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2-isopropyl-3,3-dimethyl-butyryl chloride
2-isopropyl-3,3-dimethyl-butyryl chloride | 54438-78-7
中文名称
——
中文别名
——
英文名称
2-isopropyl-3,3-dimethyl-butyryl chloride
英文别名
(tetraphenylporphyrin)(nitrosyl)MnCl
CAS
54438-78-7
化学式
C
44
H
28
ClMnN
5
O
mdl
——
分子量
733.13
InChiKey
ZIIYBFGINZBKOK-NBICUONBSA-M
BEILSTEIN
——
EINECS
——
物化性质
计算性质
ADMET
安全信息
SDS
制备方法与用途
上下游信息
反应信息
文献信息
表征谱图
同类化合物
相关功能分类
相关结构分类
计算性质
辛醇/水分配系数(LogP):
None
重原子数:
None
可旋转键数:
None
环数:
None
sp3杂化的碳原子比例:
None
拓扑面积:
None
氢给体数:
None
氢受体数:
None
反应信息
作为反应物:
描述:
2-isopropyl-3,3-dimethyl-butyryl chloride
在 N
2
作用下, 以 not given 为溶剂, 生成 (5,10,15,20-tetraphenylporphyrinato)manganese(III) chloride
参考文献:
名称:
硒化镉与金属卟啉溶液和薄膜接触的光致发光特性:一氧化氮传感和分析物对埋入半导体薄膜界面的厌恶的证据
摘要:
通过在氮饱和二氯甲烷溶液中吸附三价金属卟啉 MTPPCl(TPP = 四苯基卟啉;M = Mn、Fe、Co),蚀刻的 n-CdSe 单晶的带边光致发光 (PL) 强度可逆地猝灭。PL 响应依赖于浓度,可以拟合朗缪尔吸附等温线模型以产生约 103-104 M-1 的结合常数。MTPPCl 化合物与溶液中的 NO 不可逆地反应形成亚硝酰基加合物,这些化合物在吸附到半导体表面时可逆地增强 CdSe PL 强度,结合常数也为~103-104 M-1。通过溶剂蒸发在 CdSe 衬底上制备了 MTPPCl 薄膜。这些涂层用作 NO 检测的传感器:虽然裸露的 CdSe 表面对 NO 气体相对于 N2 没有响应,涂层表面可逆地增强 PL 强度(CoTPPCl)或淬灭它(MnTPPCl 和 FeTPPCl),结合常数约为 1 atm-1。与 PL 结果相反...
DOI:
10.1021/ja993855o
作为产物:
描述:
(5,10,15,20-tetraphenylporphyrinato)manganese(III) chloride 、
氧化亚氮
以 not given 为溶剂, 生成
2-isopropyl-3,3-dimethyl-butyryl chloride
参考文献:
名称:
硒化镉与金属卟啉溶液和薄膜接触的光致发光特性:一氧化氮传感和分析物对埋入半导体薄膜界面的厌恶的证据
摘要:
通过在氮饱和二氯甲烷溶液中吸附三价金属卟啉 MTPPCl(TPP = 四苯基卟啉;M = Mn、Fe、Co),蚀刻的 n-CdSe 单晶的带边光致发光 (PL) 强度可逆地猝灭。PL 响应依赖于浓度,可以拟合朗缪尔吸附等温线模型以产生约 103-104 M-1 的结合常数。MTPPCl 化合物与溶液中的 NO 不可逆地反应形成亚硝酰基加合物,这些化合物在吸附到半导体表面时可逆地增强 CdSe PL 强度,结合常数也为~103-104 M-1。通过溶剂蒸发在 CdSe 衬底上制备了 MTPPCl 薄膜。这些涂层用作 NO 检测的传感器:虽然裸露的 CdSe 表面对 NO 气体相对于 N2 没有响应,涂层表面可逆地增强 PL 强度(CoTPPCl)或淬灭它(MnTPPCl 和 FeTPPCl),结合常数约为 1 atm-1。与 PL 结果相反...
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10.1021/ja993855o
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