| 286935-96-4

• CAS: 286935-96-4
• 化学式: C₁₀H₂₄Br₂InN₃
• 分子量: 460.949
• InChiKey: OIOQXQCHPVRGAN-UHFFFAOYSA-L

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  溴化铟(III) 、 3,3′-亚氨基双(N,N-二甲基丙胺) 在 n-C₄H₉Li 作用下， 以 乙醚 、 正己烷 为溶剂， 以75.6%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  III族氮化物的前体化学：第XVI部分。合成和铝，镓和铟与全氮配位球的单体五配位分子内加成物稳定amidobisazides的结构：GaN构成OMCVD使用（N 3）2嘎{N [CH 2 CH 2（NET 2）] 2 }

  摘要：

  通式（X）2 M {N [（CH 2）n（R'）2 ] 2 }（1-6）和（X）2 M { N（Et）[（CH 2）2 N（R'）2 ]}（7–9）（n = 2，3; R'= Me，Et; X = Cl，Br; E = Al，Ga和In ）以及叠氮基衍生物（N 3）2 Ga {N [（CH 2）2 N（Et）2 ]}（10）和（N 3）2 Ga {N（Et）[（CH 2）2 N（Me）2 ]}（11）作为同源序列的代表例，是通过标准的盐复分解途径合成的，并通过元素分析，NMR和IR光谱进行了全面表征。化合物1，2，3和10通过X射线晶体学揭示在固态单体的结构研究。化合物10通过在减压下使用有机金属化学气相沉积技术，在不存在氨的情况下，在750°C的蓝宝石衬底上生长结晶GaN薄膜。通过XRD和拉曼光谱分析膜，显示出垂直于蓝宝石衬底的c面的微晶的优选取向。

  DOI：

  10.1016/s0022-328x(00)00114-5