(Et2GaSSiPh3)2 | 180794-47-2

• 英文名称: (Et2GaSSiPh3)2
• 英文别名: (Et₂GaSSiPh₃)₂
• CAS: 180794-47-2
• 化学式: C₄₄H₅₀Ga₂S₂Si₂
• 分子量: 838.63
• InChiKey: IIZZEQSNVHDFSJ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  三苯基硅烷硫醇 、 三乙基镓 以 neat (no solvent) 为溶剂， 以87%的产率得到(Et2GaSSiPh3)2
  参考文献：
  名称：

  室温环戊二烯消除反应，用于合成二乙基镓-酰胺，-磷酸盐和-硫醇盐。[Et 2 GaP（t-Bu）2 ] 2和[Et 2 GaS（SiPh 3）] 2的晶体和分子结构

  摘要：

  化合物[Et 2 GaNEt 2 ] 2，[Et 2 GaN（H）（Me）] 2，[Et 2 GaN（H）（t-Bu）] 2，[Et 2 GaP（i-Pr）2 ] 2，[Et 2 GaP（t-Bu）2 ] 2和[Et 2 GaS（SiPh 3）] 2的制备是在室温下通过从Et 2 Ga（C 5 H 5）和Et 2 Ga（C 5 H 5）中消除环戊二烯而高产率制备的。相应的胺，膦或硫醇。三种二乙基镓酰胺和[Et 2GaP（i-Pr）2 ] 2为液体，而另一种磷化物和硫醇盐在室温下为结晶固体。所有化合物均通过元素分析，1 H和31 P NMR光谱以及适当的在苯中的低温分子量研究进行了充分表征，并在溶液中为二聚体。通过X射线结构研究表征了结晶化合物[Et 2 GaP（t-Bu）2 ] 2和[Et 2 GaS（SiPh 3）] 2。即使[Et 2 GaN（H）（t-Bu）] 2和[Et 2 GaS（SiPh

  DOI：

  10.1021/om960284p

文献信息

• Silylated gallium and indium chalcogenide ring systems as potential precursors to ME (E=O, S) materials
  作者：Iliana Medina-Ramírez、Cynthia Floyd、Joel Mague、Mark Fink

  DOI：10.2478/s11532-013-0255-y

  日期：2013.7.1

  The reaction of R3M (M=Ga, In) with HESiR′3 (E=O, S; R′3=Ph3, iPr3, Et3, tBuMe2) leads to the formation of (Me2GaOSiPh3)2(1); (Me2GaOSitBuMe2)2(2); (Me2GaOSiEt3)2(3); (Me2InOSiPh3)2(4); (Me2InOSitBuMe2)2(5); (Me2InOSiEt3)2(6); (Me2GaSSiPh3)2(7); (Et2GaSSiPh3)2(8); (Me2GaSSiiPr3)2(9); (Et2GaSSiiPr3)2(10); (Me2InSSiPh3)3(11); (Me2InSSiiPr3)n(12), in high yields at room temperature. The compounds have been characterized by multinuclear NMR and in most cases by X-ray crystallography. The molecular structures of (1), (4), (7) and (8) have been determined. Compounds (3), (6) and (10) are liquids at room temperature. In the solid state, (1), (4), (7) and (9) are dimers with central core of the dimer being composed of a M2E2 four-membered ring. VT-NMR studies of (7) show facile redistribution between four- and six-membered rings in solution. The thermal decomposition of (1)–(12) was examined by TGA and range from 200 to 350°C. Bulk pyrolysis of (1) and (2) led to the formation of Ga2O3; (4) and (5) In metal; (7)–(10) GaS and (11)–(12) InS powders, respectively.

  摘要：R3M（M=Ga，In）与HESiR′3（E=O，S；R′3=Ph3，iPr3，Et3，tBuME2）的反应在室温下高产率地形成(ME2GaOSiPh3)2(1)；(ME2GaOSitBuME2)2(2)；(ME2GaOSiEt3)2(3)；(ME2InOSiPh3)2(4)；(ME2InOSitBuME2)2(5)；(ME2InOSiEt3)2(6)；(ME2GaSSiPh3)2(7)；(Et2GaSSiPh3)2(8)；(ME2GaSSiiPr3)2(9)；(Et2GaSSiiPr3)2(10)；(ME2InSSiPh3)3(11)；(ME2InSSiiPr3)n(12)。这些化合物经过多核NMR表征，并在大多数情况下通过X射线晶体学进行了表征。已确定了(1)、(4)、(7)和(8)的分子结构。化合物(3)、(6)和(10)在室温下为液体。在固态中，(1)、(4)、(7)和(9)为二聚体，其二聚体的中心核由M2E2四元环组成。对(7)的VT-NMR研究显示在溶液中四元环和六元环之间有易于重新分布。通过TGA检测了(1)–(12)的热分解，温度范围为200至350°C。对(1)和(2)的大量热解导致形成Ga2O3；(4)和(5)形成In金属；(7)–(10)形成GaS；(11)–(12)形成InS粉末。