GaBr3 have been examined. All reactions using a low valent gallium or indium starting material led to species of the form [MX2(IMes)}2], where M = Ga, X = Cl (1), I (2); M = In, X = Cl (3), with disproportionation and loss of gallium metal in the case of 2. Reaction of IMes with gallium tribromide yields the air and moisture stable complex [GaBr3(IMes)] (4), which has been used as a precursor to the
N-杂环卡宾1,3-二甲基
咪唑-2-亚烷基(IMes)与 Ga [GaCl 4 ],I”,
氯化铟2 和
溴化
镓3已经检查过了。所有反应均使用低价
镓 或者
铟 起始材料导致形式的物种 [MX 2(IMes)} 2 ],其中M = Ga,X =
氯(1),我(2);M = In,X =
氯(3),不成比例和损失
镓在2的情况下
金属。IMes与
三溴化镓生成空气和湿气稳定的络合物[GaBr 3(IMes)](4),该络合物已用作混合
溴化物[GaBrH 2(IMes)](5)和[GaBr 2 H(IMes)](6的前体))(i)用[GaH 3(IMes)]进行
配体再分布,(ii)
氢化物–
溴化物 与...交换 三乙基
硅烷,以及(iii)与
正丁基锂 其次是 β-
氢化物消除(仅6个)。尝试制备1或单价类似物,例如[GaCl(IMes)} n],通过热诱导还原消除 二氢 来自
氯氢化物5和6的同类物导致已知化合物的分离[IMesCl]