[(MeCp)2HfMe(OMe)] | 916596-94-6

• 英文名称: [(MeCp)2HfMe(OMe)]
• CAS: 916596-94-6
• 化学式: C₁₄H₂₀HfO
• 分子量: 382.802
• InChiKey: DKTUWKKSFMRPBE-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  105 °C/0.3-0.4 mmHg(lit.)
• 密度：
  1.63 g/mL±0.01 g/mL at 25 °C(lit.)
• 闪点：
  106 °C

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  臭氧 、 tetrakis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)cerium (IV) 、 [(MeCp)2HfMe(OMe)] 生成
  参考文献：
  名称：

  通过铈掺杂增强二氧化铪高κ薄膜的介电常数

  摘要：

  报道了铈掺杂对二氧化铪介电性能的影响。掺铈氧化铪 Cex-Hf1-xO2 (x=0.10,0.17,0.34) 薄膜已通过液体注入原子层沉积生长。在 900 °C 下退火后，所有薄膜都从非晶态转变为稳定的立方或四方相。Ce0.1–Hf0.9O2 的沉积薄膜显示出低滞后电压和可忽略不计的平带电压偏移。在退火形成立方晶相或四方晶相后，相对介电常数 (κ) 在 100 kHz 时从 25 增加到 32，漏电流密度在 ±1 MV cm-1 为 ~1.58×10-5 A cm-2。效果报道了铈掺杂对二氧化铪介电性能的影响。掺铈氧化铪薄膜 Cex–Hf1−xO2 (x=0.10,0.17,0. 34）已经通过液体注入原子层沉积生长。在 900 °C 下退火后，所有薄膜都从非晶态转变为稳定的立方或四方相。Ce0.1–Hf0.9O2 的沉积薄膜显示出低滞后电压和可忽略不计的平带电压偏移。在退火形成立方晶相或四方晶相后，相对介电常数

  DOI：

  10.1063/1.3023059