hafnium disulfide

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 过渡金属有机体
• 英文名称: hafnium disulfide
• 英文别名: hafnium disulphide；Hafnium;sulfane；hafnium;sulfane
• 化学式: HfS₂
• 分子量: 242.622
• InChiKey: LVMOQNFAEMBEEO-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.22
• 重原子数：
  3
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  2
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  hafnium disulfide 在 air 作用下， 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 hafnium(IV) oxide
  参考文献：
  名称：

  Cherkasova, T. G.; Cherkasov, V. S., Russian Journal of Inorganic ChemistryRuss. J. Inorg. Chem. (Transl. of Zh. Neorg. Khim.), 1988, vol. 33, p. 1695 - 1696

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  hafnium sulfide 以 neat (no solvent, solid phase) 为溶剂， 生成 hafnium disulfide
  参考文献：
  名称：

  第4组金属二硫化物的纳米管。

  摘要：

  DOI：

  10.1002/1521-3773(20020916)41:18<3451::aid-anie3451>3.0.co;2-2

文献信息

• Piezooptical Studies of Group 4B Transition Metal Disulfides ZrS₂and HfS₂^*
  作者：Koichi Terashima、Isamu Imai

  DOI：10.1143/jpsj.60.1814

  日期：1991.5.15

  Piezotransmission spectra near the indirect absorption edge and piezoreflectance spectra in the visible region of group 4B transition metal disulfides ZrS 2 and HfS 2 have been studied by the stress modulation technique at 77 K. The uniaxial stress X was applied along the a axis and the spectra were measured using the polarized light, E // X and E ⊥ X , where E is the electric field of the incident

  通过应力调制技术在 77 K 下研究了 4B 族过渡金属二硫化物 ZrS 2 和 HfS 2 的间接吸收边缘附近的压电透射光谱和可见区的压电反射光谱。沿 a 轴施加单轴应力 X，光谱使用偏振光 E // X 和 E ⊥ X 测量，其中 E 是入射光的电场。通过将压电调制光谱与波长调制光谱进行比较来评估应变引起的能级变化。光谱中高能侧的主峰和宽结构源于Γ点和附近跃迁的重叠，而低能侧的其他结构则是由于L和M点的跃迁。
• Raman spectra of IVB and VIB transition metal disulfides using laser energies near the absorption edges
  作者：A.M. Stacy、D.T. Hodul

  DOI：10.1016/0022-3697(85)90103-9

  日期：1985.1

  present Raman spectra of ZrS2, HfS2, MoS2 and WS2 using laser energies near the energies of the absorption edges. The Raman spectra probe the properties of the first-excited electronic state and the nature of the electron-phonon coupling. The spectra of the IVB disulfides are independent of the laser excitation energy, suggesting weak electron-phonon interaction. In contrast, additional Raman bands appear

  在本文中，我们使用吸收边缘能量附近的激光能量呈现 ZrS2、HfS2、MoS2 和 WS2 的拉曼光谱。拉曼光谱探测第一激发电子态的特性和电子-声子耦合的性质。IVB 二硫化物的光谱与激光激发能量无关，表明电子-声子相互作用较弱。相比之下，当激光能量接近带隙能量时，VIB 二硫化物的光谱中会出现额外的拉曼谱带。MoS2 和 WS2 光谱中的新模式不能被指定为一阶过程，也不能被指定为具有零动量的声子的组合带。
• Material Design of Green-Light-Emitting Semiconductors: Perovskite-Type Sulfide SrHfS₃
  作者：Kota Hanzawa、Soshi Iimura、Hidenori Hiramatsu、Hideo Hosono

  DOI：10.1021/jacs.8b13622

  日期：2019.4.3

  semiconductors possessing (i) a deep conduction band minimum (CBM) and a shallow valence band maximum (VBM), (ii) good controllability of electronic conductivity and carrier polarity, and (iii) a directly allowed band gap corresponding to green emission. We focus on early transition metal ( eTM)-based perovskites. The eTM cation's high and stable valence state makes its carrier controllability easy,

  当前发光器件面临的一个问题是缺少适合绿色发射的材料。为了克服这个问题，我们探索了具有 (i) 深导带最小值 (CBM) 和浅价带最大值 (VBM)，(ii) 电子电导率和载流子极性良好可控性，以及 (iii) 直接允许的带隙的半导体对应绿色排放。我们专注于基于早期过渡金属 (eTM) 的钙钛矿。eTM 阳离子的高价态和稳定的价态使其载流子可控性变得容易，并且 eTM 的非键合 d 轨道和阴离子的 p 轨道构成深 CBM 和浅 VBM，分别有利于 n 型和 p 型掺杂。为了获得直接带隙，我们应用了一种方案，将在区域边界处构成 VBM 的带折叠到 CBM 出现的区域中心。正交晶系 SrHfS3 被选为候选者。掺杂镧 (La) 的电导率从 6 × 10-7 调整到 7 × 10-1 S·cm-1，掺杂磷 (P) 的电导率调整到 2 × 10-4 S·cm-1。同时，主要载流子极性通过 La 掺杂控制为
• Indirect absorption edge of ZrS2 and HfS2
  作者：K. Terashima、I. Imai

  DOI：10.1016/0038-1098(87)90916-1

  日期：1987.7

  tranmission spectra and the wavelength-modulated transmission spectra of ZrS 2 and HfS 2 were measured simultaneously over the temperature range from 1.9 to 300K, and structures in the spectra due to the indirect allowed transitions including excitonic effects were clearly observed. Comparing with the band structure calculations, these correspond to Γ − 2 a L + 1 and Γ − 2 a M + 1 transitions.

  摘要 在1.9 到300K 的温度范围内同时测量了ZrS 2 和HfS 2 的透射光谱和波长调制透射光谱，并清楚地观察到由于包括激子效应在内的间接允许跃迁引起的光谱结构。与能带结构计算相比，这些对应于 Γ − 2 a L + 1 和 Γ − 2 a M + 1 跃迁。
• Impedance and Admittance Measurements at Intercalated n ‐ HfS2 / Nonaqueous Electrolyte Interface
  作者：Krystyna W. Semkow、Nirupama U. Pujare、Anthony F. Sammells

  DOI：10.1149/1.2095609

  日期：1988.2.1

  Abstract : Capacitance, impedance and admittance studies were performed on single crystal n-HfS2 before an after copper intercalation from acetonitrile based electrolyte. The n-HfS2/non-aqueous electrolyte interface was modelled by equivalent R-C circuits containing frequency dependent elements. Electrochemical intercalation by copper into n-HfS2 introduced Faradaic conductance effects. The composition

  摘要：对单晶 n-HfS2 进行电容、阻抗和导纳研究，然后从乙腈基电解液中插入铜后。n-HfS2/非水电解质界面由包含频率相关元素的等效 RC 电路建模。铜电化学嵌入 n-HfS2 引入了法拉第电导效应。假设铜在 n-HfS2 中的扩散系数为 10 至第 8 平方厘米/秒，则获得紧邻界面区域的铜嵌入 n-HfS2 的组成。光电阳极显示出 0.1 英里的插入铜明显的简并性，表明 n-HfS2 导带的电子数量逐渐增加。嵌入的 n-HfS2 的电容值为 10 到 6thF/cm 平方的数量级。关键词：