Cp(*)((i)Pr3P)Os(H)(Br)SiH2-2,4,6-(i)Pr2C6H2 | 631922-61-7

• 英文名称: Cp(*)((i)Pr3P)Os(H)(Br)SiH2-2,4,6-(i)Pr2C6H2
• 英文别名: (Cp*)((i-Pr)3P)OsHBr(SiHC6H2(i-Pr)3)
• CAS: 631922-61-7
• 化学式: C₃₄H₆₂BrOsPSi
• 分子量: 800.03
• InChiKey: YNNMDZGUJMFIPI-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  dibenzylmagnesiumbis(tetrahydrofuran) 、 Cp(*)((i)Pr3P)Os(H)(Br)SiH2-2,4,6-(i)Pr2C6H2 以 苯 为溶剂， 生成 (Cp*)((i-Pr)3P)OsH(SiHC6H2(i-Pr)3)
  参考文献：
  名称：

  氢取代锇亚甲硅烷配合物：电荷定位对催化氢化硅烷化的影响

  摘要：

  向锇苄基化合物 Cp*(iPr3P)OsCH2Ph 添加庞大的初级硅烷，通过激活两个 Si-H 键提供两个中性氢取代的亚甲硅烷基络合物。这些物种已在结构上进行了表征，并且已通过实验和计算检查了它们的反应性。这些中性亚甲硅烷基络合物与其阳离子类似物的比较突出了电荷分布对金属亚甲硅烷基络合物反应化学的显着影响。

  DOI：

  10.1021/ja057494q
• 作为产物：
  描述：

  [OsBr(η(5)-Cp*)(PiPr3)] 、 (2,4,6-triisopropylphenyl)silane 以 苯 为溶剂， 生成 Cp(*)((i)Pr3P)Os(H)(Br)SiH2-2,4,6-(i)Pr2C6H2
  参考文献：
  名称：

  氢取代锇亚甲硅烷配合物：电荷定位对催化氢化硅烷化的影响

  摘要：

  向锇苄基化合物 Cp*(iPr3P)OsCH2Ph 添加庞大的初级硅烷，通过激活两个 Si-H 键提供两个中性氢取代的亚甲硅烷基络合物。这些物种已在结构上进行了表征，并且已通过实验和计算检查了它们的反应性。这些中性亚甲硅烷基络合物与其阳离子类似物的比较突出了电荷分布对金属亚甲硅烷基络合物反应化学的显着影响。

  DOI：

  10.1021/ja057494q

文献信息

• Synthesis and Reactivity of Silyl and Silylene Ligands in the Coordination Sphere of the 14-Electron Fragment Cp*(ⁱPr₃P)Os⁺
  作者：Paul B. Glaser、T. Don Tilley

  DOI：10.1021/om040062o

  日期：2004.11.1

  Oxidative addition reactions of the 16-electron half-sandwich osmium complex Cp*(iPr3P)OsBr (2) with SiH4 and primary and secondary hydrosilanes were examined. Compared to the previously studied ruthenium complex Cp(iPr3P)RuCl (1), 2 exhibits a greater tendency to add hydrosilanes to afford stable, isolable silyl complexes. Using an abstraction−migration methodology, in which abstraction of a labile

  检查了16电子半三明治-络合物Cp *（i Pr 3 P）OsBr（2）与SiH 4以及伯氢硅烷和仲氢硅烷的氧化加成反应。与先前研究的钌配合物Cp（i Pr 3 P）RuCl（1）相比，2具有更大的添加氢硅烷的趋势，从而提供稳定的，可分离的甲硅烷基配合物。使用抽象迁移方法，其中先提取不稳定的金属卤化物配体，然后从硅向金属中心进行1,2-H迁移，然后制备了新的sil甲硅烷基络合物。因此，将2衍生的甲硅烷基络合物与LiB（C 6F 5）4得到[Cp *（i Pr 3 P）（H）2 Os SiRR'] [B（C 6 F 5）4 ]类型的阳离子甲硅烷基络合物（R =芳基，甲硅烷基； R'=芳基，H）。甲硅烷基络合物的低场29 Si化学位移范围为316 ppm（R = 2,4,6- i Pr 3 C 6 H 2，R'= H; 18）至417 ppm（R = Si（SiMe 3）3， R'= H; 1