(η5-cyclopentadienyl)Co(III)(η2-N,N'-diisopropyldiazabutene(2-)) | 101178-17-0

• 英文名称: (η5-cyclopentadienyl)Co(III)(η2-N,N'-diisopropyldiazabutene(2-))
• 英文别名: cyclopentadienyl-glyoxalbis(isopropylimine)cobalt(I)
• CAS: 101178-17-0
• 化学式: C₁₃H₂₁CoN₂
• 分子量: 264.316
• InChiKey: QHLKXIHIUNEHGT-ODPWVAJHSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  carbon monoxide,cobalt,cyclopenta-1,3-diene 、 N,N'-二异丙基乙烷-1,2-二亚胺 以 xylene 为溶剂， 以87%的产率得到(η5-cyclopentadienyl)Co(III)(η2-N,N'-diisopropyldiazabutene(2-))
  参考文献：
  名称：

  Halbsandwichkomplexe mit stickstoffliganden：II。环戊二烯二氮杂二钴（I）-komplexe

  摘要：

  环戊二烯基和五甲基环戊二烯基-钴（I）配合物，[（C 5 H 5）Co（dad）]（II）和[（C 5 Me 5）Co（dad）]（IV）（dad = 1,4-diaza可以通过取代和还原反应制备-1，3-二烯，RN ＝ CR′CR′＝ NR）。这些复合物具有热稳定性，但对氧化反应极为敏感，在其室温NMR光谱中显示出伪C2ν对称性。在205 K时，可以在IIf的NMR光谱中检测到不同的构象异构体（dad If：R = iC 3 H 7，R'= CH 3），表明空间位阻，尽管电离能较低（IE 1，IE 1对于IIa 6.17 eV），是金属的典型“碱反应”，例如添加甲基碘。电子光谱中主跃迁的异常小半峰宽度（为配合物II的特征）比CT跃迁更好地描述为复杂的π→-π ★跃迁。与NMR和电子光谱数据一起，IIa和其他富电子爸爸配合物的电化学行为和光电子光谱结果也包括在讨论中以及与四氮二烯类似物的比较中。

  DOI：

  10.1016/0022-328x(85)80204-7

文献信息

• Cobalt(III) Diazabutadiene Precursors for Metal Deposition: Nanoparticle and Thin Film Growth
  作者：Thomas Pugh、Samuel D. Cosham、Jeff A. Hamilton、Andrew J. Kingsley、Andrew L. Johnson

  DOI：10.1021/ic402317g

  日期：2013.12.2

  We report the synthesis and characterization of a family of cobalt(III) metal precursors, based around cyclopentadienyl and diazabutadiene ligands. The molecular structure of the complexes cyclopentadienyl-Cobalt(III)(N,N′-dicyclohexyl-diazabutadiene) (2c) and cyclopentadienyl-Cobalt(III)(N,N′-dimesityl-diazabutadiene) (2d) are described, as determined by single crystal X-ray diffraction analysis.

  我们报告了基于环戊二烯基和二氮杂丁二烯配体的钴（III）金属前体家族的合成和表征。描述了确定的环戊二烯基-钴（III）（N，N'-二环己基-二氮杂丁二烯）（2c）和环戊二烯基-钴（III）（N，N'-二甲磺酰基-二氮杂丁二烯）（2d）的分子结构通过单晶X射线衍射分析。配合物的热重分析表明，异丙基衍生物CpCo（i Pr 2 -dab）（2a）是可能的钴金属化学气相沉积（CVD）前体。使用前驱体2a进行大气压CVD（AP-CVD）在氢气（H 2）气氛下在硅衬底上合成金属钴薄膜。分别通过扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）对在250°C，275°C，300°C，325°C和350°C的基板温度下沉积的薄膜进行分析生长特征：在325和350°C下生长的薄膜是连续的且无针孔，而在250°C，275°C和300°C的基板温度下生长的薄膜则由结晶纳米颗粒组成。粉末X射线衍射（PXRD）和X