迄今为止,硬X射线光子输入光子输出光谱法主要用于研究超导体中的基本物理现象以及生物无机,光催化和催化材料的化学反应性。在这里,我们以n型半导体Pr 6 O 11纳米粒子为例,说明如何利用高能分辨荧光检测(HERFD)X射线吸收近边缘结构(XANES)来跟踪局部变化。填充的f波段。我们观察到与四价Pr离子在加热和冷却时有关的光谱特征具有可逆变化,而结构和化学转变可以排除在外。我们将这些更改分配给O 2 p –Pr 4 f的占用并显示它们与电导率的变化直接相关。我们的结果证明了HERFD-XANES如何可用于特别研究半导体中f电子的电子特性,以及如何将该方法进一步扩展到其他类型的半导体纳米材料。