摘要:
新型抗磁性钨(IV)配合物,通式为W(δ-C5H4R)2(二硫烯) [R = H、SiMe3 或 But;二硫醇=C3S52−(4,5-二硫基-1,3-二硫醇-2-硫酸酯)、C3OS42−(4,5-二硫基-1,3-二硫醇-2-硫酸酯)或 dddt2−(5 ,6-二氢-1,4-二硫氨酸-2,3-二硫醇)]已被合成,并通过循环伏安法研究了它们的氧化还原性质。对于每个复合物观察到两个可逆氧化波。氧化还原半波电位允许 [W(cp)2(dddt)] (cp=π-C5H5) 与有机受体 tcnq(四氰基醌二甲烷)反应,而 C3S52– 和 C3OS42– 化合物还原 tcnqf4 (7 ,7,8,8-四氰基-1,2,4,5-四氟醌二甲烷)。对 [W(cp)2(dddt)]Ë+[tcnq]Ëâ 和 [W(η-C5H4But)2(C3S5)]Ë+[tcnqf4] 进行 X 射线晶体学研究Ë。结构分析和扩展休克尔计算表明,自由基阴离子强烈二聚成抗磁性部分。阳离子形成中心对称二聚体并表现出反铁磁相互作用,正如从磁化率的温度依赖性推论的那样,对于 [W(cp)2(dddt)]Ë+[,T(δmax)= 18 和 22 K tcnq]Ëâ 和 [W(β-C5H4But)2(C3S5)]Ë+[tcnqf4]Ëâ 分别。