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tribromo-bis(trimethylarsine sulphide)indium(III) | 116628-74-1

中文名称
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中文别名
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英文名称
tribromo-bis(trimethylarsine sulphide)indium(III)
英文别名
——
tribromo-bis(trimethylarsine sulphide)indium(III)化学式
CAS
116628-74-1
化学式
C6H18As2Br3InS2
mdl
——
分子量
658.716
InChiKey
ACCKIMWQZUBXIT-UHFFFAOYSA-K
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
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  • 反应信息
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  • 相关功能分类
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计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    None
  • 重原子数:
    None
  • 可旋转键数:
    None
  • 环数:
    None
  • sp3杂化的碳原子比例:
    None
  • 拓扑面积:
    None
  • 氢给体数:
    None
  • 氢受体数:
    None

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    tribromo-bis(trimethylarsine sulphide)indium(III) 以 not given 为溶剂, 以0%的产率得到
    参考文献:
    名称:
    铟(III)与三甲基膦硫化物和三甲基ar硫化物的络合物:[InX 3(Me 3 MS)2 ](X = Cl或Br,M = P或As)和[InCl 3(H 2 O)( Me 3 AsS)2 ]
    摘要:
    X = Cl或Br和M = P或As的四种同构化合物[InX 3(Me 3 MS)2 ]以及相关八面体配合物[InCl 3(H 2 O)(Me 3 AsS)的晶体结构2个]的描述。在同构系列中,铟与顶端位置的硫代配体处于扭曲的三角-双锥体配位状态。扭曲,包括每个分子中两个In-S键长度的微小差异,是由于分子内和分子间排斥的结合而产生的。从配体极性和卤素电负性推断出,随着电荷转移的增加,每个分子的平均In-S键长度显示出质的下降。与八面体络合物中的键长比较[InCl 3(H 2 O)(Me 3 AsS)2图1显示了根尖三角-双锥体键的特征性加长。配位体的M–S键在配位时表现出通常的延长,键的顺序适度下降,例如在[InCl 3(Me 3 PS)2 ]中从2.0降至1.6 。31个P Nmr光谱也表明P–S键的π特性降低。没有证据表明在In–S键中使用了In d轨道。
    DOI:
    10.1039/dt9880002187
  • 作为产物:
    描述:
    溴化铟(III) 在 SAsMe3 作用下, 以 丙酮 为溶剂, 生成 tribromo-bis(trimethylarsine sulphide)indium(III)
    参考文献:
    名称:
    铟(III)与三甲基膦硫化物和三甲基ar硫化物的络合物:[InX 3(Me 3 MS)2 ](X = Cl或Br,M = P或As)和[InCl 3(H 2 O)( Me 3 AsS)2 ]
    摘要:
    X = Cl或Br和M = P或As的四种同构化合物[InX 3(Me 3 MS)2 ]以及相关八面体配合物[InCl 3(H 2 O)(Me 3 AsS)的晶体结构2个]的描述。在同构系列中,铟与顶端位置的硫代配体处于扭曲的三角-双锥体配位状态。扭曲,包括每个分子中两个In-S键长度的微小差异,是由于分子内和分子间排斥的结合而产生的。从配体极性和卤素电负性推断出,随着电荷转移的增加,每个分子的平均In-S键长度显示出质的下降。与八面体络合物中的键长比较[InCl 3(H 2 O)(Me 3 AsS)2图1显示了根尖三角-双锥体键的特征性加长。配位体的M–S键在配位时表现出通常的延长,键的顺序适度下降,例如在[InCl 3(Me 3 PS)2 ]中从2.0降至1.6 。31个P Nmr光谱也表明P–S键的π特性降低。没有证据表明在In–S键中使用了In d轨道。
    DOI:
    10.1039/dt9880002187
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