分子非易失性存储设备被认为具有非凡的功能,例如低成本,高保留时间和低功耗,这可能会使其在当代基于
硅的设备上无法实现。尽管已证明小分子的分散实例,特别是具有丰富电
化学行为的过渡
金属配合物在存储设备应用中显示出令人鼓舞的性能,但仍缺乏对分子设计和结构-性质关系的系统研究。此外,关于过渡
金属配合物的记忆应用的研究主要限于贵
金属。这些阻碍了分子非易失性存储器件的开发和实际应用。III)复合物。一些制造的电阻式随机存取存储器(RR
AM)器件具有可逆的双极开关,高的开/关比和长的保持时间。可以预期,这项研究将为用于存储设备的过渡
金属配合物的分子设计提供重要的见识,并将导致新一代经济上可访问且可持续的非易失性存储设备。