[EN] COMPOSITION FOR FORMING SILICON-CONTAINING FILM AND PATTERN FORMING METHOD USING SAID COMPOSITION<br/>[FR] COMPOSITION POUR FORMER UN FILM CONTENANT DU SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF UTILISANT LADITE COMPOSITION<br/>[JA] シリコン含有膜形成用組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法
申请人:JSR CORP
公开号:WO2016111210A1
公开(公告)日:2016-07-14
塩基性液を用いてウェット剥離を行う際の剥離性が良好な、新規なシリコン含有膜形成用組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。 レジスト下層膜表面にシリコン含有膜を形成し、該シリコン含有膜を塩基性液によって剥離する工程を含む多層レジストプロセスに用いるシリコン含有膜形成用組成物であって、下記一般式(1)で表される部分構造及び下記一般式(2)で表される部分構造からなる群より選ばれる一種以上を有する化合物を含むことを特徴とする、シリコン含有膜形成用組成物を提供する。(式(1)中、L,-SO2-O-*及びX1が環を構成しない場合、Lは単結合又は2価の有機基であり、X1は水素原子又は1価の有機基である。 L,-SO2-O-*及びXが環を構成する場合、Lは3価の有機基であり、X1は2価の有機基である。(なお、*はOとX1との結合位置を示す。)) (式(2)中、X2は水素原子又は1価の有機基である。)