClH2SiGeH3 (1) 和 Cl2HSiGeH3 (2) 来实现的。这代表了一种可行的单步路线,以用于半导体应用的商业产量获得目标化合物。内置的 Cl 功能专门设计用于促进与 CMOS 处理兼容的选择性生长。更高级的多氯化衍生物,如 Cl2SiHGeH2Cl (3)、Cl2SiHGeHCl2 (4)、ClSiH2GeH2Cl (5) 和 ClSiH2GeHCl2 (6) 也首次被生产,导致了一类新的高反应性 Si-Ge 化合物和实际利益。化合物 1-6 通过物理和光谱方法表征,包括 NMR、FTIR、和质谱。结果与第一性原理密度泛函理论相结合,用于阐明 ClnH6-nSiGe 整个序列的结构、热化学和振动趋势,并深入了解反应动力学对产物中 Cl
查看更多