乙基黄原酸镉(II)的双-3-甲基吡啶和双-4-甲基吡啶配合物已通过元素分析,NMR光谱和热重分析进行了表征。还已经确定了两种甲基吡啶衍生物的单晶X射线结构,并显示出N-和S-供体配体的顺式,顺式,顺式构型。该化合物已被用作单一来源的前体,通过气雾辅助化学气相沉积法在220和350°C的条件下将CdS膜沉积在涂有二氧化硅的玻璃基板上。通过扫描电子显微镜分析检查了膜的表面形态,并通过粉末X射线衍射研究了结晶相。由3-甲基吡啶加合物沉积的膜比其他两种前体中的任一种所提供的膜包含更致密的堆积和更高结晶的六角形CdS。发现由吡啶和4-甲基吡啶加合物沉积的膜的微晶尺寸小于20nm,但是显示出约1μm的尺寸。从3-甲基吡啶前体沉积时为30 nm。尽管在形态和晶体组成上存在这些差异,但所有CdS膜的电子性质还是通过紫外可见光谱法得出的,它们非常相似,并表现出吸收行为和带隙(E g = 2.25–2.40
DOI:
10.1021/acs.cgd.6b01795
作为产物:
描述:
[cadmium(II) (ethylxanthate)2 (3-methylpyridine)2] 以
neat (no solvent) 为溶剂,
生成 cadmium(2+);sulfanide
参考文献:
名称:
黄原酸酯单源前驱体的CdS气溶胶辅助化学气相沉积
摘要:
乙基黄原酸镉(II)的双-3-甲基吡啶和双-4-甲基吡啶配合物已通过元素分析,NMR光谱和热重分析进行了表征。还已经确定了两种甲基吡啶衍生物的单晶X射线结构,并显示出N-和S-供体配体的顺式,顺式,顺式构型。该化合物已被用作单一来源的前体,通过气雾辅助化学气相沉积法在220和350°C的条件下将CdS膜沉积在涂有二氧化硅的玻璃基板上。通过扫描电子显微镜分析检查了膜的表面形态,并通过粉末X射线衍射研究了结晶相。由3-甲基吡啶加合物沉积的膜比其他两种前体中的任一种所提供的膜包含更致密的堆积和更高结晶的六角形CdS。发现由吡啶和4-甲基吡啶加合物沉积的膜的微晶尺寸小于20nm,但是显示出约1μm的尺寸。从3-甲基吡啶前体沉积时为30 nm。尽管在形态和晶体组成上存在这些差异,但所有CdS膜的电子性质还是通过紫外可见光谱法得出的,它们非常相似,并表现出吸收行为和带隙(E g = 2.25–2.40
Aerosol-Assisted Chemical Vapor Deposition of CdS from Xanthate Single Source Precursors
作者:Mark A. Buckingham、Amanda L. Catherall、Michael S. Hill、Andrew L. Johnson、James D. Parish
DOI:10.1021/acs.cgd.6b01795
日期:2017.2.1
thermogravimetric analysis. The single crystal X-ray structures of both methylpyridine derivatives have also been determined and shown to display a cis, cis, cis-configuration of the N- and S-donor ligands. The compounds have been utilized as singlesourceprecursors to deposit CdS films on silica-coated glass substrates at 220 and 350 °C by aerosol-assisted chemical vapor deposition. The surface morphology
乙基黄原酸镉(II)的双-3-甲基吡啶和双-4-甲基吡啶配合物已通过元素分析,NMR光谱和热重分析进行了表征。还已经确定了两种甲基吡啶衍生物的单晶X射线结构,并显示出N-和S-供体配体的顺式,顺式,顺式构型。该化合物已被用作单一来源的前体,通过气雾辅助化学气相沉积法在220和350°C的条件下将CdS膜沉积在涂有二氧化硅的玻璃基板上。通过扫描电子显微镜分析检查了膜的表面形态,并通过粉末X射线衍射研究了结晶相。由3-甲基吡啶加合物沉积的膜比其他两种前体中的任一种所提供的膜包含更致密的堆积和更高结晶的六角形CdS。发现由吡啶和4-甲基吡啶加合物沉积的膜的微晶尺寸小于20nm,但是显示出约1μm的尺寸。从3-甲基吡啶前体沉积时为30 nm。尽管在形态和晶体组成上存在这些差异,但所有CdS膜的电子性质还是通过紫外可见光谱法得出的,它们非常相似,并表现出吸收行为和带隙(E g = 2.25–2.40