[In(octaethylporphyrin)(OH)] | 50733-39-6

• 英文名称: [In(octaethylporphyrin)(OH)]
• CAS: 50733-39-6
• 化学式: C₃₆H₄₅InN₄O
• 分子量: 664.6
• InChiKey: RTCOCJQCBZQYNK-YAJYDHHFSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  [In(octaethylporphyrin)(OH)] 、 四[3,5-二(三氟甲基)苯基]硼酸钾盐 在 NaOH 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 生成 (μ-hydroxo)-bis(octaethylporphyrinato)indium(III)tetrakis[3,5-bis-(trifluoromethyl)phenyl]borate
  参考文献：
  名称：

  具有单个μ-羟基桥的镓（III）和铟（III）八乙基卟啉二聚体配合物：含阴离子的有机介质中的合成，结构和稳定性

  摘要：

  羟基桥接配合物（μ-羟基）-双（八乙基卟啉）高氯酸镓（III）{[Ga（OEP）] 2 OH} ClO 4和（μ-羟基）-的合成及单晶X射线结构双（八乙基卟啉）铟（III）四[3,5-双-（三氟甲基）苯基]硼酸酯{[In（OEP）] 2报告了OH} TFPB。这些配合物是通过用稀释的高氯酸滴定二氯甲烷中的单体金属卟啉物种或通过添加化学计量的四苯基硼酸酯衍生物盐来制备的。结构表明，两个金属卟啉的配合物通过单个质子化的金属-氧-金属桥连接在一起，桥的夹角接近150°。二聚体的卟啉环形成15°Ga（III）和23°In（III）的二面角。与先前报道的类似的二聚体Mn（III）和Fe（III）结构相反，本二聚体的卟啉环被扭转了更大的接近22°的扭转角。在二氯甲烷中，在高氯酸盐存在下观察到二聚体的高稳定性，但是发现随着卤素阴离子浓度的增加，二聚体物种解离成单体。这与最近报道的分别用聚合物薄膜中的Ga

  DOI：

  10.1016/s0020-1693(03)00267-6
• 作为产物：
  描述：

  (OEP)InCl 、 potassium hydroxide 以 二氯甲烷 为溶剂， 生成 [In(octaethylporphyrin)(OH)]
  参考文献：
  名称：

  具有单个μ-羟基桥的镓（III）和铟（III）八乙基卟啉二聚体配合物：含阴离子的有机介质中的合成，结构和稳定性

  摘要：

  羟基桥接配合物（μ-羟基）-双（八乙基卟啉）高氯酸镓（III）{[Ga（OEP）] 2 OH} ClO 4和（μ-羟基）-的合成及单晶X射线结构双（八乙基卟啉）铟（III）四[3,5-双-（三氟甲基）苯基]硼酸酯{[In（OEP）] 2报告了OH} TFPB。这些配合物是通过用稀释的高氯酸滴定二氯甲烷中的单体金属卟啉物种或通过添加化学计量的四苯基硼酸酯衍生物盐来制备的。结构表明，两个金属卟啉的配合物通过单个质子化的金属-氧-金属桥连接在一起，桥的夹角接近150°。二聚体的卟啉环形成15°Ga（III）和23°In（III）的二面角。与先前报道的类似的二聚体Mn（III）和Fe（III）结构相反，本二聚体的卟啉环被扭转了更大的接近22°的扭转角。在二氯甲烷中，在高氯酸盐存在下观察到二聚体的高稳定性，但是发现随着卤素阴离子浓度的增加，二聚体物种解离成单体。这与最近报道的分别用聚合物薄膜中的Ga

  DOI：

  10.1016/s0020-1693(03)00267-6

文献信息

• Single hydroxo-bridged group 13 metalloporphyrin dimers: Solution studies and solid-state structures
  作者：Orde Q. Munro、Athanassios G. Coutsolelos、Beisong Cheng、W. Robert Scheidt

  DOI：10.1142/s1088424619500834

  日期：2019.9

  The syntheses of indium, gallium and aluminum porphyrin dimers with a single hydroxo-bridge, [Formula: see text][M(Porph)]2(OH)[Formula: see text], are described. Emphasis is given to indium and gallium derivatives. The X-ray structures for [Formula: see text] [Ga(OEP)]2(OH)[Formula: see text] ClO4 and [Formula: see text] [In(OEP)]2(OH)[Formula: see text] ClO4 (two forms) are presented. The dimeric

  具有单羟基桥的铟、镓和铝卟啉二聚体的合成，[分子式：见正文][M(Porph)]2(OH)[公式：见正文]，进行了描述。重点是铟和镓衍生物。[公式：见正文] [Ga(OEP)] 的 X 射线结构2(OH)[式：见正文] ClO4和 [公式：见正文] [In(OEP)]2(OH)[式：见正文] （两种形式）。二聚体分子可以通过酸处理相应的羟基连接的单体复合物 [M(OEP)(OH)] 和 [M(TPP)(OH)] 来合成。起始材料（羟基配位单体）的性质首先由 IR 光谱法提出，并通过质子-氘交换进一步证明1核磁共振氢谱。还介绍了单体氢氧化铟配合物 [In(OEP)(OH)] 的结构。所有金属的二聚体的合成都可以通过紫外-可见光谱进行监测，这清楚地表明 Soret 带的蓝移伴随着单体二聚体的形成。溶液状态研究证实了这些[公式：见文本]-羟基桥联二聚体的两个卟啉环之间的强[公式：见文本]-[公式：见文本]相互作用（1H