摘要:
描述了一些新型的电子贫乏的Re I(N 2)配合物的系统合成。这些复合物的氧化电势与ν(N变化基本上线性地2),同时只有那些具有Ë ½牛> CA。+0.8 V(相对于饱和甘汞电极)与LiMe反应。通常,这些络合物与LiR(R =烷基或芳基)的反应产物的性质取决于R。例如,[ReCl(CO)2(N 2)(PPh 3)2 ]与LiMe–H +给出[ReCl {C(OH)Me}(CO)(N 2)(PPh 3)2 ],但用LiPh–H +给出五坐标[ReCl(CO) 2(PPh 3) 2 ]。我们还没有观察到LiR在任何一种络合物中对N 2的攻击。讨论了LiR攻击位点的表观选择性。