| 884871-87-8

• CAS: 884871-87-8
• 化学式: C₁₈H₄₃GaN₂Si₃
• 分子量: 441.532
• InChiKey: MHZYOROOVWETKY-XRPAZMCKSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.75
• 重原子数：
  24.0
• 可旋转键数：
  6.0
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.89
• 拓扑面积：
  6.48
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  2.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  、 氧气 生成
  参考文献：
  名称：

  1,4-二(异丙基)-1,4-二氮杂丁二烯 als Abfangreagenz für Monomere Bruchstücke des Tetragalliumclusters Ga4[C(SiMe3)3]4 - Bildung eines ungesättigten GaN2C2-Heterocyclus 和 eines Oxidationsprodukts-Garuppedukts

  摘要：

  1,4-二(异丙基)-1,4-二氮杂丁二烯作为捕获四镓簇 Ga4[C(SiMe3)3]4 单体碎片的试剂——形成不饱和 GaN2C2 杂环和含有 Ga-的氧化产物OO-Ga 组 四面体四镓簇 Ga4[C(SiMe3)3]4 (1) 在溶解时解离，产生单体碎片 Ga-R [R = C(SiMe3)3]。现在可以通过用 1,4-二（异丙基）-1,4-二氮杂丁二烯处理它们的溶液来捕获这些单体。环加成反应 (2) 的产物具有五元 GaN2C2 杂环，具有配位不饱和镓原子和环内 C=C 双键。2 对微量空气的氧化相当敏感。与氧气接触产生过氧化二镓[(C2N2iPr2)RGa-OO-GaR(C2N2iPr2)](3)，其仅以非常低的产率分离并且具有与内部过氧基团的每个氧原子连接的镓原子。3 的两个螯合配体都具有未配对的电子。

  DOI：

  10.1002/zaac.200400536
• 作为产物：
  描述：

  tetrahedro-tetrakis[tris(trimethylsilyl)methylgallium(I)] 、 N,N'-二异丙基乙烷-1,2-二亚胺 以 正戊烷 为溶剂， 以60%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  1,4-二(异丙基)-1,4-二氮杂丁二烯 als Abfangreagenz für Monomere Bruchstücke des Tetragalliumclusters Ga4[C(SiMe3)3]4 - Bildung eines ungesättigten GaN2C2-Heterocyclus 和 eines Oxidationsprodukts-Garuppedukts

  摘要：

  1,4-二(异丙基)-1,4-二氮杂丁二烯作为捕获四镓簇 Ga4[C(SiMe3)3]4 单体碎片的试剂——形成不饱和 GaN2C2 杂环和含有 Ga-的氧化产物OO-Ga 组 四面体四镓簇 Ga4[C(SiMe3)3]4 (1) 在溶解时解离，产生单体碎片 Ga-R [R = C(SiMe3)3]。现在可以通过用 1,4-二（异丙基）-1,4-二氮杂丁二烯处理它们的溶液来捕获这些单体。环加成反应 (2) 的产物具有五元 GaN2C2 杂环，具有配位不饱和镓原子和环内 C=C 双键。2 对微量空气的氧化相当敏感。与氧气接触产生过氧化二镓[(C2N2iPr2)RGa-OO-GaR(C2N2iPr2)](3)，其仅以非常低的产率分离并且具有与内部过氧基团的每个氧原子连接的镓原子。3 的两个螯合配体都具有未配对的电子。

  DOI：

  10.1002/zaac.200400536