已经合成了
钌 (III)-
吡啶 (Ru-Py) 配合物,并通过 NMR、IR、UV-Vis、荧光光谱和 HRMS 对其进行了表征。Ru-Py 配合物的晶体结构由 X 射线晶体学确定。通过旋涂法将Ru-Py复合物涂覆在p型Si半导体上,得到肖特基势垒二极管(SBD)器件。利用热电子发射 (TE) 理论,如理想因子 (n) 和势垒高度 (Φ),计算了所获得的 Al/p-Si/Al MS 和 Al/Ru-Py/p-Si/Al SBD 器件的基本电学参数乙)。根据电流-电压 (I-V) 测量结果,在室温下,参考 Al/p-Si/Al MS 结构的 n 值为 1.55,而 Al/Ru-Py/p-Si/Al SBD 结构的 n 值为 1.24。Ru-Py配合物作为界面材料使器件表现更理想,并降低了理想因子的值。参考 MS 和 SBD 器件的 Φb 值分别计算为 0.67 和 0.78 eV。器件结构中