Ru(η5-C5EtH4)(η5-CH2C(Me)CHC(Me)CH2) | 501652-75-1

• 英文名称: Ru(η5-C5EtH4)(η5-CH2C(Me)CHC(Me)CH2)
• 英文别名: (η⁵-2,4-dimethyl-2,4-pentadienyl)(η⁵-ethylcyclopentadienyl)ruthenium；(2,4-dimethylpentadienyl)(ethyl-cyclopentadienyl) ruthenium；2,4-(dimethylpentadienyl)(ethylcyclopentadienyl)ruthenium；Ru(η⁵-C₅EtH₄)(η⁵-CH₂C(Me)CHC(Me)CH₂)；[(2,4-dimethylpentadienyl)(ethylcyclopentadienyl)Ru]；DER
• CAS: 501652-75-1
• 化学式: C₁₄H₂₀Ru
• 分子量: 289.383
• InChiKey: WWHUBRGJSFYMLL-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  Ru(η5-C5EtH4)(η5-CH2C(Me)CHC(Me)CH2) 在 氧气 作用下， 以 further solvent(s) 为溶剂， 生成 钌
  参考文献：
  名称：

  使用 2,4-(二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)Ru 通过液体注射系统进行 Ru 薄膜的原子层沉积

  摘要：

  使用 2,4-(二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)Ru 和 O 2 作为 Ru 前体和反应物，分别在 230 ℃的温度范围内，通过原子层沉积在 Si、SiO 2 、TiO 2 和 TiN 衬底上生长 Ru 薄膜到 280°C。在 250°C 下获得了 0.04 nm/循环的饱和生长速率和低氧浓度（低于俄歇电子能谱的检测极限）。Ru薄膜在所有不同类型的基材上显示出可忽略不计的潜伏期，以及导致非常光滑的薄膜表面形态的活跃成核行为。二甲基戊二烯基配体增强了 Ru 的活性成核并延缓了生长的 Ru 层的氧化。良好的阶梯覆盖（>

  DOI：

  10.1149/1.2403081

文献信息

• Metalorganic chemical vapor deposition of atomically flat SrRuO3 films on stepped SrTiO3 substrates
  作者：Akihiro Sumi、Kenji Takahashi、Shintaro Yokoyama、Hitoshi Morioka、Hiroshi Funakubo、Mamoru Yoshimoto

  DOI：10.1063/1.2006989

  日期：2005.8

  thicknesses of 50–80nm were systematically grown at 750°C on (100)SrTiO3 substrates by metalorganic chemical vapor deposition with different supply rates of the Sr and Ru source gases. Stoichiometric films with a low resistivity of 240–260μΩcm can be grown on polished (100)SrTiO3 substrates over a wide range of source gas supply rates. However, the surface flatness of the deposited film was very sensitive to

  厚度为 50-80nm 的外延 SrRuO3 薄膜在 750°C 下通过有机金属化学气相沉积在 (100)SrTiO3 衬底上系统生长，Sr 和 Ru 源气体的供应速率不同。具有 240-260μΩcm 低电阻率的化学计量薄膜可以在很宽的源气体供应速率范围内在抛光的 (100) 衬底上生长。然而，沉积膜的表面平整度对输入源气体供应速率的变化非常敏感。在优化的输入气体供应速率下，具有台阶和痕量结构表面的 SrRuO3 薄膜在抛光和原子级平坦的 衬底上生长。在抛光的 衬底上获得了 7-8nm 的高度和 500-1000nm 的平台宽度，但单个晶胞高度约为 0。在原子级平坦的 基板上获得 4nm 的阶跃宽度，台阶宽度为 200-300nm。这开启了大规模生产原子级平坦导电钙钛矿层的可能性。
• RUTHENIUM COMPLEX AND METHOD FOR PRODUCING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING RUTHENIUM-CONTAINING THIN FILM
  申请人：Tosoh Corporation

  公开号：EP2930179B1

  公开（公告）日：2018-09-05