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氢氧化镨 | 16469-16-2

中文名称
氢氧化镨
中文别名
——
英文名称
Praseodymium trihydroxide
英文别名
praseodymium(3+);trihydroxide
氢氧化镨化学式
CAS
16469-16-2
化学式
H3O3Pr
mdl
——
分子量
191.93
InChiKey
ZLGIGTLMMBTXIY-UHFFFAOYSA-K
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 溶解度:
    不溶于水

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    -0.53
  • 重原子数:
    4
  • 可旋转键数:
    0
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    3
  • 氢给体数:
    3
  • 氢受体数:
    3

制备方法与用途

合成制备方法如下: 在硝酸中溶解的氧化物,加入氨水生成沉淀,然后过滤、洗涤,在105℃下干燥。

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    氢氧化镨 反应 2.0h, 生成 praseodymium oxide
    参考文献:
    名称:
    硬X射线光子输入光子输出光谱作为纳米半导体中温度引起的电子离域的探针
    摘要:
    迄今为止,硬X射线光子输入光子输出光谱法主要用于研究超导体中的基本物理现象以及生物无机,光催化和催化材料的化学反应性。在这里,我们以n型半导体Pr 6 O 11纳米粒子为例,说明如何利用高能分辨荧光检测(HERFD)X射线吸收近边缘结构(XANES)来跟踪局部变化。填充的f波段。我们观察到与四价Pr离子在加热和冷却时有关的光谱特征具有可逆变化,而结构和化学转变可以排除在外。我们将这些更改分配给O 2 p –Pr 4 f的占用并显示它们与电导率的变化直接相关。我们的结果证明了HERFD-XANES如何可用于特别研究半导体中f电子的电子特性,以及如何将该方法进一步扩展到其他类型的半导体纳米材料。
    DOI:
    10.1021/acs.chemmater.6b05218
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